利用PECVD生長的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜，適合批量生長2.可在低溫下成膜，對基底要求比較低3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長方法階段 5.應用范圍廣，設備簡單，易于產業(yè)化。評價氧化硅薄膜的質量，簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質量比較差。真空鍍膜在所有被鍍材料中，以塑料較為常見。UV真空鍍膜工藝

真空鍍膜的方法：化學氣相沉積：化學氣相沉積是一種化學生長方法,簡稱CVD(ChemicalVaporDeposition)技術。這種方法是把含有構成薄膜元素的一種或幾種化合物的單質氣體供給基片,利用加熱、等離子體、紫外光乃至激光等能源,借助氣相作用或在基片表面的化學反應(熱分解或化學合成)生成要求的薄膜。真空鍍鈦的CVD法中Z常用的就是等離子體化學氣相沉積(PCVD)。利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體經一系列化學反應和等離子體反應,在樣品表面形成固態(tài)薄膜。宜賓新型真空鍍膜從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時發(fā)生電離。

真空鍍膜技術與濕式鍍膜技術相比較，具有下列優(yōu)點：薄膜和基體選材普遍，薄膜厚度可進行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。在真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。干式鍍膜既不產生廢液，也無環(huán)境污染。真空鍍膜技術主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學氣相沉積等多種方法。除化學氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點：各種鍍膜技術都需要一個特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質的不良影響。

真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個弧斑存在極短時間，爆發(fā)性地蒸發(fā)離化陰極改正點處的鍍料，蒸發(fā)離化后的金屬離子，在陰極表面也會產生新的弧斑，許多弧斑不斷產生和消失，所以又稱多弧蒸發(fā)。較早設計的等離子體加速器型多弧蒸發(fā)離化源，是在陰極背后配置磁場，使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾(Hall)加速對應效應，有利于離子增大能量轟擊量體，采用這種電弧蒸發(fā)離化源鍍膜，離化率較高，所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產生多弧斑，所以也稱多弧蒸發(fā)離化過程。真空鍍膜鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞以及高壓電場后，高速沖向工件。

真空鍍膜：真空蒸鍍是在真空條件下，將鍍料靶材加熱并蒸發(fā)，使大量的原子、分子氣化并離開液體鍍料或離開固體鍍料表面（或升華），并較終沉積在基體表面上的技術。在整個過程中，氣態(tài)的原子、分子在真空中會經過很少的碰撞而直接遷移到基體，并沉積在基體表面形成薄膜。蒸發(fā)的方法包括電阻加熱，高頻感應加熱，電子束、激光束、離子束高能轟擊鍍料等。真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術。將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化，這種加熱裝置稱為蒸發(fā)源。較常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源，特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應加熱、電弧加熱、輻射加熱、激光加熱蒸發(fā)源等。真空鍍膜是一種由物理方法產生薄膜材料的技術。廈門真空鍍膜儀

真空鍍膜的鍍層質量好。UV真空鍍膜工藝

原子層沉積(atomiclayer deposition，ALD)技術，亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy，ALE）技術，是一種基于有序、表面自飽和反應的化學氣相薄膜沉積技術。原子層沉積技術起源于上世紀六七十年代，由前蘇聯科學家Aleskovskii和Koltsov報道，隨后，基于電致發(fā)光薄膜平板顯示器對高質量ZnS: Mn薄膜材料的需求，由芬蘭Suntalo博士發(fā)展并完善。然而，受限于其復雜的表面化學過程等因素，原子層沉積技術在開始并沒有取得較大發(fā)展，直到上世紀九十年代，隨著半導體工業(yè)的興起，對各種元器件尺寸，集成度等方面的要求越來越高，原子層沉積技術才迎來發(fā)展的黃金階段。進入21世紀，隨著適應各種制備需求的商品化ALD儀器的研制成功，無論在基礎研究還是實際應用方面，原子層沉積技術都受到人們越來越多的關注。UV真空鍍膜工藝