正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極：一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。

  只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。 淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。東營快恢復可控硅模塊配件

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快，在微秒級內開通、關斷;無觸點運行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 湖北反并聯可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司銳意進取，持續創新為各行各業提供專業化服務。

可控硅模塊散熱條件的好壞直接關系到商品的運用壽數和短時過載才華，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在運用中有必要裝備散熱器和風機，主張選用帶有過熱維護功用的商品，有水冷散熱條件的優先挑選水冷散熱。咱們經過嚴肅測算，斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型，推薦選用廠家配套的散熱器和風機，用戶自備時按以下準則挑選：

1、軸流風機的風速應大于6m/s ；

2、有必要能確保模塊正常作業時散熱底板溫度不大于80℃；

3、模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或選用天然冷卻；

4、選用天然辦法冷卻時散熱器周圍的空氣能結束對流并恰當增大散熱器面積；

5、悉數緊固模塊的螺釘有必要擰緊，壓線端子聯接強健，以削減次生熱量的發生，模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導熱硅脂或墊上一片底板大小的導熱墊，以抵達良好散熱作用。

任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時間長了，它的溫度就會升高，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高，溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響，環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行，也可單獨進行，被測減速機在符合規定時，讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度

可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極a，陰極K和控制機G所構成的。

可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹：

可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業、通訊、**等各類電氣控制、電源等，根據還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現穩流、穩壓、軟啟動等功能，并可實現過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。 淄博正高電氣有限公司與廣大客戶攜手共創碧水藍天。東營快恢復可控硅模塊配件

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單向可控硅的檢測

  萬用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑筆接的引腳為控制極G，紅筆接的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。 東營快恢復可控硅模塊配件

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