真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。蒸發物質的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。湛江光學真空鍍膜

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發的鍍料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結形成固體薄膜的技術。根據蒸發源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發源、電子束蒸發源、高頻感應蒸發源及激光束蒸發源蒸鍍法。電阻蒸發源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發舟,利用電流的焦耳熱是鍍料熔化、蒸發或升華。這種方式結構簡單,造價低廉,使用相當普遍。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負載TiO2織物,紫外線透過率都比未負載的純棉織物的低,具有好的抗紫外線性能,制備TiO2薄膜時,膜層較均勻,當在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦、鎳鈦合金等裝飾薄膜,裝飾效果,光學、耐磨、耐蝕性能良好。湛江光學真空鍍膜真空鍍膜的操作規程：在離子轟擊和蒸發時，應特別注意高壓電線接頭，不得觸動，以防觸電。

真空蒸發鍍膜是在真空室中，加熱蒸發容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到襯底或者基片表面，凝結形成固態薄膜的方法。真空蒸發鍍膜法，設備比較簡單、容易操作、制成的薄膜純度高、質量好、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在一定溫度下，在真空當中，蒸發物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現出的壓力， 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發物表面液相、氣相處于動態平衡，即到達液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都氣相的分子數相等。物質的飽和蒸氣壓隨溫度的上升而增大，在一定溫度下，各種物質的飽和蒸氣壓不相同，且具有恒定的數值。相反，一定的飽和蒸氣壓必定對應一定的物質的溫度。

真空鍍膜：近些年來出現的新方法：除蒸發法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優缺點，取長補短，發展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術結合了蒸發鍍的高效和濺射鍍的高性能特點，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優點。高效率等離子體濺射(HighTargetUtilizationPlasmaSputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統。這種離子體源裝置在真空室的側面。該等離子體束在電磁場的作用下被引導到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實現高效可控的等離子體濺射。等離子體發生裝置與真空室的分離設計是實現濺射工藝參數寬范圍可控的關鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應用能確定工藝參數較優化。與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環不同，HiTUS系統由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對靶的材料實現各個方面積均勻。真空鍍膜機的優點:可以通過涂料處理形成彩色膜，其裝潢效果是鋁箔所不及的。

原子層沉積(atomiclayer deposition，ALD)技術，亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技術，是一種基于有序、表面自飽和反應的化學氣相薄膜沉積技術。原子層沉積技術起源于上世紀六七十年代，由前蘇聯科學家Aleskovskii和Koltsov報道，隨后，基于電致發光薄膜平板顯示器對高質量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發展并完善。然而，受限于其復雜的表面化學過程等因素，原子層沉積技術在開始并沒有取得較大發展，直到上世紀九十年代，隨著半導體工業的興起，對各種元器件尺寸，集成度等方面的要求越來越高，原子層沉積技術才迎來發展的黃金階段。進入21世紀，隨著適應各種制備需求的商品化ALD儀器的研制成功，無論在基礎研究還是實際應用方面，原子層沉積技術都受到人們越來越多的關注。真空鍍膜機的優點:具有優良的耐折性和良好的韌性，比較少出現小孔和裂口。電子束蒸發真空鍍膜公司

真空鍍膜是一種由物理方法產生薄膜材料的技術。湛江光學真空鍍膜

電子束蒸發與熱蒸發的區別在于：電子束蒸發是用一束電子轟擊物體，產生高能量進行蒸發， 熱蒸發通過加熱完成這一過程。與熱蒸發相比，電子束蒸發提供了高能量；但將薄膜的厚度控制在 5nm 量級將是困難的。在這種情況下，帶有厚度監控器的良好熱蒸發器將更合適。 與熱蒸發相比，電子束蒸發具有許多優點 1、電子束蒸發可以將材料加熱到比熱蒸發更高的溫度。這允許高溫材料和難熔金屬（例如鎢、鉭或石墨）的非常高的沉積速率和蒸發。 2、電子束蒸發可以沉積更薄、純度更高的薄膜。坩堝的水冷將電子束加熱嚴格限制在由源材料占據的區域，從而消除了相鄰組件的任何不必要的污染。 3、電子束蒸發源有各種尺寸和配置，包括單腔或多腔。湛江光學真空鍍膜