可控硅模塊規格的選擇方法：考慮到可控硅產品一般為非正弦電流，存在導通角問題，負載電流存在一些波動和不穩定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負載×U∕U實際

K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的強大電流； U實際：負載上的小電壓；

U強大 模塊能輸出的強大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司生產的產品受到用戶的一致稱贊。東營小功率可控硅模塊哪家好

單向可控硅的檢測

  萬用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑筆接的引腳為控制極G，紅筆接的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。 陜西小功率可控硅模塊品牌歡迎各界朋友蒞臨參觀。

可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。

 由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由于觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。

  由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化

任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時間長了，它的溫度就會升高，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高，溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響，環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行，也可單獨進行，被測減速機在符合規定時，讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化，使系統轉換太晚，或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。

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可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。

可控硅模塊的工作條件：

1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態。

2.當可控硅模塊經歷正向陽極電壓時，可控硅*在門級受到正向電壓時接通。

3.當可控硅模塊導通時，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導通，如果可控硅導通后，門極將失去其功能。

4..當可控硅模塊導通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關斷。 東營小功率可控硅模塊哪家好

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