真空鍍膜：真空蒸鍍基本工藝鍍前處理：包括清洗鍍件和預處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。具體預處理有除靜電，涂底漆等。裝爐：包括真空室清理及鍍件掛具的清洗，蒸發源安裝、調試、鍍件褂卡。抽真空：一般先粗抽至6。6Pa以上，更早打開擴散泵的前級維持真空泵，加熱擴散泵。待預熱足夠后，打開高閥，用擴散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤：將鍍件烘烤加熱到所需溫度。離子轟擊：真空度一般在10Pa～10-1Pa，離子轟擊電壓200V～1kV負高壓，離擊時間為5min～30min,預熔：調整電流使鍍料預熔，除氣1min～2min。蒸發沉積：根據要求調整蒸發電流，直到所需沉積時間結束。冷卻：鍍件在真空室內冷卻到一定溫度。出爐：取件后，關閉真空室，抽真空至1×10-1Pa，擴散泵冷卻到允許溫度，才可關閉維持泵和冷卻水。后處理：涂面漆等。離子鍍是真空鍍膜技術的一種。蚌埠真空鍍膜加工

為了獲得性能良好的半導體電極Al膜，我們通過優化工藝參數，制備了一系列性能優越的Al薄膜。通過理論計算和性能測試，分析比較了電子束蒸發與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點。考慮Al膜的致密性就相當于考慮Al膜的晶粒的大小，密度以及能達到均勻化的程度，因為它也直接影響Al膜的其它性能，進而影響半導體嘩啦的性能。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環于基片溫度、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學活性等因素。蚌埠真空鍍膜加工真空鍍膜機真空壓鑄鈦鑄件的方法與標準的壓鑄工藝一樣。

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：激光束蒸發源蒸鍍技術是一種比較理想的薄膜制備方法,利用激光器發出高能量的激光束,經聚焦照射到鍍料上,使之受熱氣化。激光器可置于真空室外,避免了蒸發器對鍍材的污染,使膜層更純潔。同時聚焦后的激光束功率很高,可使鍍料達到極高的溫度,從而蒸發任何高熔點的材料,甚至可以使某些合金和化合物瞬時蒸發,從而獲得成分均勻的薄膜。真空蒸鍍法具有設備簡單,節約金屬原材料,沉積Ti金屬及其氧化物、合金鍍層等,表面附著均勻,生產周期短,對環境友好,可大規模生產等突出優點。

真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空條件下，利用獲得功能的粒子（如氬離子）轟擊靶材料表面，使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過程稱為濺射。在真空條件下充入氬氣(Ar)，并在高電壓下使氬氣進行輝光放電，可使氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+)。氬離子在電場力的作用下，加速轟擊以鍍料制作的陰極靶材，靶材會被濺射出來而沉積到工件表面。被濺射的靶材沉積到基材表面，就稱作濺射鍍膜。濺射鍍膜中的入射離子，一般采用輝光放電獲得，在10-2Pa～10Pa范圍。各種真空鍍膜技術都需要有一個蒸發源或靶子。

真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：活性反應蒸鍍法(ABE)。利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣、乙炔等反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品、電子器件、裝飾品。空心陰極離子鍍(HCD)。利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質膜、化合物膜；可用于鍍裝飾鍍層、機械制品。真空鍍膜機爐體與爐門為了充分利用爐體的內部空間，減輕真空系統的負載。蚌埠真空鍍膜加工

真空鍍膜機新型表面功能覆層技術，其特點是保持基體材料固有的特征，又賦予表面化所要求的各種性能.蚌埠真空鍍膜加工

真空鍍膜：反應磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業大規模生產的要求來看，物理的氣相沉積中的反應磁控濺射沉積技術具有明顯的優勢，因而被普遍應用，這是因為：反應磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應氣體(氧、氮、碳氫化合物等)通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應磁控濺射中調節沉積工藝參數，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節薄膜的組成來調控薄膜特性的目的。蚌埠真空鍍膜加工