光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業、LED及平板顯示行業的快速發展，未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時，國內光刻膠企業積極抓住中國晶圓制造擴產的百年機遇，發展光刻膠業務，力爭早日追上國際先進水平，打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產化公關正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領域，中國已經出現了一批有競爭力的本土企業。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產光刻膠距離國際先進水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經有一批光刻膠企業陸續實現了技術突破。廣東省科學院半導體研究所。光刻技術是借用照相技術、平板印刷技術的基礎上發展起來的半導體關鍵工藝技術。四川光刻服務

通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越短，加工分辨率越佳。靜態旋轉法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在襯底的中心，然后低速旋轉使得光刻膠鋪開，再以高速旋轉甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉的過程中，光刻膠中的溶劑會揮發一部分。靜態涂膠法中的光刻膠堆積量非常關鍵，量少了會導致光刻膠不能充分覆蓋硅片，量大了會導致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質量。動態噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大，靜態涂膠已經不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學院半導體研究所。福建光刻加工廠堅膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護下表面的能力。

光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮氣保護）目的：a、除去表面的污染物（顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子）；b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變為憎水性，增強表面的黏附性（對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。

光刻膠旋轉速度，速度越快，厚度越?。挥绊懝饪棠z均勻性的參數：旋轉加速度，加速越快越均勻；與旋轉加速的時間點有關。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關（因為不同級別的曝光波長對應不同的光刻膠種類和分辨率）：I-line較厚，約0.7～3μm；KrF的厚度約0.4～0.9μm；ArF的厚度約0.2～0.5μm。軟烘方法：真空熱板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶劑（4～7%）；增強黏附性；釋放光刻膠膜內的應力；防止光刻膠玷污設備；邊緣光刻膠的去除：光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。光刻版材質主要是兩種，一個是石英材質一個是蘇打材質，石英材料的透光率會比蘇打的透光率要高。

光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發單體聚合，較后生成聚合物；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經光照后,發生光分解反應，可以制成正性光刻膠；光交聯型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。動態噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大，靜態涂膠已經不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學院半導體研究所。接近式光刻機，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少。江西光刻加工廠商

光刻技術成為一種精密的微細加工技術。四川光刻服務

常用的光刻膠主要是兩種，正性光刻膠（positive photoresist）被曝光的部分會被顯影劑去除，負性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會被顯影劑去除。正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝，而負膠工藝主要應用于剝離工藝（lift-off）。光刻是微納加工當中不可或缺的工藝，主要是起到圖形化轉移的作用。常規的光刻分為有掩膜光刻和無掩膜光刻。無掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫光，有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對于有掩膜光刻，首先需要設計光刻版，常用的設計軟件有CAD、L-edit等軟件。四川光刻服務

廣東省科學院半導體研究所成立于2016-04-07，同時啟動了以芯辰實驗室,微納加工為主的微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務產業布局。旗下芯辰實驗室,微納加工在電子元器件行業擁有一定的地位，品牌價值持續增長，有望成為行業中的佼佼者。同時，企業針對用戶，在微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等幾大領域，提供更多、更豐富的電子元器件產品，進一步為全國更多單位和企業提供更具針對性的電子元器件服務。廣東省半導體所始終保持在電子元器件領域優先的前提下，不斷優化業務結構。在微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等領域承攬了一大批高精尖項目，積極為更多電子元器件企業提供服務。