光電探測器必須和光信號的調制形式、信號頻率及波形相匹配，以保證得到沒有頻率失真的輸出波形和良好的時間響應。這種情況主要是選擇響應時間短或上限頻率高的器件，但在電路上也要注意匹配好動態參數；光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配，以保證有足夠大的轉換系數、線性范圍、信噪比及快速的動態響應等；為使器件能長期穩定可靠地工作，必須注意選擇好器件的規格和使用的環境條件，并且要使器件在額定條件下才能使用。相干接收：在接收設備中利用載波相位信息去檢測并接收信號。深圳30G PIN光電探測器分析

光電三級管與光電二極管比較，光電三級管輸出電流較大，一般在毫安級，但光照特性較差，多用于要求輸出電流較大的場合。光電三極管有pnp和npn型兩種結構，常用材料有硅和鍺。例如用硅材料制作的npn型結有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光電三極管，其暗電流比鍺光電三極管小，且受溫度變化影響小，所以得到位廣泛應用。下面以3DU型光電三極管為例說明它的結構、工作原理與主要特性。3DU型光電三極管是以p型硅為基極的三極管。3DU管的結構和普通晶體管類似，只是在材料的摻雜情況、結面積的大小和基極引線的設置上和普通晶體管不同。因為光電三極管要響應光輻射，受光面即集電結（bc結）面積比一般晶體管大。另外，它是利用光控制集電極電流的，所以在基極上既可設置引線進行電控制，也可以不設，完全同光一控制。它的工作原理是工作時各電極所加的電壓與普通晶體管相同，即要保證集電結反偏置，發射正偏聽偏置。由于集電結是反偏壓，在結區有很強的內建電場，對3DU管來講，內建電場方向是由c到b的。和光電二極管工作原理相同。光電探測器使用方法利用外光電效應制成的光子型探測器是真空電子器件，如光電管、光電倍增管和紅外變像管等。

響應速度可以用光生載流子的渡越時間表示，載流子的渡越時間外在的頻率響應的表現就是探測器的帶寬。光生載流子的渡越時間在光生電流變化中表現為兩部分：上升時間和下降時間。通常取上升時間和下降時間中的較大者衡量探測器的響應速度。決定探測器響應速度的因素主要有：⑴、耗盡區載流子渡越時間：載流子的渡越時間是影響探測器響應速度的很重要因素，當耗盡區電場強度達到比較大時，Wd表示載流子的比較大漂移速度，W表示耗盡區寬度，那么載流子的渡越時間為：t=W/Vd⑵耗盡區外載流子擴散時間：載流子擴散的速度較慢，同時大多數產生于耗盡區之外的載流子的壽命非常短，復合發生速度快。所以擴散運動只對距離耗盡區范圍較近的載流子才能通過擴散運動達到耗盡區中，并在電場中漂移產生光電流。

PN結加正向電壓時，產生多子電流，與光生電流方向相反，并且電流比光生電流大得多，此時無法作為光探測器。PN結處于反向偏壓狀態時，產生的光電子會被反向偏壓迅速通過電場與電極收集，產生反向光電流，通過檢測光電流大小即可得到光功率強度。處于零偏壓的PN結可作為光電池使用。一個大面積的PN結，做好上下極的接觸引線便構成一個光電池。一般光敏面做成梳齒狀，可以減小光生載流子的復合以提高能量轉換效率，減小串聯電阻。對于光電池，負載電阻較大時，輸出線性較差，可獲得較大的輸出電壓，對于不同的入射光強，也會具有不同的最大輸入功率，往往采用多個光電池的串-并聯組合運用。APD適用于接收靈敏度要求高的長距離傳輸和高速率通信系統。

雪崩光電二級管（APD）是得用光生載流子在高電場區內的雪崩效應而獲得光電流增益，具有靈敏度高、響應快等優點，通常用于激光測距、激光雷達、弱光檢測（非線性）。APD雪崩倍增的過程是：當光電二極管的p-n結加相當大的反向偏壓時，在耗盡層內將產生一個很高的電場，它足以使在強電場區漂移的光生載流子獲得充分的動能，通過與晶格原子碰撞將產生新的電子-空穴對。新的電子-空穴對在強電場作用下，分別向相反的方向運動，在運動過程中又可能與原子碰撞再一次產生新的電子-空穴對。如此反復，形成雪崩式的載流子倍增加。這個過程就是APD的工作基礎。APD一般在略低于反向南穿電壓值的反偏壓下工作。在無光照時，p-n結不會發生雪崩倍增效應。但結區一旦有光照射，激發出的光生載流子就被臨界強電場加速而導致雪崩倍增。若反向偏壓大于反向擊穿電壓時，光電流的增益可達（十的六次方）即發生“自持雪崩倍增”。由于這時出現的散粒噪聲可增大到放大器的噪聲水平，以致使器件無法使用。當光線照在物體上，使物體的電導率發生變化，或產生光生電動勢的現象叫內光電效應。廣東7GHZ APD光電探測器展示

光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發生改變。深圳30G PIN光電探測器分析

光電探測器是一種受光器件,具有光電變換功能。光敏器件的種類繁多,有光敏電阻、光電二極管、光電三極管、光晶閘管、集成光敏器件等;有雪崩型的及非雪崩型的;有PN結型、PIN結型及異質結型的等。由于光電探測器的響應速度快，體積小,暗電流小,使之在光纖通訊系統、光纖測試系統、光纖傳感器、光隔離器、彩電光纖傳輸、電視圖象傳輸、快速光源的光探測器、微弱光信號的探測、激光測距儀的接收器件、高壓電路中的光電測量及光電互感器、計算機數據傳輸、光電自動控制及光測量等方面得到了廣泛應用。半導體光電探測器是用半導體材料制作的能接收和探測光輻射的器件。光照射到器件的光敏區時，它就能將光信號轉變成電信號，是一種光電轉換功能的測光元件。它在國家防御和工農業生產中有著重要和較廣的應用。半導體光電探測器可分為光電導型和光伏型兩種。光電導型是指各種半導體光電導管，即光敏電阻；光伏型包括光電池、P-N結光電二極管、PIN光電二級管、雪崩光電二極管、光電三級管等。深圳30G PIN光電探測器分析

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