1．晶體管混頻器晶體管混頻器有多種電路形式。其中雙極型晶體管混頻器可在共發射極電路基礎上構成，信號和本振信號由基極輸入，或信號由基極輸人、本振信號由發射極輸人。兩信號由基極輸人的電路輸入阻抗高，對本振而言，負載輕。2．二極管混頻器二極管混頻器盡管存在損耗，但其噪聲及雜波輸出比晶體管混頻器要少。諾基亞的GSM手機多采用這種混頻器3．集成混頻器在早期的手機中，有的混頻器單獨使用一個集成組件，如今手機中的混頻器多被集成在一個復合的射頻處理或中頻處理模塊中。 輸出中的諧波分量還應該盡可能地小，以避免對其他頻道產生干擾。寶安光電調制器的射頻放大器均價

射頻功率放大器（PA），一般位于發射鏈路上，可以說是我們射頻系統中的正反饋系統。由于考慮無線傳輸的鏈路衰減，發射端需要輻射足夠大的功率才能獲得比較遠的通信距離。因此，射頻放大器主要負責將功率放大到足夠大后饋送到天線上輻射出去，是通信系統中的核0心器件。射頻發射機主要包括信號源產生單元，調制以及功率放大等模塊，中間再加入基本的濾波環節。對于一個功率放大器而言，其重要作用是擴大功率，獲得足夠的信號強度以便通過天線輻射出去；同時該過程信號不失真。飛博光電2x20GHZ射頻放大器標準放大器電路的關鍵是微波晶體管。

這種干擾是由兩個信號的相互調制引起的，所以稱為互調干擾。同時它是有三次方項產生的互調，所以工程中也稱為三階互調干擾。三階互調干擾時通信機的重要指標，工程上常用互調失真比IMR和三階互調阻斷點IP3來度量。IMR定義為在某一輸入幅度下三階互調分量幅度和基頻信號幅度的比值。IP3的定義：當三階互調分量增長到和基頻分量相等時，接收機無法正常接收，邊帶信號實際上大部分是帶寬內不同頻率的有用信號相互調制后在帶寬外產生的，隨著信號幅度增大，三階互調信號也增大，并且后者增大的倍數是前者的三倍，即表現為邊帶信號上升比帶內信號快，上圖中的頻譜模板越來越趨平緩。邊帶信號的增大會對相鄰信道產生干擾。

設計不佳的放大器，尤其是“A”類放大器，可能還需要更大的功率晶體管、更昂貴的散熱器、冷卻風扇，甚至需要增加電源尺寸來提供放大器所需的額外浪費功率。功率從晶體管、電阻器或任何其他組件轉換為熱量，使任何電子電路效率低下，并導致設備過早失效。那么，與效率超過70%的B類放大器相比，如果A類放大器的效率低于40%，為什么還要使用它呢？基本上，A類放大器提供了更線性的輸出，這意味著它具有更大頻率響應上的線性度，即使它確實消耗大量直流功率。這里已經介紹了不同類型的放大器電路，每種都有自己的優點和缺點，大家在設計電路時，可以綜合考慮。放大器的增益必須長時間保持穩定。

Outphasing機制沒有負載調制效果的一個變體被稱為非線性概念的線性放大（LINC），采用一個分離耦合器和放大級驅動到飽和，并能有效地提高線性度和峰值效率。但LINC放大器效率相對較低，因為每個放大器工作在一個恒定功率上，即使低RF輸出電平時也如此。Chireix修正了這一點，通過結合outphasing和一個非分離耦合器和負載調制，從而提升了平均效率。恩智浦半導體公司做了進一步提升，用outphasing控制兩個開關模式的RF放大器，使它們適應高波峰因子信號。該公司正在將Chireixoutphasing技術與GaNHEMT開關式E類放大器結合起來。放大器的電路可以由以下幾個部分組成：晶體管、偏置及穩定電路、輸入輸出匹配電路。飛博光電2x20GHZ射頻放大器標準

放大器的增益和延時有差異。寶安光電調制器的射頻放大器均價

射頻芯片領域技術壁壘高，依靠經驗需長期積累。射頻芯片設計是集成電路領域中相對難度較高的技術方向，其面臨的難題包括設計者理論及經驗方面的主觀因素以及工藝及封裝的客觀限制因素。射頻芯片設計涉及的理論知識繁多復雜，由于其主要用于處理物理層面的連續高頻信號，過程中需要滿足各種物理指標的折中均衡，多取決于產品的實際應用要求，沒有定論，因此相關設計經驗的累積至關重要。同時，很多射頻芯片的指標要求都是要挑戰工藝極限，需要很多創新性的電路結構，例如噪聲抵消、交調分量抵消以及為了提高功放效率采用的動態偏置和為了降低功耗進行的電流復用。此外，關鍵的還是工藝及封裝的物理限制或者模型的不準確性導致的難題，例如射頻芯片中較重要的兩個指標噪聲系數和線性度，其和工藝完全相關，存在較多不確定性。寶安光電調制器的射頻放大器均價

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