等向性刻蝕：大部份的濕刻蝕液均是等向性，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案，暴露出來的區域，便是往下腐蝕的所在；蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性，便應當止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度，當其被蝕出某深度時，刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸，故刻蝕液也開始對刻蝕掩膜圖案邊緣的底部，進行蝕掏，這就是所謂的下切或側向侵蝕現象(undercut)。該現象造成的圖案側向誤差與被蝕薄膜厚度同數量級，換言之，濕刻蝕技術因之而無法應用在類似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術。硅刻蝕（包括多晶硅）應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。珠海ICP材料刻蝕工藝

廣東省科學院半導體研究所是一家面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓技術創新和公共服務，面向國內外高校、科研院所以及企業提供開放共享，為技術咨詢、創新研發、技術驗證以及產品中試提供支持。的公司，是一家集研發、設計、生產和銷售為一體的專業化公司。河北深硅刻蝕材料刻蝕版廠家在物理上，等離子體刻蝕劑由反應室、真空系統、氣體供應、終點檢測和電源組成。

刻蝕較簡單較常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕。優點是選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低。干法刻蝕種類比較多，包括光揮發、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕。

雙等離子體源刻蝕機加裝有兩個射頻（RF）功率源，能夠更精確地控制離子密度與離子能量。位于上部的射頻功率源通過電感線圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度，但是離子濃度增加的同時離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過電容結構能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度，從而能夠更好地控制刻蝕速率與選擇比。原子層刻蝕（ALE）為下一代刻蝕工藝技術，能夠精確去除材料而不影響其他部分。隨著結構尺寸的不斷縮小，反應離子刻蝕面臨刻蝕速率差異與下層材料損傷等問題。原子層刻蝕（ALE）能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分，可以用于定向刻蝕或生成光滑表面，這是刻蝕技術研究的熱點之一。目前原子層刻蝕在芯片制造領域并沒有取代傳統的等離子刻蝕工藝，而是被用于原子級目標材料精密去除過程。干法刻蝕可以根據被刻蝕的材料類型來分類。

在等離子蝕刻工藝中,發生著許多的物理現象。當在腔體中使用電極或微波產生一個強電場,這個電場會加速所有的自由電子并提高他們的內部能量(由于宇宙射線的原因,在任何環境中都會存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發生撞擊,如果在碰撞過程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會發生電離現象,并且產生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發電離現象則無法產生穩定且能發生反應的中性物當足夠的能量提供給系統,一個穩定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應中性物通過物理和化學方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強電場來加速正原子離子（通常使用重量較重,惰性的氬原子）朝向襯底，加速過程將能量傳遞給了離子,當它們撞擊到襯底表面時,內部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞,襯底表面的原子會被噴射到氣體中,較終被真空系統抽走。綜合型干刻蝕法綜合離子濺射與表面反應的優點，使刻蝕具有較好的選擇比和線寬控制。上海硅材料刻蝕加工工廠

刻蝕的工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。珠海ICP材料刻蝕工藝

二氧化硅的干法刻蝕方法：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C，F8)、三氟甲烷(CHF3)等，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好，CHF3的聚合物生產速率較高，非等離子體狀態下的氟碳化合物化學穩定性較高，且其化學鍵比SiF的化學鍵強，不會與硅或硅的氧化物反應。選擇比的改變在當今半導體工藝中，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si，后者則是金屬層，通常是TiN（氮化鈦），因此在Si02的刻蝕中，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素。珠海ICP材料刻蝕工藝

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