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飛博光電EDFA光放大器展示

來源: 發布時間:2023-07-08

所謂增益帶寬是指光放大器有效的頻率(或波長)范圍,通常指增益從最大值下降3dB時,對應的波長范圍,如1.3.3中λa、λb之間。增益帶寬的單位是納米(nm)。對于WDM系統,所有光波長通道都要得到放大,因此,光放大器必須具有足夠寬的增益帶寬。飽和輸出功率光放大器的輸入光功率范圍有一定的要求,當輸入光功率大于某一閾值時,就會出現增益飽和;增益飽和是指輸出功率不再隨輸入功率增加而增加或增加很小。根據ITU-T的建議,當增益比正常情況低3dB時的輸出光功率稱為飽和輸出功率,其單位通常用dBm表示。光放大器的原理基本上是基于激光的受激輻射,通過將泵浦光的能量轉變為信號光的能量實現放大作用。飛博光電EDFA光放大器展示

較近,美國CIBCWorldMarket公司的相關人士對摻鉺光纖放大器(EDFA)、光纖拉曼放大器(FRA)、半導體光放大器(SOA)這三類光放大器的市場狀況分別進行了分析:EDFA從1994年開始商用,現已成為DWDM系統的關鍵器件,且市場正在快速增長,其中Corning、Lucent和JDSUniphase等許多公司都參與了這一市場的競爭,預計全球EDFA市場將從1999年的13億美元增長到2004年的96億美元,銷售量將以年均43[%]的速度遞增;光纖拉曼放大器近年來備受人們關注,已成為開發的熱點,盡管預計較近一兩年內光纖拉曼放大器還不會在陸地光纜系統中廣泛應用,但其市場規模仍將從1999年的約330萬美元猛增到2004年的7.5億美元;而半導體光放大器(SOA)自應變量子阱材料的SOA研制成功以來,其研制速度和應用開發明顯加快,且SOA市場可望于2001年開始起動,此后會迅速擴大,2004年將達到2億美元的規模。飛博光電EDFA光放大器展示EDFA的最大輸出功率常用3dB輸出飽和功率來表示。

要使各信道上的增益偏差處于允許范圍內,放大器的增益就必須平坦,而使光纖放大器增益平坦技術大體有兩種途徑:其一是"增益均衡技術";其二是"光纖技術"。"增益均衡技術"是利用損耗特性與放大器的增益波長特性相反的增益均衡器來抵消增益的不均勻性,這種技術的關鍵在于放大器的增益曲線和均衡器的損耗特性精密吻合,使綜合特性平坦;現階段實用化的固定式增益平坦控制技術主要有光纖光柵技術和介質多層薄膜濾波器技術等。但隨著多通道(>80Ch)、高速率(>40Gbit/s)、長距離光纖傳輸系統的發展,對光纖放大器的增益平坦控制技術提出了更高的要求,這就需要研制動態增益可調的增益平坦濾波器。

通過對目前DWDM光傳輸系統中廣泛應用的三種放大器的比較,我們不難看出,SOA由于其體積小、結構簡單、成本低、易于集成,因而發展很快,在技術上已比較成熟。但是,迄今為止,其性能與EDFA相比仍有較大差距。SOA雖然失去了原有放大器領域的作用,但卻在波長變換、高速光開關、光復用/解復用領域大放異彩。FRA由于采用分布式放大,因此可以補償色散補償器件帶來的損耗,同時可以避免非線性效應,FRA能在EDFA所不能放大的波段實現放大,既能在全波長范圍內放大光信號,又特別適用于超長距離傳輸和海底光纜通信等不方便設立中繼器的場合,因而倍受歡迎,已成為研發熱點,并隨著瓦級的泵浦激光器小型化、商用化而進入實用化,成為繼EDFA之后的又一顆璀璨明珠。EDFA由于其工作波長恰好與光纖通信比較好窗口(1540nm)相吻合,并且,其技術開發和商品化較成熟,因而是目前較令人滿意的光放大器。總之,高增益、大輸出功率、低噪聲系數是EDFA、SOA和FRA的共同發展方向。光放大器極大地促進了光復用技術、光孤子通信以及全光網絡的發展。

摻餌光纖放大器(EDFA)主要由合波器WDM、泵浦激光器(大功率LD)、光隔離器和摻鉺光纖(長10~30m)構成。EDFA的研制成功,是光通信發展的一個“里程碑”。它的出現打破了光纖通信傳輸距離受光纖損耗的限制,使全光通信距離延長至上千公里,為光纖通信帶來了突破性的變化。摻鉺光纖放大器主要由摻鉺光纖、泵浦光源、耦合器、光隔離器等組成。有同(前)向泵浦、反(后)向泵浦和雙向泵浦3種泵浦方式,其區別在于信號光與泵浦光的注入方向不同。同向泵浦也稱為前向泵浦,它的信號光與泵浦光以同一方向從摻鉺光纖的輸入端注入。反向泵浦也稱為后向泵浦,它的信號光與泵浦光以兩個不同方向注入進摻鉺光纖。雙向泵浦就是同向泵浦與反向泵浦合并的方式。什么是光纖放大器?光放大器的原理是什么?飛博光電EDFA光放大器展示

光纖放大器分為稀土摻雜光纖放大器和利用非線性效應制作的常規光纖放大器。飛博光電EDFA光放大器展示

國內武郵院與華中科技大學合作成功地研制開發了在光網絡中的關鍵器件--半導體光放大器,并很快實現了產品化,成為繼Alcatel公司之后能夠批量供應國際市場應用于光開關的半導體光放大器的供貨商,這標志著我國自行研制的應變量子阱器件邁出了商品化生產的關鍵一步。但半導體光放大器與摻鉺光纖放大器相比存在著噪聲大、功率較小、對串擾和偏振敏感、與光纖耦合時損耗大,工作穩定性較差等缺陷,迄今為止,其性能與摻鉺光纖放大器仍有較大的差距。又由于半導體光放大器覆蓋了1300~1600nm波段,既可用于1300nm窗口的光放大器,也可以用于1550nm窗口的光放大器,且在DWDM多波長光纖通信系統中,無需增益鎖定,那么它不僅可作為光放大器一種有益的選擇方案,而且還可以促成1310nm窗口DWDM系統的實現。飛博光電EDFA光放大器展示

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