介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅。干法刻蝕優點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是：成本高，設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式比較多，一般有：濺射與離子束銑蝕，等離子刻蝕（PlasmaEtching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。干法刻蝕優點是：細線條操作安全。深圳龍華刻蝕加工廠

典型的硅刻蝕是用含氮的物質與氫氟酸的混合水溶液。這一配比規則在控制刻蝕中成為一個重要的因素。在一些比率上，刻蝕硅會有放熱反應。加熱反應所產生的熱可加速刻蝕反應，接下來又產生更多的熱，這樣進行下去會導致工藝無法控制。有時醋酸和其他成分被混合進來控制加熱反應。一些器件要求在晶圓上刻蝕出槽或溝。刻蝕配方要進行調整以使刻蝕速率依靠晶圓的取向。取向的晶圓以45°角刻蝕，取向的晶圓以“平”底刻蝕。其他取向的晶圓可以得到不同形狀的溝槽。多晶硅刻蝕也可用基本相同的規則。深圳寶安鎳刻蝕干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學反應兩部份刻蝕機制。

溫度越高刻蝕效率越高，但是溫度過高工藝方面波動就比較大，只要通過設備自帶溫控器和點檢確認。刻蝕流片的速度與刻蝕速率密切相關噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢，流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻。過刻量即測蝕量，適當增加測試量可有效控制刻蝕中的點狀不良作業數量管控：每天對生產數量及時記錄，達到規定作業片數及時更換。作業時間管控：由于藥液的揮發，所以如果在規定更換時間未達到相應的生產片數藥液也需更換。首片和抽檢管控：作業時需先進行首片確認，且在作業過程中每批次進行抽檢（時間間隔約25min）。1、大面積刻蝕不干凈：刻蝕液濃度下降、刻蝕溫度變化。2、刻蝕不均勻：噴淋流量異常、藥液未及時沖洗干凈等。3、過刻蝕：刻蝕速度異常、刻蝕溫度異常等。在硅材料刻蝕當中，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕。

刻蝕原理介紹：主要工藝參數刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良的產生原因單擊此處編輯母版標題樣式單擊此處編輯母版標題樣式刻蝕工藝介紹。刻蝕原理介紹刻蝕主要工藝參數刻蝕液更換頻率的管控刻蝕不良原因分析刻蝕是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護的Metal/ITO膜通過化學反應去除掉，較終形成制程所需要的圖形。刻蝕種類目前我司的刻蝕種類主要分兩種：1、Metal刻蝕刻蝕液主要成分：磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal：合金金屬2、ITO刻蝕刻蝕液主要成分：鹽酸、硝酸、水。ITO：氧化銦錫（混合物）Metal刻蝕前后：ITO刻蝕前后：刻蝕前后對比照片12345刻蝕液濃度刻蝕溫度刻蝕速度噴淋流量過刻量刻蝕液的濃度對刻蝕效果影響較大，所以我們主要通過：來料檢驗、首片確認、定期更換的方法來保證。半導體材料刻蝕加工廠當需要處理多層薄膜時，以及刻蝕中必須精確停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時。綜合型干刻蝕法綜合離子濺射與表面反應的優點，使刻蝕具有較好的選擇比和線寬控制。

在氧化物中開窗口的過程，可能導致氧化物—硅界面層附近的Si0處發生鉆蝕。在極端情況下，可以導致氧化物層的脫落。在淺擴散高速晶體管的制造中有時會遇到這一問題。薄膜材料刻蝕所用的化學物與溶解這一類物體的材料是相同的，其作用是將材料轉變成可溶性的鹽或復合物。對于每種材料，都有多種刻蝕化學物可選用，它們的特性取決于膜的參數(如膜的微結構、疏松度和膜的形成過程)，同時也取決于所提供的前加工過程的性質。它一般有下述特點：(1)膜材料比相應的體材料更容易刻蝕。因此，必須用稀釋的刻蝕劑，以便控制刻蝕速率。(2)受照射的膜一般將被迅速刻蝕。這種情況，包括離子注入的膜，電子束蒸發生成的膜，甚至前工序中曾在電子束蒸發環境中受照射的膜。而某些光刻膠受照射則屬于例外，因為這是由于聚合作用而變得更難刻蝕的緣故。負性膠就是一例。(3)內應力大的膜將迅速被刻蝕。膜的應力通常由沉積溫度、沉積技術和基片溫度所控制。(4)微觀結構差的薄膜，包括多孔膜和疏松結構的膜，將被迅速刻蝕。這樣的膜，常可以通過高于生長溫度的熱處理使其致密化。鈍化層基本的刻蝕劑是氫氟酸，它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優點干法刻蝕優點是：無化學廢液。鄭州反應離子束刻蝕

浸沒光刻和雙重光刻技術在不改變193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數量級。深圳龍華刻蝕加工廠

刻蝕工藝：把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中，經過掩模套準、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產生圖形，然后把此圖形精確地轉移到抗蝕劑下面的介質薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案。刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕；濕法刻蝕主要是利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕。深圳龍華刻蝕加工廠

廣東省科學院半導體研究所正式組建于2016-04-07，將通過提供以微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等服務于于一體的組合服務。是具有一定實力的電子元器件企業之一，主要提供微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等領域內的產品或服務。我們在發展業務的同時，進一步推動了品牌價值完善。隨著業務能力的增長，以及品牌價值的提升，也逐漸形成電子元器件綜合一體化能力。廣東省半導體所始終保持在電子元器件領域優先的前提下，不斷優化業務結構。在微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等領域承攬了一大批高精尖項目，積極為更多電子元器件企業提供服務。