當光線照在物體上，使物體的電導率發生變化，或產生光生電動勢的現象叫內光電效應。利用這種現象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導體材料的價帶與導帶間有一個帶隙，其能量間隔為Eg。一般情況下，價帶中的電子不會自發地躍遷到導帶，所以半導體材料的導電性遠不如導體。但如果通過某種方式給價帶中的電子提供能量，就可以將其激發到導帶中，形成載流子，增加導電性。光照就是一種激勵方式。當入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時，價帶中的電子就會吸收光子的能量，躍遷到導帶，而在價帶中下一個空穴，形成一對可以導電的電子——空穴對。這里的電子并未逸出形成光電子，但顯然存在著由于光照而產生的電效應。因此,這種光電效應就是一種內光電效應。從理論和實驗結果分析,要使價帶中的電子躍遷到導帶,也存在一個入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個關系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時,才會發生電子的帶間躍遷。當入射光能量較小,不能使電子由價帶躍遷到導帶時,有可能使電子吸收光能后,在一個能帶內的亞能級結構間躍遷。光電探測器能把光信號轉換為電信號。廣東低失真光電探測器廠家現貨

光電三級管與光電二極管比較，光電三級管輸出電流較大，一般在毫安級，但光照特性較差，多用于要求輸出電流較大的場合。光電三極管有pnp和npn型兩種結構，常用材料有硅和鍺。例如用硅材料制作的npn型結有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光電三極管，其暗電流比鍺光電三極管小，且受溫度變化影響小，所以得到位廣泛應用。下面以3DU型光電三極管為例說明它的結構、工作原理與主要特性。3DU型光電三極管是以p型硅為基極的三極管。3DU管的結構和普通晶體管類似，只是在材料的摻雜情況、結面積的大小和基極引線的設置上和普通晶體管不同。因為光電三極管要響應光輻射，受光面即集電結（bc結）面積比一般晶體管大。另外，它是利用光控制集電極電流的，所以在基極上既可設置引線進行電控制，也可以不設，完全同光一控制。它的工作原理是工作時各電極所加的電壓與普通晶體管相同，即要保證集電結反偏置，發射正偏聽偏置。由于集電結是反偏壓，在結區有很強的內建電場，對3DU管來講，內建電場方向是由c到b的。和光電二極管工作原理相同。廣東16GHZ PIN光電探測器價格合理為了達到比較好的探測器的響應速度，需要在探測器的吸收層厚度和光電探測器的面積中折衷。

光電二極管的工作原理同光電池一樣，都是基于PN結的光伏效應工作的。主要特點是結區面積小，通常工作于反偏置狀態。因此內建電場很強，結區較寬，結電容小，因此頻率特性爺比光電池好，但光電流較小。PIN光電二極管PN半導體中間夾了一層本征半導體，由于本征半導體近似于介質，相當于增大了NPNj結之間的距離，使結電容變小。PN半導體中耗盡層寬度隨反向電壓增加而加寬，將P區做得很薄，由于I層的存在，入射光子只能在I層被吸收，因此在I層形成高電場區，I區的光電子在強電場下加速運動，使得載流子渡越時間非常短，因此可以有效減小時間常數，提高工作頻率特性。

相干光通信系統的基本結構如下圖所示。在發送端，采用外調制方式將信號調制到光載波上進行傳輸。當信號光傳輸到達接收端時，首先與一本振光信號進行相干耦合，然后由平衡接收機進行探測。相干光通信根據本振光頻率與信號光頻率不等或相等，可分為外差檢測和零差檢測。前者光信號經光電轉換后獲得的是中頻信號，還需二次解調才能被轉換成基帶信號。后者光信號經光電轉換后被直接轉換成基帶信號，不用二次解調，但它要求本振光頻率與信號光頻率嚴格匹配，并且要求本振光與信號光的相位鎖定。當光線照在物體上，使物體的電導率發生變化，或產生光生電動勢的現象叫內光電效應。

光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發生改變。光電探測器在國民經濟的各個領域有較廣的用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。光子型探測器是有選擇性響應波長的探測器件。飛博光電高靈敏度光電探測器推廣

光電探測器的工作原理是基于光電效應。廣東低失真光電探測器廠家現貨

在動態特性（即頻率響應與時間響應）方面，以光電倍增管和光電二極管（尤其是PIN管與雪崩管）為比較好；在光電特性（即線性）方面，以光電倍增管、光電二極管和光電池為比較好；在靈敏度方面，以光電倍增管、雪崩光電二極管、光敏電阻和光電三極管為比較好。值得指出的是，靈敏度高不一定就是輸出電流大，而輸出電流大的器件有大面積光電池、光敏電阻、雪崩光電二極管和光電三極管；外加偏置電壓比較低的是光電二極管、光電三極管，光電池不需外加偏置；在暗電流方面，光電倍增管和光電二極管較小，光電池不加偏置時無暗電流，加反向偏置后暗電流也比光電倍增管和光電二極管大；長期工作的穩定性方面，以光電二極管、光電池為比較好，其次是光電倍增管與光電三極管；在光譜響應方面，以光電倍增管和CdSe光敏電阻為較寬，但光電倍增管響應偏紫外方向，而光敏電阻響應偏紅外方向。廣東低失真光電探測器廠家現貨

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