納米壓印技術分為三個步驟。第一步是模板的加工。一般使用電子束刻蝕等手段，在硅或其他襯底上加工出所需要的結構作為模板。由于電子的衍射極限遠小于光子，因此可以達到遠高于光刻的分辨率。第二步是圖樣的轉移。在待加工的材料表面涂上光刻膠，然后將模板壓在其表面，采用加壓的方式使圖案轉移到光刻膠上。注意光刻膠不能被全部去除，防止模板與材料直接接觸，損壞模板。第三步是襯底的加工。用紫外光使光刻膠固化，移開模板后，用刻蝕液將上一步未完全去除的光刻膠刻蝕掉，露出待加工材料表面，然后使用化學刻蝕的方法進行加工，完成后去除全部光刻膠，然后得到高精度加工的材料。微納加工涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發展方向是微納器件與系統（MEMS）。攀枝花電子微納加工

ICP刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結合的復雜過程。刻蝕GaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產生活性的Ga和N原子，氮原子相互結合容易析出氮氣，Ga原子和Cl離子生成容易揮發的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。雅安半導體微納加工微納加工設備主要有：光刻、刻蝕、鍍膜、濕法腐蝕、絕緣層鍍膜等！

微納測試與表征技術是微納加工技術的基礎與前提，微納測試包括在微納器件的設計、制造和系統集成過程中，對各種參量進行微米/納米檢測的技術。微米測量主要服務于精密制造和微加工技術，目標是獲得微米級測量精度，或表征微結構的幾何、機械及力學特性；納米測量則主要服務于材料工程和納米科學，特別是納米材料，目標是獲得材料的結構、地貌和成分的信息。在半導體領域人們所關心的與尺寸測量有關的參數主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來，微納測試與表征技術正朝著從二維到三維、從表面到內部、從靜態到動態、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發展。探索新的測量原理、測試方法和表征技術，發展微納加工及制造實時在線測試方法和微納器件質量快速檢測系統已成為了微納測試與表征的主要發展趨勢。

由于納米壓印技術的加工過程不使用可見光或紫外光加工圖案，而是使用機械手段進行圖案轉移，這種方法能達到很高的分辨率。報道的很高分辨率可達2納米。此外，模板可以反復使用，無疑極大降低了加工成本，也有效縮短了加工時間。因此，納米壓印技術具有超高分辨率、易量產、低成本、一致性高的技術優點，被認為是一種有望代替現有光刻技術的加工手段。納米壓印技術已經有了許多方面的進展。起初的納米壓印技術是使用熱固性材料作為轉印介質填充在模板與待加工材料之間，轉移時需要加高壓并加熱來使其固化。微納加工可以實現對微小尺寸物體的加工和制造。

什么是微納加工？微納加工技術的應用非常普遍。在電子領域，微納加工技術可以用于制造集成電路、傳感器、光電器件等。在光學領域，微納加工技術可以用于制造光學器件、光纖等。在生物醫學領域，微納加工技術可以用于制造生物芯片、藥物傳遞系統等。在能源領域，微納加工技術可以用于制造太陽能電池、燃料電池等。微納加工技術的發展對科學研究和工業生產都有重要意義。在科學研究方面，微納加工技術可以幫助科學家們研究材料的微觀結構和性質，揭示微觀世界的奧秘。在工業生產方面，微納加工技術可以幫助企業提高產品的性能和質量，降低生產成本，提高競爭力。在硅材料刻蝕當中，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕！雅安半導體微納加工

微納加工可以實現對微觀結構的制造和調控。攀枝花電子微納加工

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。攀枝花電子微納加工