晶閘管的主要電參數有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態平均電流IT、門極觸發電壓VG、門極觸發電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態轉變為導通狀態時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態重復峰值電壓VDRM斷態重復峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態平均電流IT通態平均電流IT，是指在規定環境溫度和標準散熱條件下，晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結溫下，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。正高電氣永遠是您身邊的行業**！山西雙向晶閘管模塊組件

    硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規則的ZNO微結晶，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當加上電壓時，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內的比較大沖擊電流值來表示。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數，標稱電壓值不僅會隨著放電次數增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當大到某一電流時，標稱電壓下降到0，壓敏電阻出現穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。江蘇集成智能調壓模塊報價正高電氣講誠信，重信譽，多面整合市場推廣。

    漏電流：指加一半標稱直流電壓時測得的流過壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，過電壓能力強；平時漏電流小，放電后不會有續流，元件的標稱電壓等級多，便于用戶選擇；伏安特性是對稱的，可用于交、直流或正負浪涌；因此用途較廣。2、過電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結溫必須受到嚴格的控制，否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時，熱量來不及散發，使得結溫迅速升高，**終將導致結層被燒壞。產生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發電路發生故障，控制系統發生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負載過載或短路，相鄰設備故障影響等。晶閘管過電流保護方法**常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞；所以不能用來保護晶閘管。

    大中小電力半導體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長8...展開全文一、產品特點：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國際標準封裝；3、真空+充氫保護焊接技術；4、壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強迫風冷，300A以上模塊，既可選用風冷，也可選用水冷；7、安裝簡單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號說明：三、技術參數：型號通態平均電流反向斷態重復峰值電壓通態峰值電壓通態峰值電流正反向重復峰值電流觸發電流觸發電壓維持電流斷態電壓臨界上升率通態電流臨界上升率比較高額定結溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯結形式：五、產品應用：1、交直流電機控制；2、各種整流電源；3、工業加熱控制；4、調光；5、無觸點開關；6、電機軟起動；7、靜止無功補嘗；8、電焊機；9、變頻器；10、UPS電源；11、電池充放電。說明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調試值，表中其它參數皆jm下的測試值;，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S)。正高電氣以誠信為根本，以質量服務求生存。

    500Vdc）比較大容抗10pf使用溫度范圍-30℃~+75℃電網頻率47-63Hz㈥不同電流等級的固體繼電器的外形㈦LSR的輸入驅動電路在邏輯電路驅動時應盡可能采用低電平輸出進行驅動，以保證有足夠的帶負載能力和盡可能低的零電平。下圖為正確的灌電流驅動的電路圖（一般適合于D3、D2型）：D1型（4-8Vdc）通常與單相或三相LSR移相觸發器配合使用。A3型（90-430Vac）為交流控制交流型，在90-430Vac極寬的范圍內均能可靠觸發繼電器導通，且輸入與輸出沒有相位要求：㈧LSR過壓的保護：除LSR內部本身有RC吸收回路保護外，還可以采取并聯金屬氧化物壓敏電阻（MOV），MOV面積大小決定吸收功率，MOV的厚度決定保護電壓值。一般220V系列LSR可選取500V-600V的壓敏電阻，380V系列SSR可選取800V-900V的壓敏電阻，480V系列SSR可選取1000V-1100V的壓敏電阻。㈨LSR的功率擴展：本公司生產的2A、8A無RC吸收回路的LSR可用于任何大電流等級的可控硅觸發，功率擴展后仍具有過零特性或隨機特性。功率擴展LSR的型號為：LSR-3P02E（D3/D2/D1/A3），LSR-3P08E（D3/D2/D1/A3）。正高電氣企業文化：服務至上，追求超越，群策群力，共赴超越。江蘇集成智能調壓模塊報價

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