可控硅模塊屬于電氣元器件,目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開關器件,它是從普通可控硅模塊的基礎上發(fā)展而來的,使用更加方便、安全可靠。下面正高來帶您了解下雙向可控硅模塊的特點與性能。
雙向可控硅模塊是由一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅模塊有兩個主電極T1和T2和一個門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導通,所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅模塊門極加正、負觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導通,因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅模塊,需定量掌握其主要參數(shù),對雙向可控硅模塊進行適當選用并采取相應措施以達到各參數(shù)的要求。 淄博正高電氣有限公司誠信、盡責、堅韌。日照小功率可控硅模塊價格
正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極:一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。
只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點開關。 日照小功率可控硅模塊價格淄博正高電氣有限公司產品適用范圍廣,產品規(guī)格齊全,歡迎咨詢。
滿足可控硅模塊工作的必要條件:
(1)+12V直流電源:可控硅模塊內部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求:標稱電流小于500安培產品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產品:I+12V> 1A。
(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。
(3)可控硅模塊供電電源和負載:供電電源一般為電網電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。
可控硅模塊在應用電路中的作用體現(xiàn)在:
可控整流器:如二極管整流器,交流整流器整流為直流,在交流電壓不變的情況下,可有效控制直流輸出電壓,實現(xiàn)交流/直流的轉換。
無觸點電源靜態(tài)開關(固態(tài)開關):晶閘管模塊作為電源開關元件,可在開關頻率較高的場合替代接觸器和繼電器。
因此,可控硅模塊普遍應用于各種電子設備和電子產品中,如可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。晶閘管模塊廣泛應用于家用電器的工業(yè)控制領域,如調光燈、調速風扇、空調、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、語音控制電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、玩具裝置等。電動工具產品、無線電遙控電路、攝像機等領域都大量的使用了可控硅模塊。 地理位置優(yōu)越,交通十分便利。
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果超過此頻率,因元件開關損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。
可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。日照小功率可控硅模塊價格
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可控硅模塊與其它功率器件一樣,工作時由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發(fā)出去,就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化,直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中相當主要的是導通損耗。為了確保器件長期可靠地工作,設計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要,千萬不可大意!散熱器的常用散熱方式有:自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱問題的總原則是:控制模塊中管芯的結溫Tj不超過產品數(shù)據(jù)表給定的額定結溫日照小功率可控硅模塊價格
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