電子束蒸發與熱蒸發的區別在于：電子束蒸發是用一束電子轟擊物體，產生高能量進行蒸發， 熱蒸發通過加熱完成這一過程。與熱蒸發相比，電子束蒸發提供了高能量；但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的。在這種情況下，帶有厚度監控器的良好熱蒸發器將更合適。 與熱蒸發相比，電子束蒸發具有許多優點 1、電子束蒸發可以將材料加熱到比熱蒸發更高的溫度。這允許高溫材料和難熔金屬（例如鎢、鉭或石墨）的非常高的沉積速率和蒸發。 2、電子束蒸發可以沉積更薄、純度更高的薄膜。坩堝的水冷將電子束加熱嚴格限制在由源材料占據的區域，從而消除了相鄰組件的任何不必要的污染。 3、電子束蒸發源有各種尺寸和配置，包括單腔或多腔。源或靶的不斷改進，擴大了真空鍍膜材料的選用范圍。湖州真空鍍膜涂料

電子束蒸發是目前真空鍍膜技術中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中鎢舟材料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。同時在同一蒸發沉積裝置中可以安置多個坩堝，實現同時或分別蒸發，沉積多種不同的物質。通過電子束蒸發，任何材料都可以被蒸發，不同材料需要采用不同類型的坩堝以獲得所要達到的蒸發速率。在高真空下，電子燈絲加熱后發射熱電子，被加速陽極加速，獲得很大的動能轟擊到的蒸發材料上，把動能轉化成熱使蒸發材料加熱氣化，而實現蒸發鍍膜。電子束蒸發源由發射電子的熱陰極、電子加速極和作為陽極的鍍膜材料組成。電子束蒸發源的能量可高度集中，使鍍膜材料局部達到高溫而蒸發。通過調節電子束的功率，可以方便的控制鍍膜材料的蒸發速率，特別是有利于高熔點以及高純金屬和化合物材料。連云港光學真空鍍膜真空鍍膜在鋼材、鎳、鈾、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能。

原子層沉積過程由A、B兩個半反應分四個基元步驟進行：1）前驅體A脈沖吸附反應；2）惰氣吹掃多余的反應物及副產物；3）前驅體B脈沖吸附反應；4）惰氣吹掃多余的反應物及副產物，然后依次循環從而實現薄膜在襯底表面逐層生長。基于原子層沉積的原理，利用原子層沉積制備高質量薄膜材料，三大要素必不可少：1）前驅體需滿足良好的揮發性、足夠的反應活性以及一定熱穩定性，前驅體不能對薄膜或襯底具有腐蝕或溶解作用；2）前驅體脈沖時間需保證單層飽和吸附；3）沉積溫度應保持在ALD窗口內，以避免因前驅體冷凝或熱分解等引發CVD生長從而使得薄膜不均勻。

真空鍍膜：反應性離子鍍：如果采用電子束蒸發源蒸發，在坩堝上方加20V～100V的正偏壓。在真空室中導入反應性氣體，如氮氣、氧氣、乙炔、甲烷等反應性氣體代替氬氣，或在此基礎上混入氬氣。電子束中的高能電子可以達到幾千至幾萬電子伏特的能量，不僅可以使鍍料熔化蒸發，而且能在熔化的鍍料表面激勵出二次電子。二次電子在上方正偏壓作用下加速，與鍍料蒸發中性粒子發生碰撞而電離成離子，在工件表面發生離化反應，從而獲得氧化物（如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等）。其特點是沉積率高，工藝溫度低。真空鍍膜的操作規程：工作完畢應斷電、斷水。

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：在射頻電壓下,利用電子和離子運動特征的不同,在靶表面感應出負的直流脈沖,從而產生濺射的射頻濺射。這種技術Z早由1965年IBM公司研制,對絕緣體也可以濺射鍍膜。為了在更高的真空范圍內提高濺射沉積速率,不是利用導入是氬氣,而是通過部分被濺射的原子(如Cu)自身變成離子,對靶產生濺射實現鍍膜的自濺射鍍膜技術。在高真空下,利用離子源發出的離子束對靶濺射,實現薄膜沉積的離子束濺射。其中由二極濺射發展而來的磁控濺射技術,解決了二極濺射鍍膜速度比蒸鍍慢得多、等離子體的離化率低和基片的熱效應等明顯問題。磁控濺射是現在用于鈦膜材料的制備Z為普遍的一種真空等離子體技術,實現了在低溫、低損傷的條件下高速沉積。自2001年以來,廣大的科技研究者致力于這方面的研究,成果顯著。真空鍍膜離子鍍中不同的蒸發源與不同的電離或激發方式可以有多種不同的組合。福州真空鍍膜工藝流程

化學氣相沉積是真空鍍膜技術的一種。湖州真空鍍膜涂料

電子束蒸發是基于鎢絲的蒸發.大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲(位于沉積區域外以避免污染)并將其加熱到發生電子熱離子發射的點.使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發材料(放置在坩堝中).在電子束撞擊蒸發丸表面的過程中,其動能轉化為熱量,釋放出高能量(每平方英寸數百萬瓦以上).因此,容納蒸發材料的爐床必須水冷以避免熔化.電子束蒸發與熱蒸發的區別在于:電子束蒸發是用一束電子轟擊物體,產生高能量進行蒸發, 熱蒸發通過加熱完成這一過程.與熱蒸發相比,電子束蒸發提供了高能量;但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的.在這種情況下,帶有厚度監控器的良好熱蒸發器將更合適。湖州真空鍍膜涂料

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