斷一個可控硅元件是否完好，工程師需要從四個方面進行檢查，首先是判斷該元件的三個PN結應完好，其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通，第三是當控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應當導通，把控制極電流去掉后仍處于導通狀態。滿足以上四個條件的可控硅元件，才是符合設計使用要求的。

  想要看一個可控硅元件是否符合以上要求，其實非常簡單，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對**個方面的好壞進行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個阻值均應很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經擊穿短路或已經開路，此可控硅不能使用了。 淄博正高電氣有限公司誠信、盡責、堅韌。福建小功率可控硅模塊價格

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快，在微秒級內開通、關斷;無觸點運行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 福建小功率可控硅模塊價格淄博正高電氣有限公司得到市場的一致認可。

可控硅元件控制大電感負載時會有干擾電網和自干擾的現象，其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產生一個高電壓，這個電壓通過電源的內阻加在開關觸點的兩端，然后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負載的開關點是一個很強的噪聲源。

可控硅模塊的使用注意事項

1.在選擇可控硅模塊的額定電流時，應注意的是，除考慮通過元件的平均電流外，還必須注意正常運行過程中傳導角的大小、散熱和通風條件等因素，同時，管殼的溫度不得超過相應電流的允許值。

2.使用可控硅模塊時，使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態，如有短路或斷路，應立即更換。

3.嚴禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。

4.率大于5A的可控硅模塊，應安裝散熱器，并保證規定的冷卻條件。同時，為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應在兩者之間涂一層有機硅油或硅脂，以利于更好的散熱。

5.根據規定，主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護裝置。

6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 淄博正高電氣有限公司產品適用范圍廣，產品規格齊全，歡迎咨詢。

可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。歡迎各界朋友蒞臨參觀。福建小功率可控硅模塊價格

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可控硅模塊特點：

1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM和IRRM。

3 對通態電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態所必 需的極小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。

5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 福建小功率可控硅模塊價格

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