在動態特性(即頻率響應與時間響應)方面,以光電倍增管和光電二極管(尤其是PIN管與雪崩管)為比較好;在光電特性(即線性)方面,以光電倍增管、光電二極管和光電池為比較好;在靈敏度方面,以光電倍增管、雪崩光電二極管、光敏電阻和光電三極管為比較好。值得指出的是,靈敏度高不一定就是輸出電流大,而輸出電流大的器件有大面積光電池、光敏電阻、雪崩光電二極管和光電三極管;外加偏置電壓比較低的是光電二極管、光電三極管,光電池不需外加偏置;在暗電流方面,光電倍增管和光電二極管較小,光電池不加偏置時無暗電流,加反向偏置后暗電流也比光電倍增管和光電二極管大;長期工作的穩定性方面,以光電二極管、光電池為比較好,其次是光電倍增管與光電三極管;在光譜響應方面,以光電倍增管和CdSe光敏電阻為較寬,但光電倍增管響應偏紫外方向,而光敏電阻響應偏紅外方向。PIN優點在于響應度高響應速度快,頻帶也較寬工作電壓低。深圳高速光電探測器定做價格
當光線照在物體上,使物體的電導率發生變化,或產生光生電動勢的現象叫內光電效應。利用這種現象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導體材料的價帶與導帶間有一個帶隙,其能量間隔為Eg。一般情況下,價帶中的電子不會自發地躍遷到導帶,所以半導體材料的導電性遠不如導體。但如果通過某種方式給價帶中的電子提供能量,就可以將其激發到導帶中,形成載流子,增加導電性。光照就是一種激勵方式。當入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時,價帶中的電子就會吸收光子的能量,躍遷到導帶,而在價帶中下一個空穴,形成一對可以導電的電子——空穴對。這里的電子并未逸出形成光電子,但顯然存在著由于光照而產生的電效應。因此,這種光電效應就是一種內光電效應。從理論和實驗結果分析,要使價帶中的電子躍遷到導帶,也存在一個入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個關系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時,才會發生電子的帶間躍遷。當入射光能量較小,不能使電子由價帶躍遷到導帶時,有可能使電子吸收光能后,在一個能帶內的亞能級結構間躍遷。飛博光電雙通道平衡光電探測器設計所謂相干調制,就是利用要傳輸旳信號來改變光載波旳頻率、相位和振幅。
雪崩效應只是APD的工作原理,和工作模式不是一個東西。APD工作模式分蓋革模式和線型模式,區別在于線型模式偏置電壓低于反向擊穿電壓,蓋格模式偏置電壓高于擊穿電壓。線性模式下APD就是一個增益高的普通光電二極管。蓋格模式下APD接受到光子后就會進入并一直處于反向擊穿狀態,APD一直通過一個很大的反向電流。這時,通過外部電路使偏置電壓暫時下降至擊穿電壓之下,APD從反向擊穿模式恢復,等待下一個光子,所以蓋格模式通常只適用與單光子計數應用。
光電探測器件的應用選擇,實際上是應用時的一些事項或要點。在很多要求不太嚴格的應用中,可采用任何一種光電探測器件。不過在某些情況下,選用某種器件會更合適些。例如,當需要比較大的光敏面積時,可選用真空光電管,因其光譜響應范圍比較寬,故真空光電管普遍應用于分光光度計中。當被測輻射信號微弱、要求響應速度較高時,采用光電倍增管比較合適,因為其放大倍數可達10^4~10^8以上,這樣高的增益可使其信號超過輸出和放大線路內的噪聲分量,使得對探測器的限制只剩下光陰極電流中的統計變化。因此,在天文學、光譜學、激光測距和閃爍計數等方面,光電倍增管得到廣泛應用。光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配。
在數字傳輸系統中,DPSK和DQPSK的使用已經非常普遍,這就標志著采用相位敏感的編碼和傳輸技術將成為一種趨勢。而檢測靈敏度和頻譜效率是這種趨勢的關鍵所在。其他影響選擇檢測方案的因素還包括物理層的安全可靠性和網絡的自適應性,兩者都可得益于采用相干光技術的幅度,頻率和偏振編碼。相干模擬傳輸與非相干傳輸相比,也同樣具有很大的優勢,其中在動態范圍方面較為很大。雖然模擬通信不及數字通信應用較廣,但是模擬傳輸在很多特殊環境應用上有很重要的作用。PIN適用于中、短距離和中、低速率系統,尤以PIN/FET 組件使用較多。廣東30G PIN光電探測器型號
APD雪崩光電二極管具有較高的接收機靈敏度。深圳高速光電探測器定做價格
為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號,光電探測器不僅要和被測信號、光學系統相匹配,而且要和后續的電子線路在特性和工作參數上相匹配,使每個相互連接的器件都處于比較好的工作狀態。現將光電探測器件的應用選擇要點歸納如下:光電探測器必須和輻射信號源及光學系統在光譜特性上相匹配。如果測量波長是紫外波段,則選用光電倍增管或專門的紫外光電半導體器件;如果信號是可見光,則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件;如果是紅外信號,則選用光敏電阻,近紅外選用Si光電器件或光電倍增管。深圳高速光電探測器定做價格
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