壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區別?可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結構也十分的緊湊,對于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類型非常的多,比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異,下面詳細的進行區分一下。①從電流方面來講,焊接式可控硅模塊可以做到160A電流,同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時也有壓接式的。可控硅模塊②從外形方面來講,焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術十分的標準,焊接式的局部地區可能有焊接的痕跡,但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知,壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的,有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊,這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀,除此之外從價格方面來講,焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。我公司的電力半導體器件有:全系列功率模塊(MTC,MFC,MDC,MDQ,MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK)。正高電氣的行業影響力逐年提升。江蘇雙向晶閘管模塊
晶閘管模塊產品特點:
1、芯片與基板電絕緣,電壓2500V;
2、 國際標準封裝;
3、壓接結構,優良的溫度特性和動力循環能力;
4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;
5、200A以下為強制風冷,300A以上模塊,可以選擇風冷或水冷。
6、安裝簡單,使用維修方便,體積小,重量輕。
典型應用:
直流電源、交流開關、焊接設備、電機控制、調光、變頻器、UPS電源、無觸點開關、電機軟起動、蓄電池充放電、靜態無功功率補償、工業加熱控制、各種整流電源。 電磁吸盤單相整流調壓模塊正高電氣運用高科技,不斷創新為企業經營發展的宗旨。
另外在化工、煤礦、鋼鐵和等一些要求特殊的裝置和惡劣的工作環境中,以及要求工作高可靠的場合中,LSR都比傳統的繼電器有無可比擬的優越**流固態繼電器工作原理:LSR實際是一個受控的電力電子開關,其等效電路如圖1。圖2普通型交流LSR內部結構框圖一般情況下,萬用表不能判別LSR的好壞,正確的方法采用圖3的測試電路:當輸入電流為零時,電壓表測出的電壓為電網電壓,電燈不亮(燈泡功率須25W以上);當輸入電流達到一定值以后,電燈亮,電壓表測出的電壓為LSR導通壓降(在2V以下)。因LSR內部有RC回路而帶來漏電流,因此不能等同于普通觸點式的繼電器、接觸器,不能作隔離開關用。圖3LSR測試電路㈡LSR特點交流固態繼電器與通常的電磁繼電器不同:無觸點、輸入電路與輸出電路之間光(電)隔離、由分立元件.半導體微電子電路芯片和電力電子器件組裝而成,以阻燃型環氧樹脂為原料,采用灌封技術持其封閉在外殼中、使與外界隔離,具有良好的耐壓、防腐、防潮抗震動性能。主要不足是存在通態壓降(需相應散熱措施),有斷態漏電流,觸點組數少,另外過電流、過電壓及電壓上升率、電流上升率等指標差。㈢LSR的分類交流固體繼電器按開關方式分有電壓過零導通型。
當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,引發電路故障;當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,晶閘管就會立即損壞。因此,必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化,使得系統來不及轉換,或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類:(1)交流電源接通、斷開產生的過電壓例如,交流開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓,這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的2至10多倍。一般地,開閉速度越快過電壓越高,在空載情況下斷開回路將會有更高的過電壓。。2)直流側產生的過電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時的電流值較大,都會產生比較大的過電壓。這種情況常出現于切除負載、正在導通的晶閘管開路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場合。。正高電氣秉承團結、奮進、創新、務實的精神,誠實守信,厚德載物。
六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態平均電壓或通態壓降VT,是指在規定環境溫度和標準散熱條件下,當通過晶閘管的電流為額定電流時,其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值,通常為。(七)晶閘管門極觸發電壓VGT門極觸發VGT,是指在規定的環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需要的**小門極直流電壓,一般為。(八)晶閘管門極觸發電流IGT門極觸發電流IGT,是指在規定環境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態轉變為導通狀態所需要的**小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓,一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導通的**小電流。當正向電流小于IH時,導通的晶閘管會自動關斷。(十一)晶閘管斷態重復峰值電流IDR斷態重復峰值電流IDR,是指晶閘管在斷態下的正向比較大平均漏電電流值,一般小于100μA(十二)晶閘管反向重復峰值電流IRRM反向重復峰值電流IRRM,是指晶閘管在關斷狀態下的反向比較大漏電電流值,一般小于100μA。正高電氣為企業打造高水準、高質量的產品。廣西三相整流調壓模塊廠家
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它可以用控制移相觸發脈沖來方便地改變負載的交流工作電壓,從而應用于精確地調溫、調光等阻性負載及部分感性負載場合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯輸出的增強型的區別在感性負載的場合,當LSR由通態關斷時,由于電流、電壓的相位不一致,將產生一個很大的電壓上升率dv/dt(換向dv/dt)加在雙向可控硅兩端,如此值超過雙向可控硅的換向dv/dt指標(典型值為10V/μs)則將導致延時關斷,甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態,只受靜態電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,由兩只單向可控硅反并聯構成的增強型LSR比由一只雙向可控硅構成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高,因此在感性或容性負載場合宜選取增強型LSR。㈣繼電器負載輸出端電流等級及型號如下表:電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強型15A增強型35A型號LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強型50A增強型70A增強型90A。江蘇雙向晶閘管模塊
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