PN結加正向電壓時，產生多子電流，與光生電流方向相反，并且電流比光生電流大得多，此時無法作為光探測器。PN結處于反向偏壓狀態時，產生的光電子會被反向偏壓迅速通過電場與電極收集，產生反向光電流，通過檢測光電流大小即可得到光功率強度。處于零偏壓的PN結可作為光電池使用。一個大面積的PN結，做好上下極的接觸引線便構成一個光電池。一般光敏面做成梳齒狀，可以減小光生載流子的復合以提高能量轉換效率，減小串聯電阻。對于光電池，負載電阻較大時，輸出線性較差，可獲得較大的輸出電壓，對于不同的入射光強，也會具有不同的最大輸入功率，往往采用多個光電池的串-并聯組合運用。在光線作用下，物體內的電子逸出物體表面向外發射的現象稱為外光電效應。廣東PIN光電探測器訂制價格

固體光電探測器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有比較大光敏面積的器件，它除用做探測器件外，還可作太陽能變換器；硅光電二極管體積小、響應快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內有較高的量子效率，因而在各種工業控制中獲得應用。硅雪崩管由于增益高、響應快、噪聲小，因而在激光測距與光纖通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象。光電導探測器在國民經濟的各個領域有較廣用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。廣東PIN光電探測器訂制價格暗電流可以定義為沒有光入射的情況下探測器存在的漏電流。

當光線照在物體上，使物體的電導率發生變化，或產生光生電動勢的現象叫內光電效應。利用這種現象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導體材料的價帶與導帶間有一個帶隙，其能量間隔為Eg。一般情況下，價帶中的電子不會自發地躍遷到導帶，所以半導體材料的導電性遠不如導體。但如果通過某種方式給價帶中的電子提供能量，就可以將其激發到導帶中，形成載流子，增加導電性。光照就是一種激勵方式。當入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時，價帶中的電子就會吸收光子的能量，躍遷到導帶，而在價帶中下一個空穴，形成一對可以導電的電子——空穴對。這里的電子并未逸出形成光電子，但顯然存在著由于光照而產生的電效應。因此,這種光電效應就是一種內光電效應。從理論和實驗結果分析,要使價帶中的電子躍遷到導帶,也存在一個入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個關系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時,才會發生電子的帶間躍遷。當入射光能量較小,不能使電子由價帶躍遷到導帶時,有可能使電子吸收光能后,在一個能帶內的亞能級結構間躍遷。

為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號，光電探測器不僅要和被測信號、光學系統相匹配，而且要和后續的電子線路在特性和工作參數上相匹配，使每個相互連接的器件都處于比較好的工作狀態。現將光電探測器件的應用選擇要點歸納如下：光電探測器必須和輻射信號源及光學系統在光譜特性上相匹配。如果測量波長是紫外波段，則選用光電倍增管或專門的紫外光電半導體器件；如果信號是可見光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件；如果是紅外信號，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管；光電流在外部電路作用下形成電信號并輸出。

光電探測器，屬于光線傳感器的一種，它常用于攝像頭和其他成像設備中。它們可以感知稱為“光子”的基本粒子的圖案，并通過這些圖案創造出圖像。不同的光電探測器用于感知光譜的不同部分。例如，夜視眼鏡中使用的光電探測器就是用于感知肉眼不可見的熱輻射。還有一些光電探測器應用于攝像頭，這些攝像頭通過環境中化學物質反射光線的方式來辨別它們。光電探測器的多功能程度主要取決于三個因素：運行速度、感知低強度光線的能力、感知的頻譜范圍。通常來說，如果工程師們改善了這三個因素中的某一個，那么另外兩個因素中就會至少有一個變得惡化。光電探測器可分為兩大類：一類是光子探測器；另一類是熱探測器。廣東雙通道平衡光電探測器價格比較

光電探測器在國際和國民經濟的各個領域有很多用途。廣東PIN光電探測器訂制價格

1873年，英國W.史密斯發現硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰以后，隨著半導體的發展，各種新的光電導材料不斷出現。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。工作原理和特性光電導效應是內光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發到導帶，從而產生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。廣東PIN光電探測器訂制價格

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