相干光通信的理論和實(shí)驗(yàn)始于80年代。由于相干光通信系統(tǒng)被公認(rèn)為具有靈敏度高的優(yōu)勢，各國在相干光傳輸技術(shù)上做了大量研究工作。經(jīng)過十年的研究，相干光通信進(jìn)入實(shí)用階段。英美日等國相繼進(jìn)行了一系列相干光通信實(shí)驗(yàn)。AT&T及Bell公司于1989和1990年在賓州的羅靈—克里克地面站與森伯里樞紐站間先后進(jìn)行了1.3μm和1.55μm波長的1.7Gbit/sFSK現(xiàn)場無中繼相干傳輸實(shí)驗(yàn)，相距35公里，接收靈敏度達(dá)到-41.5dBm。NTT公司于1990年在瀨戶內(nèi)陸海的大分—尹予和吳站之間進(jìn)行了2.5Gbit/sCPFSK相干傳輸實(shí)驗(yàn)，總長431公里。直到19世紀(jì)80年代末，EDFA和WDM技術(shù)的發(fā)展，使得相干光通信技術(shù)的發(fā)展緩慢下來。在這段時期，靈敏度和每個通道的信息容量已經(jīng)不再備受關(guān)注。然而，直接檢測的WDM系統(tǒng)經(jīng)過二十年的發(fā)展和廣泛應(yīng)用后，新的征兆開始出現(xiàn)，標(biāo)志著相干光傳輸技術(shù)的應(yīng)用將再次受到重視。在數(shù)字通信方面，擴(kuò)大C波段放大器的容量，克服光纖色散效應(yīng)的惡化，以及增加自由空間傳輸?shù)娜萘亢头秶殉蔀橹匾目紤]因素。在模擬通信方面，靈敏度和動態(tài)范圍成為系統(tǒng)的關(guān)鍵參數(shù)，而他們都能通過相關(guān)光通信技術(shù)得到很大改善。半導(dǎo)體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。廣東相干接收機(jī)光電探測器一般多少錢

光通信雖然以光作為傳播媒介，但歸根結(jié)底還是基于電的。光載波需要使用電信號來進(jìn)行調(diào)制，接收機(jī)接收到光信號也需要將其轉(zhuǎn)換為電信號，才能獲得所攜帶的信息。光的帶寬暫且可以認(rèn)為是無限的，但是電信號的帶寬不可能無限提高。相對于低頻信號，高頻信號有著更高的損耗（包括導(dǎo)線損耗、介質(zhì)損耗以及電磁輻射等），這就導(dǎo)致信號通路的頻率響應(yīng)是一條向下的曲線，高頻成分的減少導(dǎo)致上升下降時間會比原來更長（因?yàn)楦叽沃C波比低次諧波更為陡峭，這點(diǎn)很容易理解）。因此帶寬的選擇對時域波形的較短上升邊有直接的影響。石巖7GHZ APD光電探測器產(chǎn)品光電探測器區(qū)別于光子探測器的比較大特點(diǎn)是對光輻射的波長無選擇性。

光子型探測器是有選擇性響應(yīng)波長的探測器件。只有當(dāng)入射光子能量大于光敏材料中的電子激發(fā)能E時，光子型探測器才有響應(yīng)。對于外光電效應(yīng)器件，如光電管和光電倍增管，E等于電子逸出光電陰極時所要作的功，此數(shù)值一般略大于1電子伏。因此，這類探測器只能用于探測近紅外輻射或可見光。對于內(nèi)光電效應(yīng)器件，如光伏型探測器和本征光導(dǎo)型探測器，E等于半導(dǎo)體的禁帶寬度；對于非本征光導(dǎo)型探測器，E等于雜質(zhì)電離能。由于禁帶寬度和雜質(zhì)電離能這兩個參數(shù)都有較大的選擇余地，因此，半導(dǎo)體光子型探測器的響應(yīng)波長可以在較大范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)。例如，用本征鍺做成的光導(dǎo)型探測器，對近紅外輻射敏感；而用摻雜質(zhì)的鍺做成的光導(dǎo)型探測器，既能對中紅外輻射敏感（如鍺摻汞探測器），也能對遠(yuǎn)紅外輻射敏感（如鍺摻鎵探測器）。

1873年，英國W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng)，但是這種效應(yīng)長期處于探索研究階段，未獲實(shí)際應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導(dǎo)體的發(fā)展，各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導(dǎo)探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導(dǎo)體材料，因而人們利用非本征光電導(dǎo)效應(yīng)。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質(zhì)能級，照射的光子能量只要等于或大于雜質(zhì)能級的離化能，就能夠產(chǎn)生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長波限λ由下式求得λc=1.24/Ei式中Ei表示雜質(zhì)能級的離化能。光電探測器在國際和國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域有很多用途。

光電探測器的基本工作機(jī)理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號。當(dāng)探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收。半導(dǎo)體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外，還可以用來分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當(dāng)本征吸收開始時，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數(shù)，同時導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。光電探測器可分為兩大類：一類是光子探測器；另一類是熱探測器。廣東相干接收機(jī)光電探測器一般多少錢

PIN適用于中、短距離和中、低速率系統(tǒng)，尤以PIN/FET 組件使用較多。廣東相干接收機(jī)光電探測器一般多少錢

數(shù)字相干接收技術(shù)使得光傳輸系統(tǒng)具有足夠的色散容限和偏振模容限，無需考慮線路傳輸上的色度色散和偏振模色散的影響，這給網(wǎng)絡(luò)建設(shè)和運(yùn)維帶來一系列好處。工作原理在發(fā)送端，采用外調(diào)制方式將信號調(diào)制到光載波上進(jìn)行傳輸。當(dāng)信號光傳輸?shù)竭_(dá)接收端時，首先與─本振光信號進(jìn)行相干耦合，然后由平衡接收機(jī)進(jìn)行探測。相干光通信根據(jù)本振光頻率與信號光頻率不等或相等，可分為外差檢測和零差檢測。前者光信號經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后獲得旳是中頻信號，還需二次解調(diào)才能被轉(zhuǎn)換成基帶信號。后者光信號經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后被直接轉(zhuǎn)換成基帶信號，不用二次解調(diào)，但它要求本振光頻率與信號光頻率嚴(yán)格匹配，并且要求本振光與信號光旳相位鎖定。廣東相干接收機(jī)光電探測器一般多少錢

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