真空鍍膜：可鍍材料普遍：離子鍍由于是利用高能離子轟擊工件表面，使大量的電能在工件表面轉換成熱能，從而促進了表層組織的擴散作用和化學反應。然而，整個工件，特別是工件心部并未受到高溫的影響。因此這種鍍膜工藝的應用范圍較廣，受到的局限性則較小。通常，各種金屬、合金以及某些合成材料、絕緣材料、熱敏材料和高熔點材料等均可鍍復。即可在金屬工件上鍍非金屬或金屬，也可在非金屬上鍍金屬或非金屬，甚至可鍍塑料、橡膠、石英、陶瓷等。真空鍍膜技術有真空束流沉積鍍膜。馬鞍山真空鍍膜儀

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。同時，物理的氣相沉積技術由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下。化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。馬鞍山真空鍍膜儀真空鍍膜中離子鍍的鍍層厚度均勻。

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：激光束蒸發源蒸鍍技術是一種比較理想的薄膜制備方法,利用激光器發出高能量的激光束,經聚焦照射到鍍料上,使之受熱氣化。激光器可置于真空室外,避免了蒸發器對鍍材的污染,使膜層更純潔。同時聚焦后的激光束功率很高,可使鍍料達到極高的溫度,從而蒸發任何高熔點的材料,甚至可以使某些合金和化合物瞬時蒸發,從而獲得成分均勻的薄膜。真空蒸鍍法具有設備簡單,節約金屬原材料,沉積Ti金屬及其氧化物、合金鍍層等,表面附著均勻,生產周期短,對環境友好,可大規模生產等突出優點。

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮氣作為反應氣體，反應能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調整，薄膜內組分也能相應調整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進行濺射；2.采用閉環控制反應氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線，使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。真空鍍膜機的優點:對印刷、復合等后加工具有良好的適應性。

等離子體化學氣相沉積法，利用了等離子體的活性來促進反應，使化學反應能在較低的溫度下進行。優點是：反應溫度降低，沉積速率較快，成膜質量好，不容易破裂。缺點是：設備投資大、對氣管有特殊要求。PECVD，等離子體化學氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，使局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，兩種或多種氣體很容易發生反應，在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因此，這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積。真空鍍膜有離子鍍形式。馬鞍山真空鍍膜儀

真空鍍膜機、真空鍍膜設備多弧離子鍍膜產品質量的高低是針對某種加工對象和滿足其要求的。馬鞍山真空鍍膜儀

真空鍍膜：離子鍍：離子鍍基本原理是在真空條件下，采用某種等離子體電離技術，使鍍料原子部分電離成離子，同時產生許多高能量的中性原子，在被鍍基體上加負偏壓。這樣在深度負偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。離子鍍借助于惰性氣體輝光放電，使鍍料（如金屬鈦）氣化蒸發離子化，離子經電場加速，以較高能量轟擊工件表面，此時如通入二氧化碳、氮氣等反應氣體，便可在工件表面獲得TiC、TiN覆蓋層，硬度高達2000HV。離子鍍技術較早在1963年由D。M。Mattox提出。1972年，Bunshah&Juntz推出活性反應蒸發離子鍍(AREIP)，該方法可以沉積TiN、TiC等超硬膜。1972年Moley&Smith發展完善了空心熱陰極離子鍍，1973年又發展出射頻離子鍍(RFIP)。20世紀80年代又發展出磁控濺射離子鍍(MSIP)和多弧離子鍍(MAIP)。離子鍍是物理的氣相沉積方法中應用較普遍的一種鍍膜工藝。馬鞍山真空鍍膜儀

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