真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點：復合靶。可制作復合靶鍍合金膜，目前，采用復合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、（Tb-Dy）-Fe以及Gb-Co合金膜。復合靶的結構有四種，分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶，其中以扇形鑲嵌靶結構的使用效果為佳。磁控濺射是眾多獲得高質量的薄膜技術當中使用較普遍的一種鍍膜工藝，采用新型陰極使其擁有很高的靶材利用率和高沉積速率，該工藝不只用于單層膜的沉積，還可鍍制多層的薄膜，此外，還用于卷繞工藝中用于包裝膜、光學膜、貼膜等膜層鍍制。磁控濺射的原理：靶材背面加上強磁體，形成磁場。貴州真空磁控濺射實驗室

高速率磁控濺射本質特點是產生大量的濺射粒子，導致較高的沉積速率。實驗表明在較大的靶源密度在高速濺射，靶的濺射和局部蒸發同時發生，兩種過程的結合保證了較大的沉積速率（幾μm/min）并導致薄膜的結構發生變化。與通常的磁控濺射比較，高速濺射和自濺射的特點在于較高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2，（Pd為磁控靶功率，S為靶表面積）。高速濺射有一定的限制，因此在特殊的環境才能保持高速濺射，如足夠高的靶源密度，靶材足夠的產額和濺射氣體壓力，并且要獲得較大氣體的離化率。較大限制高速沉積薄膜的是濺射靶的冷卻。北京直流磁控濺射優點反應磁控濺射沉積過程中基板升溫較小，而且制膜過程中通常也不要求對基板進行高溫加熱。

平衡磁控濺射即傳統的磁控濺射，是在陰極靶材背后放置芯部與外環磁場強度相等或相近的永磁體或電磁線圈，在靶材表面形成與電場方向垂直的磁場。沉積室充入一定量的工作氣體，通常為Ar，在高壓作用下Ar原了電離成為Ar+離子和電子，產生輝光放電，Ar+離子經電場加速轟擊靶材，濺射出靶材原子、離子和二次電子等。電子在相互垂直的電磁場的作用下，以擺線方式運動，被束縛在靶材表面，延長了其在等離子體中的運動軌跡，增加其參與氣體分子碰撞和電離的過程，電離出更多的離子，提高了氣體的離化率，在較低的氣體壓力下也可維持放電，因而磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力，也同時提高了濺射的效率和沉積速率。

磁控濺射就是在外加電場的兩極之間引入一個磁場。這個磁場使得電子受到洛倫茲力的束縛作用，其運動路線受到控制，因此大幅度增加了電子與Ar分子（原子）碰撞的幾率，提高了氣體分子的電離程度，從而使濺射效率得到很大的提升。濺射現象自發現以來己被普遍應用在多種薄膜的制備中，如制備金屬、半導體、合金、氧化物以及化合物半導體等。磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點:利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。磁控濺射在技術上可以分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。

磁控濺射技術不只是科學研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術，經過多年的不斷完善和發展，該技術也已經成為重要的工業化大面積真空鍍膜技術之一，普遍應用于玻璃、汽車、醫療衛生、電子工業等工業和民生領域。例如，采用磁控濺射工藝生產鍍膜玻璃，其膜層可以由多層金屬或金屬氧化物祖成，允許任意調節能量通過率、反射率，具有良好的美觀效果，被越來越多的被應用于現代建筑領域。再比如，磁控濺射技術也能夠應用于織物涂層，這些織物涂層可以應用于安全領域，如防電擊、電磁屏蔽和機器人防護面料等，也可用于染料制作。這樣的涂層織物在醫療衛生、環境保護、電子工業等領域都有重要的應用。真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應沉積鍍膜。遼寧多層磁控濺射聯系商家

直流二極濺射采用直流光放電，三極濺射采用熱陰極支撐光放電。貴州真空磁控濺射實驗室

隨著工業的需求和表面技術的發展，新型磁控濺射如高速濺射、自濺射等成為磁控濺射領域新的發展趨勢。高速濺射能夠得到大約幾個μm/min的高速率沉積，可以縮短濺射鍍膜的時間，提高工業生產的效率；有可能替代對環境有污染的電鍍工藝。當濺射率非常高，以至于在完全沒有惰性氣體的情況下也能維持放電，即是只用離化的被濺射材料的蒸汽來維持放電，這種磁控濺射被稱為自濺射。被濺射材料的離子化以及減少甚至取消惰性氣體，會明顯地影響薄膜形成的機制，加強沉積薄膜過程中合金化和化合物形成中的化學反應。由此可能制備出新的薄膜材料，發展新的濺射技術，例如在深孔底部自濺射沉積薄膜。貴州真空磁控濺射實驗室

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