在Si片上形成具有垂直側壁的高深寬比溝槽結構是制備先進MEMS器件的關鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴格。高深寬比的干法刻蝕技術以其刻蝕速率快、各向異性較強、污染少等優點脫穎而出，成為MEMS器件加工的關鍵技術之一。BOSCH工藝,又名TMDE(TimeMultiplexedDeepEtching)工藝，是一個刻蝕一鈍化一刻蝕的循環過程，以達到對硅材料進行高深寬比、各向異性刻蝕的目的。BOSCH工藝的原理是在反應腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進行反應，湖北硅材料刻蝕，工藝的整個過程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復交替，硅材料刻蝕。其中保護氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護層，沉積在已經做好圖形的樣品表面。深硅刻蝕是MEMS器件制作當中一個比較重要的工藝。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層，制作出互連線。江蘇半導體材料刻蝕公司

經過前面的一系列工藝已將光刻掩膜版的圖形轉移到光刻膠上。為了制作元器件，需將光刻膠上的圖形進一步轉移到光刻膠下層的材料上，天津深硅刻蝕材料刻蝕價格。這個任務就由刻蝕來完成。刻蝕就是將涂膠前所淀積的薄膜中沒有被光刻膠（經過曝光和顯影后）覆蓋和保護的那部分去除掉，達到將光刻膠上的圖形轉移到其下層材料上的目的，天津深硅刻蝕材料刻蝕價格。光刻膠的下層薄膜可能是二氧化硅、氮化硅，天津深硅刻蝕材料刻蝕價格、多晶硅或者金屬材料。材料不同或圖形不同，刻蝕的要求不同。實際上，光刻和刻蝕是兩個不同的加工工藝，但因為這兩個工藝只有連續進行，才能完成真正意義上的圖形轉移，而且在工藝線上，這兩個工藝經常是放在同一工序中，因此有時也將這兩個步驟統稱為光刻。按材料來分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。四川Si材料刻蝕廠商干法刻蝕是芯片制造領域較主要的表面材料去除方法，擁有更好的剖面控制。

工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應用中通常使用含氟的化學物質。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學物質。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執行特定的刻蝕步驟。當需要處理多層薄膜時，以及刻蝕中必須精確停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩模或停止層）通常都希望有更高的選擇比。硅材料刻蝕廠商有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。

“刻蝕”指的是用化學和物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料，是晶圓制造中不可或缺的關鍵步驟。刻蝕技術按工藝可以分為濕法刻蝕與干法刻蝕，其中干法刻蝕是目前8英寸、12英寸先進制程中的主要刻蝕手段，干法刻蝕又多以“等離子體刻蝕”為主導。在刻蝕環節中，硅電極產生高電壓，令刻蝕氣體形成電離狀態，其與芯片同時處于刻蝕設備的同一腔體中，并隨著刻蝕進程而逐步被消耗，因此刻蝕電極也需要達到與晶圓一樣的半導體級的純度（11個9）。浸沒光刻和雙重光刻技術在不改變193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數量級。

雙等離子體源刻蝕機加裝有兩個射頻（RF）功率源，能夠更精確地控制離子密度與離子能量。位于上部的射頻功率源通過電感線圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度，但是離子濃度增加的同時離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過電容結構能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度，從而能夠更好地控制刻蝕速率與選擇比。原子層刻蝕（ALE）為下一代刻蝕工藝技術，能夠精確去除材料而不影響其他部分。隨著結構尺寸的不斷縮小，反應離子刻蝕面臨刻蝕速率差異與下層材料損傷等問題。原子層刻蝕（ALE）能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分，可以用于定向刻蝕或生成光滑表面，這是刻蝕技術研究的熱點之一。目前原子層刻蝕在芯片制造領域并沒有取代傳統的等離子刻蝕工藝，而是被用于原子級目標材料精密去除過程。干法刻蝕優點是：無化學廢液。佛山GaN材料刻蝕加工平臺

干法刻蝕優點是：細線條操作安全。江蘇半導體材料刻蝕公司

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