1、過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù),建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡(jiǎn)單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的,按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差,當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時(shí),即使時(shí)間很短,也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,會(huì)引起晶閘管硬開通,它不僅使電路工作失常,且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低,甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù),推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。(1)阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí),和開關(guān)電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會(huì)產(chǎn)生過電壓。正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品,完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)!武漢三相交流調(diào)壓模塊組件
壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別?可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,對(duì)于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類型非常的多,比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異,下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時(shí)也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來(lái)講,焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn),焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,但是在使用的時(shí)候是沒有任何的影響的。③眾所周知,壓接式可控硅模塊的市場(chǎng)占有率是非常大的,有不少的公司都會(huì)使用壓接式可控硅模塊,這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀,除此之外從價(jià)格方面來(lái)講,焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低。我公司的電力半導(dǎo)體器件有:全系列功率模塊(MTC,MFC,MDC,MDQ,MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK)。廣西行車穩(wěn)流模塊正高電氣以發(fā)展求壯大,就一定會(huì)贏得更好的明天。
大中小電力半導(dǎo)體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長(zhǎng)8...展開全文一、產(chǎn)品特點(diǎn):1、芯片與底板電氣絕緣,2500V交流電壓;2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝;3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù);4、壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力;5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,300A以上模塊,既可選用風(fēng)冷,也可選用水冷;7、安裝簡(jiǎn)單,使用維修方便,體積小,重量輕。二、型號(hào)說(shuō)明:三、技術(shù)參數(shù):型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式:五、產(chǎn)品應(yīng)用:1、交直流電機(jī)控制;2、各種整流電源;3、工業(yè)加熱控制;4、調(diào)光;5、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān);6、電機(jī)軟起動(dòng);7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗;8、電焊機(jī);9、變頻器;10、UPS電源;11、電池充放電。說(shuō)明:,Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值,表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;,在50HZ頻率下,I2t(10ms)=(A2S)。
晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國(guó)通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示)。晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。中文名晶閘管外文名Thyristo目錄1種類2工作原理3工作條件4工作過程5注意事項(xiàng)6如何保護(hù)晶閘管晶體閘流管種類編輯(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。。二)按引腳和極性分類晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。。正高電氣展望未來(lái),信心百倍,追求高遠(yuǎn)。
軟恢復(fù)快速整流管(FRD),旋轉(zhuǎn)整流管(ZX),大功率組合整流元件,普通晶閘管(KP),快速晶閘管(KK),雙向晶閘管(KS),逆導(dǎo)晶閘管(KN),可關(guān)斷晶閘管(GTO),電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵(lì)磁整流組件,各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源,充電電源,電機(jī)調(diào)速,感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件,實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國(guó)產(chǎn)化;6K、6G、8K、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國(guó)產(chǎn)化,使用壽命超過了進(jìn)口元件。在自動(dòng)控制方面,我公司成功開發(fā)出各種工控板,應(yīng)用在各種不同的場(chǎng)合,真正形成了控制方式靈活,保護(hù)齊全,可靠性高的優(yōu)勢(shì)。與模塊結(jié)合開發(fā)了智能模塊。廣泛應(yīng)用于不同行業(yè)各種領(lǐng)。在散熱器方面公司成功開發(fā)了,通過努力已進(jìn)入了國(guó)內(nèi)的輸變電行業(yè)、機(jī)車行業(yè)所需的**市場(chǎng)。正高電氣公司依托便利的區(qū)位和人才優(yōu)勢(shì)。江西小功率晶閘管模塊哪家好
正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。武漢三相交流調(diào)壓模塊組件
它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來(lái)方便地改變負(fù)載的交流工作電壓,從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場(chǎng)合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強(qiáng)型的區(qū)別在感性負(fù)載的場(chǎng)合,當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時(shí),由于電流、電壓的相位不一致,將產(chǎn)生一個(gè)很大的電壓上升率dv/dt(換向dv/dt)加在雙向可控硅兩端,如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(biāo)(典型值為10V/μs)則將導(dǎo)致延時(shí)關(guān)斷,甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài),只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,由兩只單向可控硅反并聯(lián)構(gòu)成的增強(qiáng)型LSR比由一只雙向可控硅構(gòu)成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高,因此在感性或容性負(fù)載場(chǎng)合宜選取增強(qiáng)型LSR。㈣繼電器負(fù)載輸出端電流等級(jí)及型號(hào)如下表:電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強(qiáng)型15A增強(qiáng)型35A型號(hào)LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強(qiáng)型50A增強(qiáng)型70A增強(qiáng)型90A。武漢三相交流調(diào)壓模塊組件
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