并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態。式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用。在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態。可關斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發之后，撤掉信號亦能維持通態。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強近關斷。這就需要增加換向電路，不僅使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產生波形失真和噪聲。可關斷晶閘管克服了上述缺點，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點。公司實力雄厚，產品質量可靠。青島MTDC500晶閘管智能模塊批發

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡。青島MTDC500晶閘管智能模塊批發正高電氣始終以適應和促進工業發展為宗旨。

    引理**近有朋友說關于加熱爐出現燒毀晶閘管的問題，事情起源為公司設計了一個加熱爐，加熱上限溫度100度，下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設計連接方式為星形連接，其中一臺設備采用了三角形連接方式，結果晶閘管經常被燒毀，問這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個問題，需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個方面進行分析。本文分析采用理論與實際相結合形式，讀者根據需求選擇部分章節進行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導通控制電阻絲功率的調功器。調功器的控制方式：晶閘管零電壓開關，在時間周期T內，晶閘管全導通周波數對應的時間Tm，晶閘管關閉時間T-Tm，采用控制方式通常為PID控制，根據當前溫度與目標控制溫度差值，PID調節器輸出值決定導通周波數時間，在晶閘管導通時，負載電壓等于相電壓，在晶閘管關段時，負載電壓等于零。晶閘管晶閘管電阻絲串聯星接每個控制周期T的平均電壓為：每個控制周期T的電阻加熱量為：可見電阻絲加熱熱量與電壓Tm的平方成正比。Tm越大，加熱量越大。而電爐子的傳遞函數仍然可用《自動控制原理》一文中的公式進行計算。

    過流保護如果想得到較安全的過流保護，建議用戶優先使用內部帶過流保護功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據經驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉折電壓，會引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護措施用以晶閘管上可能出現的過電壓。模塊的過壓保護，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導通到阻斷時，和開關電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會產生過電壓。正高電氣擁有先進的產品生產設備，雄厚的技術力量。

晶閘管智能模塊過流保護：

加熱爐在實際工作中因加熱絲溫度上升，會導致加熱絲變形，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會使電流增大，電流過大后會超過模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過大，必須采取過流保護措施，一般再模塊的輸入端分別串聯快速熔斷器來限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負載的額定電流或略大于負載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護作用。 正高電氣累積點滴改進，邁向優良品質！青島MTDC500晶閘管智能模塊批發

正高電氣為客戶服務，要做到更好。青島MTDC500晶閘管智能模塊批發

電子元器件制造業是電子信息產業的重要組成部分，是通信、計算機及網絡、數字音視頻等系統和終端產品發展的基礎，其技術水平和生產能力直接影響整個行業的發展，對于電子信息產業的技術創新和做大做強有著重要的支撐作用。在一些客觀因素如生產型的推動下，部分老舊、落后的產能先后退出市場，非重點品種的短缺已經非常明顯。在這樣的市場背景下，電子元器件產業有望迎來高速增長周期，如何填補這一片市場空白，需要理財者把握時勢，精確入局。5G時代天線、射頻前端和電感等電子元件需求將明顯提升,相關可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發板，電力調整器公司如信維通信、碩貝德、順絡電子等值的關注。提升傳統消費電子產品中高級供給體系質量,增強產業重點競爭力:在傳統消費電子產品智能手機和計算機產品上,中國消費電子企業在產業全球化趨勢下作為關鍵供應鏈和主要市場的地位已經確立,未來供應體系向中高級端產品傾斜有利于增強企業贏利能力。在市場競爭力、市場影響力、企業管理能力以及企業經營規模實力等方面，繼續做大做強，不斷強化公司在國內可控硅模塊,晶閘管模塊,晶閘管智能模塊,可控硅集成模塊,晶閘管集成模塊,可控硅觸發板,電力調整器,固態繼電器,智能可控硅調壓模塊,晶閘管調壓模塊,可控硅模塊廠家,可控硅智能調壓模塊,移相觸發板,調壓模塊,晶閘管智能調壓模塊,單相觸發板授權分銷行業的優先地位。因為行業產值的天花板仍很高，在這個領域內繼續整合的空間還很大。青島MTDC500晶閘管智能模塊批發

淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經濟發達、文化底蘊深厚的淄博市臨淄區，是專業從事電力電子產品、及其相關產品的開發、生產、銷售及服務為一體的高科技企業。主要生產各類規格型號的晶閘管智能模塊、晶閘管模塊、可控硅模塊、電力調整器、固態繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發板、控制板等產品，并可根據用戶需求進行產品設計加工。近年來，本公司堅持以人為本，始終立足于科技的前沿，狠抓產品質量，產品銷往全國各地，深受用戶的好評。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發展的腳步，在社會各界及客戶的大力支持下，生機勃發，春意盎然。面向未來，前程似錦，豪情滿懷。今后，我們將進一步優化產品品質，堅持科技創新，一切為用戶著想，以前列的服務為社會奉獻高、精、尖的產品，不斷改進、不斷提高是我們不變的追求，用戶滿意是我們追求的方向。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來我公司參觀指導，恰談業務！