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高靈敏度光電探測器是什么

來源: 發布時間:2023-06-09

光電探測器,屬于光線傳感器的一種,它常用于攝像頭和其他成像設備中。它們可以感知稱為“光子”的基本粒子的圖案,并通過這些圖案創造出圖像。不同的光電探測器用于感知光譜的不同部分。例如,夜視眼鏡中使用的光電探測器就是用于感知肉眼不可見的熱輻射。還有一些光電探測器應用于攝像頭,這些攝像頭通過環境中化學物質反射光線的方式來辨別它們。光電探測器的多功能程度主要取決于三個因素:運行速度、感知低強度光線的能力、感知的頻譜范圍。通常來說,如果工程師們改善了這三個因素中的某一個,那么另外兩個因素中就會至少有一個變得惡化。當光線照在物體上,使物體的電導率發生變化,或產生光生電動勢的現象叫內光電效應。高靈敏度光電探測器是什么

利用外光電效應制成的光子型探測器是真空電子器件,如光電管、光電倍增管和紅外變像管等。這些器件都包含一個對光子敏感的光電陰極,當光子投射到光電陰極上時,光子可能被光電陰極中的電子吸收,獲得足夠大能量的電子能逸出光電陰極而成為自由的光電子。在光電管中,光電子在帶正電的陽極的作用下運動,構成光電流。光電倍增管與光電管的差別在于,在光電倍增管的光電陰極與陽極之間設置了多個電位逐級上升并能產生二次電子的電極(稱為打拿極)。從光電陰極逸出的光電子在打拿極電壓的加速下與打拿極碰撞,發生倍增效應,然后形成較大的光電流信號。因此,光電倍增管具有比光電管高得多的靈敏度。紅外變像管是一種紅外-可見圖像轉換器,它由光電陰極、陽極和一個簡單的電子光學系統組成。光電子在受到陽極加速的同時又受到電子光學系統的聚焦,當它們撞擊在與陽極相連的磷光屏上時,便發出綠色的光像信號。深圳高速光電探測器價格比較光電探測器的工作原理是基于光電效應。

當光線照在物體上,使物體的電導率發生變化,或產生光生電動勢的現象叫內光電效應。利用這種現象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導體材料的價帶與導帶間有一個帶隙,其能量間隔為Eg。一般情況下,價帶中的電子不會自發地躍遷到導帶,所以半導體材料的導電性遠不如導體。但如果通過某種方式給價帶中的電子提供能量,就可以將其激發到導帶中,形成載流子,增加導電性。光照就是一種激勵方式。當入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時,價帶中的電子就會吸收光子的能量,躍遷到導帶,而在價帶中下一個空穴,形成一對可以導電的電子——空穴對。這里的電子并未逸出形成光電子,但顯然存在著由于光照而產生的電效應。因此,這種光電效應就是一種內光電效應。從理論和實驗結果分析,要使價帶中的電子躍遷到導帶,也存在一個入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個關系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時,才會發生電子的帶間躍遷。當入射光能量較小,不能使電子由價帶躍遷到導帶時,有可能使電子吸收光能后,在一個能帶內的亞能級結構間躍遷。

光電探測器在光通信系統中實現將光轉變成電的作用,這主要是基于半導體材料的光生伏特的效應,所謂的光生伏特X應是指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。(光電導效應是指在光線作用下,電子吸收光子能量從鍵合狀態過度到自由狀態,而引起材料電導率的變化的象。即當光照射到光電導體上時,若這個光電導體為本征半導體材料,且光輻射能量又足夠強,光電材料價帶上的電子將被激發到導帶上去,使光導體的電導率變大是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象,光子作用于光電導材料,形成本征吸收或雜質吸收,產生附加的光生載流子,從而使半導體的電導率發生變化,產生光電導效應。)PIN適用于中、短距離和中、低速率系統,尤以PIN/FET 組件使用較多。

光電探測器的光電轉換特性必須和入射輻射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好,因光源必須照到器件的有效位置,如光照位置發生變化,則光電靈敏度將發生變化。如光敏電阻是一個可變電阻,有光照的部分電阻就降低,必須使光線照在兩電極間的全部電阻體上,以便有效地利用全部感光面。光電二極管、光電三極管的感光面只是結附近的一個極小的面積,故一般把透鏡作為光的入射窗,要把透鏡的焦點與感光的靈敏點對準。一定要使入射通量的變化中心處于檢測器件光電特性的線性范圍內,以確保獲得良好的線性輸出。對微弱的光信號,器件必須有合適的靈敏度,以確保一定的信噪比和輸出足夠強的電信號;APD雪崩二極管其主要缺點是噪聲較大。深圳高帶寬光電探測器推薦貨源

光電二極管的工作原理同光電池一樣,都是基于PN結的光伏效應工作的。高靈敏度光電探測器是什么

半導體光子型探測器的性能在很大程度上取決于制備探測器所用的半導體材料。本征半導體材料比摻雜半導體材料更加有用。本征半導體材料既能用來制作光導型探測器,又能制做光伏型探測器;而摻雜半導體只能做成光導型探測器。截止波長較長的半導體光子型探測器,大多數必須在較低溫度下工作,如77K,38K或4.2K。同一探測器在室溫下的探測率明顯低于低溫下的探測率。為了保持半導體光子型探測器的正常工作,常把探測器置于低溫容器(杜瓦瓶)中,或用微型致冷器使探測器達到較低的工作溫度。高靈敏度光電探測器是什么

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