皮秒激光精密微孔加工應用作為一種激光精密加工技術,皮秒激光在對高硬度金屬微孔加工方面的應用早在20世紀90年代初就有報道。1996年德國學者Chichkov等研究了納秒、皮秒以及飛秒激光與材料的作用機理,并在真空靶室中對厚度100μm的不銹鋼進行了打孔實驗,建立了激光微納加工的理論模型,為后續的激光微納加工實驗研究奠定了堅實的理論基礎。1998年Jandeleit等對厚度為250nm的銅膜進行了精密制孔實驗,實驗指出使用同一脈寬的皮秒激光器對厚度較薄的金屬材料制孔時,采用高峰值功率更有可能獲得高質量的的制孔效果。然而,優異的加工效果不僅取決于脈沖寬度以及峰值功率,制孔方式也是一個至關重要的因素,針對這一問題,Fohl等采用納秒激光與飛秒激光對制孔方式進行了深入研究,實驗結果顯示納秒激光采用螺旋制孔方式所加工的微孔整潔干凈,而飛秒激光采用一般的沖擊制孔方式所加工的微孔邊緣有明顯的再鑄層。微納加工技術的特點多學科交叉。微納加工器件封裝
微納加工MEMS器件設計:根據客戶需求,初步確定材料、工藝、和技術路線,并出具示意圖。版圖設計:在器件設計的基礎上,將客戶需求細化,并轉化成版圖設計。工藝設計:設計具體的工藝路線和實現路徑,生產工藝流程圖等技術要求。工藝流片:根據工藝設計和版圖設計,小批量試樣驗證。批量生產:在工藝流片的基礎上,進行批量驗證生產。MEMS微型傳感器及微機械結構圖:微納加工技術是先進制造的重要組成部分,是衡量國家高質量的制造業水平的標志之一,具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點,在推動科技進步、促進產業發展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然,微納加工技術與微電子工藝技術有密切關系。微納加工器件封裝在微納加工過程中,薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。
MEMS工藝離不開曝光工藝。光刻曝光系統:接觸式曝光和非接觸式曝光的區別,在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為,接觸式曝光只適于分立元件和中、小規模集成電路的生產。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統中,掩膜圖形經光學系統成像在感光層上,掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高,對準精度也高,能滿足高集成度器件和電路生產的要求。但投影曝光設備復雜,技術難度高,因而不適于低檔產品的生產。現代應用較廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統和x:1倍的在硅片上直接分步重復曝光系統。
淺談表面功能微納結構及其加工方法:目前可以實現表面微納結構的加工方法主要有以下幾種。(1)光刻技術,利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結構,該方法優勢在于精度高,得到的微納結構形狀可以得到很好的控制;(2)飛秒激光加工技術,由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點,可以加工出遠小于光斑直徑的尺寸,研究人員通過試驗發現,采用飛秒激光加工出10nm寬的納米線,在微納加工領域具有獨特優勢。另外飛秒激光雙分子聚合技術可以實現納米尺寸結構的加工;(3)自組裝工藝,光刻與自組裝和刻蝕工藝結合,通過自組裝工藝,可以得到6nm左右的納米孔。(4)等離子刻蝕技術,等離子刻蝕技術是應用廣的微納米加工手段,加工精度高,是集成電路制造中關鍵的工藝之一。(5)沉積法,主要包括物相沉積和化學氣相沉積,該方法主要是利用氣相發生的物理化學過程,在工件表面形成功能型或裝飾性的金屬,可以用來實現微納米結構涂層的制造。(6)微納增材制造技術,微納增材制造技術主要指微納尺度電噴增材制造和微激光增材制造技術,由于微納增材技術可以不受形狀限制,可多材料協同制造,具有較大的發展前景。除以上幾種加工技術外。 未來幾年微納制造系統和平臺的發展前景包括的方面:智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統。
獲得或保持率先競爭對手的優勢將維持強勁的經濟、提供動力以滿足社會需求,而微納制造技術能力正在成為這其中的關鍵使能因素。微納制造技術可以幫助企業、產業形成競爭優勢。得益于私營部門和公共部門之間的合作,它們的快速發展提升了許多不同應用領域的歐洲公司的市場份額,促進了協作研究。需要強調的,產業界和學術界的合作在增加公司的市場實力上發揮了重要作用;這種合作使得那些阻礙創新、新技術與高水平的教育需求等進展的問題的解決變得更為容易。微納制造技術,尤其是以聚合物為加工對象的微納制造技術在創新應用中正變得越來越重要。黃石微納加工工藝
新一代微納制造系統應滿足的要求:能生產多種多樣高度復雜的微納產品。微納加工器件封裝
微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類。“自上而下”是從宏觀對象出發,以光刻工藝為基礎,對材料或原料進行加工,小結果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環節的分辨力決定。“自下而上”技術則是從微觀世界出發,通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構建在一起,形成微納結構與器件。基于光刻工藝的微納加工技術主要包含以下過程:掩模(mask)制備、圖形形成及轉移(涂膠、曝光、顯影)、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質的薄膜(抗蝕膠),曝光系統把掩模板的圖形投射在(抗蝕膠)薄膜上,光(光子)的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發生光化學作用,形成微細圖形的潛像,再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉變成具有微細圖形的窗口,后續基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結構或器件。 微納加工器件封裝
廣東省科學院半導體研究所發展規模團隊不斷壯大,現有一支專業技術團隊,各種專業設備齊全。專業的團隊大多數員工都有多年工作經驗,熟悉行業專業知識技能,致力于發展芯辰實驗室,微納加工的品牌。我公司擁有強大的技術實力,多年來一直專注于面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓技術創新和公共服務,面向國內外高校、科研院所以及企業提供開放共享,為技術咨詢、創新研發、技術驗證以及產品中試提供支持。的發展和創新,打造高指標產品和服務。廣東省科學院半導體研究所主營業務涵蓋微納加工技術服務,真空鍍膜技術服務,紫外光刻技術服務,材料刻蝕技術服務,堅持“質量保證、良好服務、顧客滿意”的質量方針,贏得廣大客戶的支持和信賴。