無論是大批量還是小規模生產定制產品，都需要開發新一代的模塊化、知識密集的、可升級的和可快速配置的生產系統。而這將用到那些新近涌現出來的微納技術研究成果以及新的工業生產理論體系。給出了微納制造系統與平臺的發展前景。未來幾年微納制造系統和平臺的發展前景包括以下幾個方面：（1）微納制造系統的設計、建模和仿真；（2）智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統（工藝、設備和工具集成）；（3）新型靈活的、模塊化的和網絡化的系統結構，以構筑基于制造的知識。光刻膠是微納加工中微細圖形加工的關鍵材料之一。吉林光電器件微納加工工廠

21世紀，人們仍會不斷追求條件更好且可負擔的醫療保健服務、更高的生活品質和質量更好的日用消費品，并竭力應對由能源成本上漲和資源枯竭所帶來的風險等“巨大挑戰”。它們也是采用創新體系的商品擴大市場的推動力。微納制造技術過去和現在一直都被認為在解決上述挑戰方面大有用武之地。環境——采用更少的能源與原材料。從短期來看，微納制造技術不會對環境和能源成本產生重大的影響。受到當前加工技術的限制，這些技術在早期的發展階段往往會有較高的能源成本。與此同時，微納制造一旦成熟，將會消耗更少的能源與資源，就此而言，微納制造無疑是一項令人振奮的技術。例如，與去除邊角料獲得較終產品不同的是，微納制造采用的積層法將會使得廢料更少。隨著創新型納米制造技術的發展，現在對化石燃料的依存度已經開始下降了，二氧化碳的排放也隨之降低，大氣中氮氧化物和硫氧化物的濃度也減少了。湖南刻蝕微納加工服務目前微納制造領域較常用的一種微細加工技術是LIGA。

微納加工中，材料濕法腐蝕是一個常用的工藝方法。材料的濕法化學刻蝕，包括刻蝕劑到達材料表面和反應產物離開表面的傳輸過程，也包括表面本身的反應。半導體技術中的許多刻蝕工藝是在相當緩慢并受速率控制的情況下進行的，這是因為覆蓋在表面上有一污染層。污染層厚度常有幾微米，如果化學反應有氣體逸出，則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應物產生，這種產物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高，常常使溶液攪動，因為攪動增強了外擴散效應。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而，結晶材料的刻蝕可能是各向同性，也可能是各向異性的，它取決于反應動力學的性質。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕，因為它們產生平滑的表面。各向異性刻蝕通常能顯示晶面，或使晶體產生缺陷。因此，可用于化學加工，也可作為結晶刻蝕劑。

微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統的優化設計、加工、組裝、系統集成與應用技術。微納加工按技術分類，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。主要介紹微納加工的平面工藝，平面工藝主要可分為薄膜工藝、圖形化工藝（光刻）、刻蝕工藝。光刻是微納加工技術中較關鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平決定產品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠，就實現了圖形從光刻板到基底的轉移。應用于MEMS制作的襯底可以說是各種各樣的，如硅晶圓、玻璃晶圓、塑料、還其他的材料。

微納加工氧化工藝是在高溫下，襯底的硅直接與O2發生反應生成SiO2，后續O2通過SiO2層擴散到Si/SiO2界面，繼續與Si發生反應增加SiO2薄膜的厚度，生成1個單位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445單位厚度的Si襯底；相對CVD工藝而言，氧化工藝可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于與其他材料制作更加牢固可靠的結構層，提高MEMS器件的可靠性。同時致密的SiO2薄膜有利于提高與其它材料的濕法刻蝕選擇比，提高刻蝕加工精度，制作更加精密的MEMS器件。同時氧化工藝一般采用傳統的爐管設備來制作，成本低，產量大，一次作業100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以內。微納加工技術能突顯一個國家工業發展水平。湖南刻蝕微納加工服務

未來幾年微納制造系統和平臺的發展前景包括的方面：智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統。吉林光電器件微納加工工廠

微納制造技術一般是指微米、納米級的材料、設計、制造、測量控制和產品的研發、加工、制造以及應用技術。微納制造技術是繼IT、生物技術之后，21世紀較具發展潛力的研究領域和新興產業之一。微納制造技術較早是由加工精度研究的角度延伸出來的。伴隨著科技進步和制造業的快速發展，人們對加工精度的要求越來越高，傳統加工方式的加工精度越來越難以滿足諸多領域的應用和研究需求。這一需求促使人們投入到更高精度加工技術的研發上。從較初的毫米級（10-3m）到微米級（10-6m）和納米級（10-9m），人類的制造水平逐步由宏觀尺度向微觀尺度邁進，“微納制造技術”的概念也應運而生。吉林光電器件微納加工工廠