磁控濺射是在外加電場的兩極之間引入一個磁場。這個磁場使得電子受到洛倫茲力的束縛作用，其運動路線受到控制，因此大幅度增加了電子與Ar分子（原子）碰撞的幾率，提高了氣體分子的電離程度，從而使濺射效率得到很大的提升。濺射現象自發現以來己被普遍應用在多種薄膜的制備中，如制備金屬、半導體、合金、氧化物以及化合物半導體等。磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。磁控濺射在技術上可以分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射。磁控濺射具有設備簡單、易于控制、涂覆面積大、附著力強等優點。山東脈沖磁控濺射用處

PVD技術特征如下：在真空室內充入放電所需要的惰性氣體，在高壓電場作用下氣體分子因電離而產生大量正離子。帶電離子被強電場加速，便形成高能量的離子流轟擊蒸發源材料。在離子轟擊下，蒸發源材料的原子將離開固體表面，以高速度濺射到基片上并沉積成薄膜。RF濺射：RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進行濺射。RF濺射不只可以沉積金屬膜，而且可以沉積多種材料的絕緣介質膜，因而使用范圍較廣。電弧離子鍍：陰極弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態，從而完成薄膜材料的沉積，該技術材料的離化率更高，薄膜性能更加優異。浙江高溫磁控濺射儀器磁控濺射是在外加電場的兩極之間引入一個磁場。

磁控濺射靶材的應用領域如下：眾所周知，靶材材料的技術發展趨勢與下游應用產業的薄膜技術發展趨勢息息相關，隨著應用產業在薄膜產品或元件上的技術改進，靶材技術也應隨之變化。如Ic制造商．近段時間致力于低電阻率銅布線的開發，預計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發將刻不容緩。另外，近年來平面顯示器大幅度取代原以陰極射線管為主的電腦顯示器及電視機市場。亦將大幅增加ITO靶材的技術與市場需求。此外在存儲技術方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫光盤的需求持續增加．這些均導致應用產業對靶材的需求發生變化。

磁控濺射設備的主要用途：1、各種功能性薄膜。如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉換效率。2、裝飾領域的應用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。3、在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣相沉積（CVD）或金屬有機。4、化學氣相沉積（CVD）生長困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。5、在光學領域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術也已在光學薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面得到應用。特別是透明導電玻璃普遍應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。6、在機械加工行業中，表面功能膜、超硬膜，自潤滑薄膜的表面沉積技術自問世以來得到長足發展，能有效的提高表面硬度、復合韌性、耐磨損性和抗高溫化學穩定性能，從而大幅度地提高涂層產品的使用壽命。濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學性能、電學性能及某些特殊性能。

磁控濺射的基本原理是利用Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉移到基體表面而成膜。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。磁控濺射設備一般根據所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。直流磁控濺射的特點是在陽極基片和陰極靶之間加一個直流電壓，陽離子在電場的作用下轟擊靶材，它的濺射速率一般都比較大。磁鐵有助于加速薄膜的生長，因為對原子進行磁化有助于增加目標材料電離的百分比。上海多層磁控濺射鍍膜

有些鍍膜要用到射頻電源，如功率大，需做好屏蔽處理。山東脈沖磁控濺射用處

磁控濺射靶材鍍膜過程中，影響靶材鍍膜沉積速率的因素：濺射電流。磁控靶的濺射電流與濺射靶材表面的離子電流成正比，因此也是影響濺射速率的重要因素。磁控濺射有一個普遍規律，即在較佳氣壓下沉積速度較快。因此，在不影響薄膜質量和滿足客戶要求的前提下，從濺射良率考慮氣體壓力的較佳值是合適的。改變濺射電流有兩種方法：改變工作電壓或改變工作氣體壓力。濺射功率：濺射功率對沉積速率的影響類似于濺射電壓。一般來說，提高磁控靶材的濺射功率可以提高成膜率。然而，這并不是一個普遍的規則。在磁控靶材的濺射電壓低，濺射電流大的情況下，雖然平均濺射功率不低，但離子不能被濺射，也不能沉積。前提是要求施加在磁控靶材上的濺射電壓足夠高，使工作氣體離子在陰極和陽極之間的電場中的能量足夠大于靶材的"濺射能量閾值"。山東脈沖磁控濺射用處

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