真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發的鍍料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結形成固體薄膜的技術。根據蒸發源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發源、電子束蒸發源、高頻感應蒸發源及激光束蒸發源蒸鍍法。電阻蒸發源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發舟,利用電流的焦耳熱是鍍料熔化、蒸發或升華。這種方式結構簡單,造價低廉,使用相當普遍。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負載TiO2織物,紫外線透過率都比未負載的純棉織物的低,具有好的抗紫外線性能,制備TiO2薄膜時,膜層較均勻,當在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦、鎳鈦合金等裝飾薄膜,裝飾效果,光學、耐磨、耐蝕性能良好。真空鍍膜技術有真空束流沉積鍍膜。納米涂層真空鍍膜涂料

原子層沉積技術憑借其獨特的表面化學生長原理、亞納米膜厚的精確控制性以及適合復雜三維高深寬比表面沉積，自截止生長等特點，特別適合薄層薄膜材料的制備。例如：S.F. Bent等人利用十八烷基磷酸鹽（ODPA）對Cu的選擇性吸附，在預先吸附有ODPA分子的襯底表面進行ALD沉積Al2O3，有效避免了Al2O3在Cu表面沉積，從而得到被高k絕緣材料Al2O3所間隔的空間選擇性暴露表面Cu的薄膜材料。此外，電鏡照片表明該沉積方法的區域選擇性得到了有效保證。上海小家電真空鍍膜真空鍍膜中制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相沉積方法。

真空鍍膜：等離子體增強化學氣相沉積：在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強化學氣相沉積是：在化學氣相沉積中，激發氣體，使其產生低溫等離子體，增強反應物質的化學活性，從而進行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應室內將基體材料置于陰極上，通入反應氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應氣體得到活化，同時基體表面產生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學反應，還存在著復雜的等離子體化學反應。沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下形成的。激發輝光放電的方法主要有：射頻激發，直流高壓激發，脈沖激發和微波激發。

電子束蒸發是基于鎢絲的蒸發。大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲（位于沉積區域外以避免污染）并將其加熱到發生電子熱離子發射的點。使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發材料（放置在坩堝中）。在電子束撞擊蒸發丸表面的過程中，其動能轉化為熱量，釋放出高能量（每平方英寸數百萬瓦以上）。因此，容納蒸發材料的爐床必須水冷以避免熔化。電子束蒸發設備結構簡單，成本低廉，而且可以蒸發高熔點材料，在蒸鍍合金時可以實現快速蒸發，避免合金的分餾，其鍍膜質量也可以達到較高水平，可以廣泛應用于激光器腔面鍍膜以及玻璃等各種光學材料表面鍍膜，是一種可易于實現大批量生產的成熟鍍膜技術。真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件表面而形成薄膜的一種方法。

真空鍍膜：反應磁控濺射法：反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現單機年產上百萬平方米鍍膜的工業化生產。但是反應磁控濺射在20世紀90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應用發展。真空鍍膜技術是利用物理、化學手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜。湖北EB真空鍍膜

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真空鍍膜：離子鍍膜法：目前比較常用的組合方式有：直流二極型(DCIP)。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；被鍍基體作為陰極，利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應氣體)離化。這種方法的特點是：基板溫升大、繞射性好、附著性好，膜結構及形貌差，若用電子束加熱必須用差壓板；可用于鍍耐腐蝕潤滑機械制品。多陰極型。利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠熱電子、陰極發射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，有時需要對基板加熱；可用于鍍精密機械制品、電子器件裝飾品。納米涂層真空鍍膜涂料