隨著光刻膠技術的進步，只需要一次涂膠，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。浸沒光刻和雙重光刻技術在不改變193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數量級。與此同時，這兩項技術對光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中；光刻膠首先不能與浸沒液體發生化學反應或浸出擴散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達到1.9以上；接著，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續的烘烤過程中發生形變，影響加工精度；較后，當浸沒工藝目標分辨率接近10nm時，將對于光刻膠多個性能指標的權衡都提出了更加苛刻的挑戰。浸沒ArF光刻膠制備難度大于干性ArF光刻膠，是ArF光刻加工分辨率突破45nm的關鍵之一。光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉速度是實現硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調節參數。在平板顯示行業；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。河北氧化硅材料刻蝕加工廠商

介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅。干法刻蝕優點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是：成本高，設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式比較多，一般有：濺射與離子束銑蝕，等離子刻蝕（PlasmaEtching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。福建ICP材料刻蝕加工干法刻蝕優點：細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。

濕法刻蝕是化學清洗方法中的一種，是化學清洗在半導體制造行業中的應用，是用化學方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源明顯的侵蝕，這層掩蔽膜用來在刻蝕中保護硅片上的特殊區域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護的區域。從半導體制造業一開始，濕法刻蝕就與硅片制造聯系在一起。雖然濕法刻蝕已經逐步開始被法刻蝕所取代，但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比，濕法刻蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設備簡單。工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。

在平板顯示行業；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產環節中，光刻膠涂覆于晶體薄膜表面，經曝光、顯影和蝕刻等工序將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到薄膜上，形成與掩膜版對應的幾何圖形。在PCB行業；主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜貼在處理后的敷銅板上，進行曝光顯影；濕膜和光成像阻焊油墨則是涂布在敷銅板上，待其干燥后進行曝光顯影。激光直寫光刻EUV系統將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中，形成光刻圖形。在集成電路制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝，應用涉及硅片上各種材料。

刻蝕技術（etchingtechnique），刻蝕加工廠商，是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不只是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過掩模對抗蝕劑層進行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同，經過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對襯底表面進行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質或金屬層，Si材料刻蝕加工廠商，則選擇腐蝕以后，材料刻蝕加工廠商，圖形就轉移到介質或金屬層上。一般而言，高蝕速率（在一定時間內去除的材料量）都會受到歡迎。在物理上，等離子體刻蝕劑由反應室、真空系統、氣體供應、終點檢測和電源組成。北京MEMS材料刻蝕平臺

浸沒式光刻機將朝著更高數值孔徑發展，以滿足更小光刻線寬的要求。河北氧化硅材料刻蝕加工廠商

在刻蝕環節中，硅電極產生高電壓，令刻蝕氣體形成電離狀態，其與芯片同時處于刻蝕設備的同一腔體中，并隨著刻蝕進程而逐步被消耗，因此刻蝕電極也需要達到與晶圓一樣的半導體級的純度（11個9）。芯片工藝的迭代發展，離不開上游產業的制造水平提升。在刻蝕過程中，為了讓晶圓表面面向刻蝕的深度均勻一致，硅單晶電極的面積必須要大于被加工的晶圓面積，所以，目前主流的先進刻蝕機，硅電極的直徑趨于向更大尺寸發展，一般來說，45nm至7nm線寬的12英寸的晶圓，對應的刻蝕用單晶硅材料尺寸通常在14英寸以上，較大直徑要求達到19英寸。并且，越是先進制程，越追求刻蝕的極限線寬，這樣，對硅電極的材料內在缺陷、面向均勻性的要求，也提高了許多。河北氧化硅材料刻蝕加工廠商