使設備進入穩態運行。若一次起動不成功，即自動調頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時，它激信號便會一直掃描到比較低頻率，重復起動電路一旦檢測到它激信號進入到比較低頻段，便進行一次再起動，把它激信號再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動成功，重復起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經IC1A轉換成方波信號，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發信號。經IC7A隔離放大后，驅動逆變觸發CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進行頻壓轉換后用于驅動頻率表。W6微調電位器用于設定壓控時鐘的比較高頻（即逆變它激信號的比較高頻率），W5微調電位器用于整定外接頻率表的讀數。另外，當發生過電壓保護時，IC6內部的過電壓保護振蕩器起振，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發脈沖，使逆變橋的4只晶閘管均導通。IC4A為起動失敗檢測器，其輸出控制IC6內部重復起動電路。過電流保護信號經Q3倒相后，送到IC6的20P，整流觸發脈沖：驅動“”LED批示燈亮和驅動報警繼電器。過電流觸發器動作后，只有通過復位信號或通過關機后再開機進行“上電復位”，方可再次運行。正高電氣有著質量的服務質量和極高的信用等級。山東MTAC350晶閘管智能模塊生產廠家

晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發的全數字移相觸發集成電路,實現了控制電路與晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控功能。 晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板，模塊壓降小、功耗低，效率高,節電效果好。晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發控制電路的可靠性。 晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板，經獨特處理方法和特殊焊接工藝，保證焊接層無空洞，導熱性能好。熱循環負載次數高于國家標準近10倍。 5 (5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優良。 晶閘管模塊采用觸發控制電路、主電路與導熱底板相互隔離，導熱底板不帶電．絕緣強度≥2500V (RMS)，保證人身安全。晶閘管智能調壓器又稱之為可控硅整流元件，它是由三個P內結構組合而成的一種大功率半導體器件。從性能上來說，晶閘管智能調壓器具有單向導電性和可控性兩種優勢，但它只有導通和關斷兩種狀態。山東MTAC350晶閘管智能模塊生產廠家我公司生產的產品、設備用途非常多。

    以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值。

    逆變橋進入工作狀態，開始起振，若不起振，表現為它激信號反復作掃頻動作，可調節中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調后，仍然起動不起來。此時應確認一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測量一下電熱電容器的電容量及感應器的電感量，計算出槽路的諧振頻率，當槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動應該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開關均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調節主控板上W4微調電位器，使逆變換相引前角在22°左右，此時中頻輸出電壓與直流電壓的比為（若換相重疊角較大，可適當增大逆變換相引前角），此步整定的是**小逆變引前角，一般期望它盡可能的小，當然，過小的逆變換相此前角會使逆變換相失敗，表現為中頻電壓升高時，會出現重復起動。再把DIP-2開關打在ON位置，調節主控板上W3微調電位器，整定比較大逆變換相引前角。根據不同的中頻輸出電壓的要求，比較大逆變換相引前角亦不同，如中頻裝置三相輸入電壓為380V，額定中頻輸出電壓為750V時。正高電氣以快的速度提供好的產品質量和好的價格及完善的售后服務。

    三相負載吸收的功率等于各相功率之和。上節已經分析了，如果把電阻R的星接結構改成角接結構，更改后的角接結構等效變換為星接結構時，對應的星接等效電阻為R/3。如下圖所示：角接等效星接三相對稱電路的瞬時功率P為各相負載瞬時功率之和：那么，此時的相電流為更改前相電流的3倍。因此，更改后的三相對稱電路功率P為更改**相對稱電流功率P0的3倍：晶閘管額定通態電流通常為電路額定電流的2倍。這意味著晶閘管比較大運行功率為額定功率的2倍，因此：同樣阻值的電阻，由星接更改為角接后，三相對稱電路的功率增大了3倍。這導致了晶閘管功率超限而燒毀。保證系統運行的基本要求：1從晶閘管的功率選型來看，需要把三角形連接電阻結構改為星接電阻結構。2如果電阻絲連接結構由星接變為角接，要想保證設備能正常工作，需要更換耐流比現有晶閘管大3倍的晶閘管器件。或者更換耐流比現有晶閘管大2倍的晶閘管器件同時把晶閘管的連接方式放在三角形里面與電阻串聯。更換晶閘管后設備可以提高3倍功率運行。3如果更換晶閘管后，設備還需要保持原有功率運行則需要如下操作：軟件控制方面要保證系統穩定運行，應進行輸出功率限幅，降低系統控制輸出力度。我公司將以優良的產品，周到的服務與尊敬的用戶攜手并進！山東MTAC350晶閘管智能模塊生產廠家

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    并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態。式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。晶閘管在導通后，門極已失去作用。在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態。可關斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發之后，撤掉信號亦能維持通態。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強近關斷。這就需要增加換向電路，不僅使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產生波形失真和噪聲。可關斷晶閘管克服了上述缺點，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點。山東MTAC350晶閘管智能模塊生產廠家

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