射頻磁控濺射,又稱射頻磁控濺射,是一種制備薄膜的工藝,特別是在使用非導電材料時,薄膜是在放置在真空室中的基板上生長的。強大的磁鐵用于電離目標材料,并促使其以薄膜的形式沉淀在基板上。使用鉆頭的人射頻磁控濺射過程的第一步是將基片材料置于真空中真空室。然后空氣被移除,目標材料,即構成薄膜的材料,以氣體的形式釋放到腔室中。這種材料的粒子通過使用強大的磁鐵被電離。現在以等離子體的形式,帶負電荷的靶材料排列在基底上形成薄膜。薄膜的厚度范圍從幾個原子或分子到幾百個。磁鐵有助于加速薄膜的生長,因為對原子進行磁化有助于增加目標材料電離的百分比。電離原子更容易與薄膜工藝中涉及的其他粒子相互作用,因此更有可能在基底上沉積。這提高了薄膜工藝的效率,使它們能夠在較低的壓力下更快地生長。磁控濺射目前是一種應用十分普遍的薄膜沉積技術。吉林多功能磁控濺射
非平衡磁控濺射離子轟擊在鍍膜前可以起到清洗工件的氧化層和其他雜質,活化工件表面的作用,同時在工件表面上形成偽擴散層,有助于提高膜層與工件表面之間的結合力。在鍍膜過程中,載能的帶電粒子轟擊作用可達到膜層的改性目的。比如,離子轟擊傾向于從膜層上剝離結合較松散的和凸出部位的粒子,切斷膜層結晶態或凝聚態的優勢生長,從而生更致密,結合力更強,更均勻的膜層,并可以較低的溫度下鍍出性能優良的鍍層。非平衡磁控濺射技術的運用,使平衡磁控濺射遇到的沉積致密、成分復雜薄膜的問題得以解決。湖北雙靶材磁控濺射步驟真空磁控濺射涂層技術與真空蒸發涂層技術相比有許多優點。
磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當濺射產生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后,并不直接飛向陽極,而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。高能電子不斷與氣體分子發生碰撞并向后者轉移能量,使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子較終沿磁力線漂移到陰極附近的陽極而被吸收,避免高能電子對極板的強烈轟擊,消除了二極濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷,體現出磁控濺射中極板“低溫”的特點。由于外加磁場的存在,電子的復雜運動增加了電離率,實現了高速濺射。磁控濺射的技術特點是要在陰極靶面附件產生與電場方向垂直的磁場,一般采用永久磁鐵實現。
磁控濺射的優點:(1)基板有低溫性。相對于二級濺射和熱蒸發來說,磁控濺射加熱少。(2)有很高的沉積率。可濺射鎢、鋁薄膜和反應濺射TiO2、ZrO2薄膜。(3)環保工藝。磁控濺射鍍膜法生產效率高,沒有環境污染。(4)涂層很好的牢固性,濺射薄膜與基板,機械強度得到了改善,更好的附著力。(5)操作容易控制。鍍膜過程,只要保持壓強、電功率濺射條件穩定,就能獲得比較穩定的沉積速率。(6)成膜均勻。濺射的薄膜密度普遍提高。(7)濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學性能、電學性能及某些特殊性能。(8)濺射可連續工作,鍍膜過程容易自動控制,工業上流水線作業。真空室中裝有輝光放電的陰極,靶材就裝在此極表面上,接受離子轟擊。
高速率磁控濺射的一個固有的性質是產生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率。高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片,導致沉積過程中大量粒子的能量被轉移到生長薄膜上,引起沉積溫度明顯增加。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰極冷卻水中帶走,薄膜的較大濺射速率將受到濺射靶冷卻的限制。冷卻不但靠足夠的冷卻水循環,還要求良好的靶材導熱率及較薄膜的靶厚度。同時高速率磁控濺射中典型的靶材利用率只有20%~30%,因而提高靶材利用率也是有待于解決的一個問題。磁控濺射成為鍍膜工業主要方法之一。深圳高質量磁控濺射分類
高能脈沖磁控濺射技術是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產生濺射的一種磁控濺射技術。吉林多功能磁控濺射
磁控濺射靶材的應用領域:眾所周知,靶材材料的技術發展趨勢與下游應用產業的薄膜技術發展趨勢息息相關,隨著應用產業在薄膜產品或元件上的技術改進,靶材技術也應隨之變化。如Ic制造商.近段時間致力于低電阻率銅布線的開發,預計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜,這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發將刻不容緩。另外,近年來平面顯示器大幅度取代原以陰極射線管為主的電腦顯示器及電視機市場。亦將大幅增加ITO靶材的技術與市場需求。此外在存儲技術方面。高密度、大容量硬盤,高密度的可擦寫光盤的需求持續增加.這些均導致應用產業對靶材的需求發生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應用領域,以及這些領域靶材發展的趨勢。吉林多功能磁控濺射
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