限流作用的強弱調節使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質的區別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于斬波狀態的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產品的問世是當今電力電子器件長足進步的結果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發軟起動行業的一場**。晶閘管軟啟動器主要性能優于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結構緊湊，維護量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復性好，保護周全，這些都是液阻軟起動難以望其項背的。正高電氣過硬的產品質量、質量的售后服務、認真嚴格的企業管理，贏得客戶的信譽。MTDC55晶閘管智能模塊報價

    構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結。MTDC55晶閘管智能模塊報價正高電氣以誠信為根本，以質量服務求生存。

    晶閘管是晶體閘流管的簡稱，原名可控硅整流器（SCR），簡稱可控硅，其派生器件有雙向晶閘管和可關斷晶閘管。晶閘管的出現，使半導體器件從弱電領域進入強電領域。主要應用于整流、逆變、調壓、開關等方面，應用**多在晶閘管可控整流。1.單向晶閘管具有3個PN結的四層結構的器件，引出的電極分別為陽極A、陰極K和控制極G。右邊為其等效電路。通斷轉換條件：主要參數1）額定正向平均電流。在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。2）維持電流。在規定環境溫度、控制極斷開的條件下，保持晶閘管處于導通狀態所需要的**小正向電流。3）門極觸發電壓。在規定環境溫度及一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導通，控制極所需的**小電壓，一般為1~5V。4）門極觸發電流。在規定環境溫度即一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導通，控制極所需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。5）正向重復峰值電壓。在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，稱為正向重復峰值電壓。6）正向重復峰值電流。在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管上的反向峰值電壓。

    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關與接觸器的選型無功補償中一個重要器件就是電容器投切開關。早期多采用的是接觸器，隨后呈現的是可控硅投切開關，希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大，嚴重時，會發作觸頭熔焊現象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器，在無功負荷動搖大，電容器投切頻繁的狀況下，也存在運用壽命短，需求經常停止檢修的問題。一般使用于負荷穩定，投切次數較少的場合。可控硅投切開關，具有零電壓投入、零電流切除，投切過程無涌流，對電網無沖擊，反響速度快等特性，會產生很高的溫升，需求運用**散熱器，來處理其通風散熱問題，一般應用于負荷急劇變化的需頻繁投切的場合。希拓電氣（常州）有限公司是專業的可控硅投切開關生產供應廠商，嚴格把控產品細節，努力為客戶提供完善的服務。我司**產品主要包含德國進口可控硅、可控硅觸發模塊（自主研發）、溫控開關、鋁合金散熱器、冷卻風機等，能實現可控硅的智能散熱及智能溫度保護的功能，可提高可控硅的運行穩定性。正高電氣銳意進取，持續創新為各行各業提供專業化服務。

    這兩部分電路，R5、RP和C5構成阻容移相電路。合上電源開關S，交流電源電壓通過R5、RP向電容器C5充電，當電容器C5兩端的電壓上升到略高于雙向觸發二極管ST的轉折電壓時，ST和雙向晶閘管VS相繼導通，負載RL得電工作。當交流電源電壓過零瞬間，雙向晶閘管自行關斷，接著C5又被電源反向充電，重復上述過程。分析電路時，觸發電路是工作在交流電路中的，交流電壓的正、負半周分別會發出正、負觸發脈沖送到雙向晶閘管的控制極，使管子在正、負半周內對稱地導通一次。改變RP的阻值，就改變了C5的充電速度，也就改變了雙向晶閘管的導通角，相應地改變了負載RL上的交流電壓，實現了交流調壓。同是不是可以直接作交流調壓器使用呢？一個簡易型調壓器，在要求不高的場合（如燈具調光）完全可以使用。這種調壓器的缺點有兩個：一是負載RL上的電壓不能從零伏起調，比較低只能調到20V。當RP調到比較大值時，C5充電速度變得很慢，以致在交流電壓的半個周期時間內，C5上的電壓還來不及上升到雙向觸發二極管的轉折電壓，雙向晶閘管就不能導通。為了克服這一缺點，增加了由R4、C4和R6組成的另一條阻容移相電路。當RP調到極限值以上時。C4上的電壓可經R6向C5充電。正高電氣公司可靠的質量保證體系和經營管理體系，使產品質量日趨穩定。聊城MTAC20晶閘管智能模塊廠家

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