光電流指在入射光照射下光電探測器所產生的光生電流，暗電流可以定義為沒有光入射的情況下探測器存在的漏電流。其大小影響著光接收機的靈敏度大小，是探測器的主要指標之一。暗電流主要包括以下幾種：①耗盡區中邊界的少子擴散電流;②載流子的產生-復合電流，通過在加工中消除硅材料的晶格缺陷，可以有效減小載流子的產生-復合電流，通常對于高純度的單晶硅產生-復合電流可以降低到2*1011A/nm2以下;③表面泄漏電流，在制造工藝結束時，對芯片表面進行鈍化處理，可以將表面漏電流降低到1011A/nm2量級。當然，暗電流也受探測器工作溫度和偏置電壓的影響。探測器的暗電流與噪聲是分不開的，通常光電探測器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲：a暗電流噪聲：對于一個光電探測器來講，可接收的光功率是由探測器的暗電流大小決定的，所以減小探測器的暗電流能提高光接收機的靈敏度;b散粒噪聲：當探測器接收入射光時，散粒噪聲就產生于光子的產生-復合過程中。由于光生載流子的數量變化規律服從泊松統計分部，所以光生載流子的產生過程存在散粒噪聲;c熱噪聲：由于導體中電子的隨機運動會產生導體兩端電壓的波動，因此就會產生熱噪聲。當光在半導體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減。深圳7GHZ APD光電探測器聯系人

光電二極管的工作原理同光電池一樣，都是基于PN結的光伏效應工作的。主要特點是結區面積小，通常工作于反偏置狀態。因此內建電場很強，結區較寬，結電容小，因此頻率特性爺比光電池好，但光電流較小。PIN光電二極管PN半導體中間夾了一層本征半導體，由于本征半導體近似于介質，相當于增大了NPNj結之間的距離，使結電容變小。PN半導體中耗盡層寬度隨反向電壓增加而加寬，將P區做得很薄，由于I層的存在，入射光子只能在I層被吸收，因此在I層形成高電場區，I區的光電子在強電場下加速運動，使得載流子渡越時間非常短，因此可以有效減小時間常數，提高工作頻率特性。雪崩光電探測器使用方法非相干接收：在接收設備中不用載波相位信息去檢測就接收信號。

光電探測器的工作原理是基于光電效應，熱探測器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高，從而改變了它的電學性能，它區別于光子探測器的比較大特點是對光輻射的波長無選擇性。光電子發射器件：光電管與光電倍增管是典型的光電子發射型（外光電效應）探測器件。其主要特點是靈敏度高，穩定性好，響應速度快和噪聲小，是一種電流放大器件。尤其是光電倍增管具有很高的電流增益，特別適于探測微弱光信號；但它結構復雜，工作電壓高，體積較大。光電倍增管一般用于測弱輻射而且響應速度要求較高的場合，如人造衛星的激光測距儀、光雷達等。

光電探測器件的應用選擇，實際上是應用時的一些事項或要點。在很多要求不太嚴格的應用中，可采用任何一種光電探測器件。不過在某些情況下，選用某種器件會更合適些。例如，當需要比較大的光敏面積時，可選用真空光電管，因其光譜響應范圍比較寬，故真空光電管普遍應用于分光光度計中。當被測輻射信號微弱、要求響應速度較高時，采用光電倍增管較合適，因為其放大倍數可達10^4～10^8以上，這樣高的增益可使其信號超過輸出和放大線路內的噪聲分量，使得對探測器的限制只剩下光陰極電流中的統計變化。因此，在天文學、光譜學、激光測距和閃爍計數等方面，光電倍增管得到廣泛應用。APD雪崩光電二極管具有較高的接收機靈敏度。

為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號，光電探測器不僅要和被測信號、光學系統相匹配，而且要和后續的電子線路在特性和工作參數上相匹配，使每個相互連接的器件都處于比較好的工作狀態。現將光電探測器件的應用選擇要點歸納如下：光電探測器必須和輻射信號源及光學系統在光譜特性上相匹配。如果測量波長是紫外波段，則選用光電倍增管或專門的紫外光電半導體器件；如果信號是可見光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件；如果是紅外信號，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管；光生載流子在雪崩區即高電場區發生雪崩倍增。廣東光電探測器特價

光電探測器的光電轉換特性必須和入射輻射能量相匹配。深圳7GHZ APD光電探測器聯系人

光電探測器是光接收器的主要器件之一，用來將光功率轉換為電流。根據系統的性能目標，可以選用PIN或APD（雪崩光電二極管）光電探測器。誤碼率（BER）是用于指定通信傳輸系統可靠性的主要指標，通常與接收機靈敏度值相關，該值定義了必須到達光電探測器的較小平均光功率，以實現所需的BER性能。另外，信道的Q值可以從采樣的信號統計中計算出來，并用于估計系統的誤碼率。光電探測器在定義基本通信系統的較終靈敏度方面起著重要的作用，因為它以散彈噪聲和熱噪聲的形式提供統計擾動，并引入了暗電流及定義響應率來衡量每單位輸入功率獲得多少電輸出。這些特性取決于入射光的波長和傳感器的材料特性和物理設計。深圳7GHZ APD光電探測器聯系人

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