相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現代在電氣行業的不斷發展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數有哪些你知道嗎？下面為大家講解。

可控硅模塊的主要參數有：

(1) 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。 淄博正高電氣有限公司敢于承擔、克難攻堅。福建快恢復可控硅模塊組件

可控硅元件在電氣設備中發揮重大作用，但可控硅使用中必須要注意運行環境和相關指標，防止可控硅損壞而影響到設備的正常使用。對此，在選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。

1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。

3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。

6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。

滿足可控硅模塊工作的必要條件：

（1）+12V直流電源：可控硅模塊內部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求：標稱電流小于500安培產品：I+12V＞0.5A，標稱電流大于500安培產品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模塊控制信號：0～10V或4～20mA控制信號，用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號，正極接CON10V或CON20mA，負極接GND1。

（3）可控硅模塊供電電源和負載：供電電源一般為電網電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。

可控硅模塊的使用注意事項

1.在選擇可控硅模塊的額定電流時，應注意的是，除考慮通過元件的平均電流外，還必須注意正常運行過程中傳導角的大小、散熱和通風條件等因素，同時，管殼的溫度不得超過相應電流的允許值。

2.使用可控硅模塊時，使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態，如有短路或斷路，應立即更換。

3.嚴禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。

4.率大于5A的可控硅模塊，應安裝散熱器，并保證規定的冷卻條件。同時，為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應在兩者之間涂一層有機硅油或硅脂，以利于更好的散熱。

5.根據規定，主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護裝置。

6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 淄博正高電氣有限公司以發展求壯大，就一定會贏得更好的明天。

可控硅模塊的應用領域

該智能模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業、通訊、**等各類電氣操控、電源等，依據還可經過模塊的操控端口與多功用操控板聯接，結束穩流、穩壓、軟啟動等功用，并可結束過流、過壓、過溫、缺持平維護功用。

可控硅模塊的操控辦法

經過輸入模塊操控接口一個可調的電壓或許電流信號，經過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調度，結束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數導通的進程。

電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種辦法；操控信號選用0～5V，0～10V，4～20mA三種對比常用的操控辦法。

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雙向可控硅晶閘管使用中，應特別注意以下事項：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制極導通，但是觸發靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態的較小門極電流IGT是有區別的。

2.可控硅過載的保護

可控硅元件優點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取；

（3）為保證控制極可靠觸發，加到控制極的觸發電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護常發生在存在電感的電路上，或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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