光電探測器的光電轉換特性必須和入射輻射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好，因光源必須照到器件的有效位置，如光照位置發生變化，則光電靈敏度將發生變化。如光敏電阻是一個可變電阻，有光照的部分電阻就降低，必須使光線照在兩電極間的全部電阻體上，以便有效地利用全部感光面。光電二極管、光電三極管的感光面只是結附近的一個極小的面積，故一般把透鏡作為光的入射窗，要把透鏡的焦點與感光的靈敏點對準。一定要使入射通量的變化中心處于檢測器件光電特性的線性范圍內，以確保獲得良好的線性輸出。對微弱的光信號，器件必須有合適的靈敏度，以確保一定的信噪比和輸出足夠強的電信號。光電探測器能把光信號轉換為電信號。石巖相干接收機光電探測器廠家直銷

當光線照在物體上，使物體的電導率發生變化，或產生光生電動勢的現象叫內光電效應。利用這種現象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導體材料的價帶與導帶間有一個帶隙，其能量間隔為Eg。一般情況下，價帶中的電子不會自發地躍遷到導帶，所以半導體材料的導電性遠不如導體。但如果通過某種方式給價帶中的電子提供能量，就可以將其激發到導帶中，形成載流子，增加導電性。光照就是一種激勵方式。當入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時，價帶中的電子就會吸收光子的能量，躍遷到導帶，而在價帶中下一個空穴，形成一對可以導電的電子——空穴對。這里的電子并未逸出形成光電子，但顯然存在著由于光照而產生的電效應。因此,這種光電效應就是一種內光電效應。從理論和實驗結果分析,要使價帶中的電子躍遷到導帶,也存在一個入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個關系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時,才會發生電子的帶間躍遷。當入射光能量較小,不能使電子由價帶躍遷到導帶時,有可能使電子吸收光能后,在一個能帶內的亞能級結構間躍遷。廣東高轉換效率光電探測器供應光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發生改變。

光電探測器，屬于光線傳感器的一種，它常用于攝像頭和其他成像設備中。它們可以感知稱為“光子”的基本粒子的圖案，并通過這些圖案創造出圖像。不同的光電探測器用于感知光譜的不同部分。例如，夜視眼鏡中使用的光電探測器就是用于感知肉眼不可見的熱輻射。還有一些光電探測器應用于攝像頭，這些攝像頭通過環境中化學物質反射光線的方式來辨別它們。光電探測器的多功能程度主要取決于三個因素：運行速度、感知低強度光線的能力、感知的頻譜范圍。通常來說，如果工程師們改善了這三個因素中的某一個，那么另外兩個因素中就會至少有一個變得惡化。

雪崩光電二極管（APD）當二極管PN結上加上足夠強的反向電壓的時候，耗盡區存在一個很強的場，足夠使強電場飄移的光生載流子獲得充分的動能來通過晶格原子碰撞產生新的載流子，新的載流子再次碰撞形成更多載流子，這樣就實現了雪崩式的載流子倍增。但這同時也會造成噪聲的放大當入射光功率腳較小時，多采用APD，此時引入的噪聲不大，在入射光功率較大時，雪崩增益引起的噪聲貢獻占主要優勢，可能帶來光電流的失真，采用APD帶來的好處不大，采用PIN更為合適。光生載流子在雪崩區即高電場區發生雪崩倍增。

光電導探測器主要是通過電陰值的變化來檢測，以下我將以光敏電阻為例介紹其工作原理。光敏電阻又稱光導管,它沒有極性,純粹是一個電阻器件,使用時既可加直流電壓,也可以加交流電壓。無光照時,光敏電阻值（暗電阻）很大,電路中電流（暗電流）很小。當光敏電阻受到一定波長范圍的光照時,它的阻值（亮電阻）急劇減少,電路中電流迅速增大。一般希望暗電阻越大越好,亮電阻越小越好,此時光敏電阻的靈敏度高。實際光敏電阻的暗電阻值一般在兆歐級,亮電阻在幾千歐以下。光電流在外部電路作用下形成電信號并輸出。石巖相干接收機光電探測器廠家直銷

光子照射在半導體材料上產生光生載流子。石巖相干接收機光電探測器廠家直銷

器件靈敏度用一定偏壓下每流明輻照所產生的光電流的大小來表示。例如一種CdS光敏電阻,當偏壓為70伏時，暗電流為10-6～10-8安，光照靈敏度為3～10安/流明。CdSe光敏電阻的靈敏度一般比CdS高。光敏電阻另一個重要參數是時間常數τ，它表示器件對光照反應速度的大小。光照突然去除以后，光電流下降到最大值的1/e（約為37%）所需的時間為時間常數τ。也有按光電流下降到最大值的10%計算τ的;各種光敏電阻的時間常數差別很大。CdS的時間常數比較大（毫秒量級）。紅外波段的光電導探測器PbS、Hg1-xCdxTe的常用響應波段在1～3微米、3～5微米、8～14微米三個大氣透過窗口。由于它們的禁帶寬度很窄，因此在室溫下，熱激發足以使導帶中有大量的自由載流子，這就快速降低了對輻射的靈敏度。石巖相干接收機光電探測器廠家直銷

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