利用外光電效應制成的光子型探測器是真空電子器件，如光電管、光電倍增管和紅外變像管等。這些器件都包含一個對光子敏感的光電陰極，當光子投射到光電陰極上時，光子可能被光電陰極中的電子吸收，獲得足夠大能量的電子能逸出光電陰極而成為自由的光電子。在光電管中，光電子在帶正電的陽極的作用下運動，構成光電流。光電倍增管與光電管的差別在于，在光電倍增管的光電陰極與陽極之間設置了多個電位逐級上升并能產生二次電子的電極（稱為打拿極）。從光電陰極逸出的光電子在打拿極電壓的加速下與打拿極碰撞，發生倍增效應，然后形成較大的光電流信號。因此，光電倍增管具有比光電管高得多的靈敏度。紅外變像管是一種紅外-可見圖像轉換器,它由光電陰極、陽極和一個簡單的電子光學系統組成。光電子在受到陽極加速的同時又受到電子光學系統的聚焦，當它們撞擊在與陽極相連的磷光屏上時，便發出綠色的光像信號。光子型探測器是有選擇性響應波長的探測器件。石巖高靈敏度光電探測器推廣

光電探測器，屬于光線傳感器的一種，它常用于攝像頭和其他成像設備中。它們可以感知稱為“光子”的基本粒子的圖案，并通過這些圖案創造出圖像。不同的光電探測器用于感知光譜的不同部分。例如，夜視眼鏡中使用的光電探測器就是用于感知肉眼不可見的熱輻射。還有一些光電探測器應用于攝像頭，這些攝像頭通過環境中化學物質反射光線的方式來辨別它們。光電探測器的多功能程度主要取決于三個因素：運行速度、感知低強度光線的能力、感知的頻譜范圍。通常來說，如果工程師們改善了這三個因素中的某一個，那么另外兩個因素中就會至少有一個變得惡化。廣東2GHZ APD光電探測器廠家直銷PIN缺點在于I層電阻很大管子的輸出電流小，一般多為零點幾微安至數微安。

光電探測器件的應用選擇，實際上是應用時的一些事項或要點。在很多要求不太嚴格的應用中，可采用任何一種光電探測器件。不過在某些情況下，選用某種器件會更合適些。例如，當需要比較大的光敏面積時，可選用真空光電管，因其光譜響應范圍比較寬，故真空光電管普遍應用于分光光度計中。當被測輻射信號微弱、要求響應速度較高時，采用光電倍增管比較合適，因為其放大倍數可達10^4～10^8以上，這樣高的增益可使其信號超過輸出和放大線路內的噪聲分量，使得對探測器的限制只剩下光陰極電流中的統計變化。因此，在天文學、光譜學、激光測距和閃爍計數等方面，光電倍增管得到廣泛應用。

相干光通信的理論和實驗始于80年代。由于相干光通信系統被公認為具有靈敏度高的優勢，各國在相干光傳輸技術上做了大量研究工作。經過十年的研究，相干光通信進入實用階段。英美日等國相繼進行了一系列相干光通信實驗。AT&T及Bell公司于1989和1990年在賓州的羅靈—克里克地面站與森伯里樞紐站間先后進行了1.3μm和1.55μm波長的1.7Gbit/sFSK現場無中繼相干傳輸實驗，相距35公里，接收靈敏度達到-41.5dBm。NTT公司于1990年在瀨戶內陸海的大分—尹予和吳站之間進行了2.5Gbit/sCPFSK相干傳輸實驗，總長431公里。直到19世紀80年代末，EDFA和WDM技術的發展，使得相干光通信技術的發展緩慢下來。在這段時期，靈敏度和每個通道的信息容量已經不再備受關注。然而，直接檢測的WDM系統經過二十年的發展和廣泛應用后，新的征兆開始出現，標志著相干光傳輸技術的應用將再次受到重視。在數字通信方面，擴大C波段放大器的容量，克服光纖色散效應的惡化，以及增加自由空間傳輸的容量和范圍已成為重要的考慮因素。在模擬通信方面，靈敏度和動態范圍成為系統的關鍵參數，而他們都能通過相關光通信技術得到很大改善。光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配。

器件靈敏度用一定偏壓下每流明輻照所產生的光電流的大小來表示。例如一種CdS光敏電阻,當偏壓為70伏時，暗電流為10-6～10-8安，光照靈敏度為3～10安/流明。CdSe光敏電阻的靈敏度一般比CdS高。光敏電阻另一個重要參數是時間常數τ，它表示器件對光照反應速度的大小。光照突然去除以后，光電流下降到最大值的1/e（約為37%）所需的時間為時間常數τ。也有按光電流下降到最大值的10%計算τ的;各種光敏電阻的時間常數差別很大。CdS的時間常數比較大（毫秒量級）。紅外波段的光電導探測器PbS、Hg1-xCdxTe的常用響應波段在1～3微米、3～5微米、8～14微米三個大氣透過窗口。由于它們的禁帶寬度很窄，因此在室溫下，熱激發足以使導帶中有大量的自由載流子，這就快速降低了對輻射的靈敏度。利用外光電效應制成的光子型探測器是真空電子器件，如光電管、光電倍增管和紅外變像管等。廣東高帶寬光電探測器代加工

PIN適用于中、短距離和中、低速率系統，尤以PIN/FET 組件使用較多。石巖高靈敏度光電探測器推廣

雪崩光電二級管（APD）是得用光生載流子在高電場區內的雪崩效應而獲得光電流增益，具有靈敏度高、響應快等優點，通常用于激光測距、激光雷達、弱光檢測（非線性）。APD雪崩倍增的過程是：當光電二極管的p-n結加相當大的反向偏壓時，在耗盡層內將產生一個很高的電場，它足以使在強電場區漂移的光生載流子獲得充分的動能，通過與晶格原子碰撞將產生新的電子-空穴對。新的電子-空穴對在強電場作用下，分別向相反的方向運動，在運動過程中又可能與原子碰撞再一次產生新的電子-空穴對。如此反復，形成雪崩式的載流子倍增加。這個過程就是APD的工作基礎。APD一般在略低于反向南穿電壓值的反偏壓下工作。在無光照時，p-n結不會發生雪崩倍增效應。但結區一旦有光照射，激發出的光生載流子就被臨界強電場加速而導致雪崩倍增。若反向偏壓大于反向擊穿電壓時，光電流的增益可達（十的六次方）即發生“自持雪崩倍增”。由于這時出現的散粒噪聲可增大到放大器的噪聲水平，以致使器件無法使用。石巖高靈敏度光電探測器推廣

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