二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。3、擊穿外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。二極管是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生早的半導體器件之一，其應用也非常廣。二極管的管壓降：硅二極管（不發光類型）正向管壓降，鍺管正向管壓降為，發光二極管正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發光二極管的壓降為，黃色發光二極管的壓降為—，綠色發光二極管的壓降為—，正常發光時的額定電流約為20mA。二極管的電壓與電流不是線性關系，所以在將不同的二極管并聯的時候要接相適應的電阻。[1]二極管原理二極管的原理編輯二極管工作原理。防反二極管也叫做防反充二極管，就是防止方陣電流反沖。福建國產二極管模塊工廠直銷

則指給定反向漏電流條件下的電壓值。（5）高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的高工作頻率。主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復二極管用于頻率較高的交流電的整流，如開關電源中。（6）反向恢復時間trr：指在規定的負載、正向電流及大反向瞬態電壓下的反向恢復時間。（7）零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時IR則變為小于500uA。整流二極管損壞原因編輯（1）防雷、過電壓保護措施不力。整流裝置未設置防雷、過電壓保護裝置，即使設置了防雷、過電壓保護裝置，但其工作不可靠，因雷擊或過電壓而損壞整流管。（2）運行條件惡劣。間接傳動的發電機組，因轉速之比的計算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉速之比的要求，使發電機長期處于高轉速下運行，而整流管也就長期處于較高的電壓下工作。陜西哪里有二極管模塊大概價格多少光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。

沒有高到讓外接的二極管處于導通狀態，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導通，其導通后的內阻很小，這樣會將集成電路A1的①腳輸出的交流信號分流到地，對信號造成衰減，顯然這一電路中不需要對信號進行這樣的衰減，所以從這個角度分析得到的結論是：集成電路A1的①腳輸出的直流電壓不會高到讓VD1、VD2和VD3導通的程度。4）從集成電路A1的①腳輸出的是直流和交流疊加信號，通過電阻R1與三極管VT1基極，VT1是NPN型三極管，如果加到VT1基極的正半周交流信號幅度出現很大的現象，會使VT1的基極電壓很大而有燒壞VT1的危險。加到VT1基極的交流信號負半周信號幅度很大時，對VT1沒有燒壞的影響，因為VT1基極上負極性信號使VT1基極電流減小。5）通過上述電路分析思路可以初步判斷，電路中的VD1、VD2、VD3是限幅保護二極管電路，防止集成電路A1的①腳輸出的交流信號正半周幅度太大而燒壞VT1。從上述思路出發對VD1、VD2、VD3二極管電路進一步分析，分析如果符合邏輯，可以說明上述電路分析思路是正確的。2．二極管限幅電路分析各種限幅電路工作是有方法的，將信號的幅度分兩種情況：1）信號幅度比較小時的電路工作狀態。

外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。[5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結形成原理P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。P型和N型半導體因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。[6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子。常用來觸發雙向可控硅，在電路中作過壓保護等用途。

快速恢復整流二極管和超快恢復整流二極管在開關電源中作為整流器件使用時是否需要散熱器，要根據電路的大功率來決定。一般情況下，這些二極管在制造時允許的結溫在175℃，生產廠家對該指標都有技術說明，以提供給設計者去計算大的輸出工作電流、電壓及外殼溫度等。肖特基整流二極管即使在大的正向電流作用下，其正向壓降也很低，有，而且，隨著結溫的增加，其正向壓降更低，因此，使得肖特基整流二極管特別適用于5V左右的低電壓輸出電路中。肖特基整流二極管的反向恢復時間是可以忽略不計的，因為此器件是多數載流子半導體器件，在器件的開關過程中，沒有少數載流子存貯電荷的問題。肖特基整流二極管有兩大缺點：其一，反向截止電壓的承受能力較低，產品大約為100V;其二，反向漏電流較大，使得該器件比其他類型的整流器件更容易受熱擊穿。當然，這些缺點也可以通過增加瞬時過電壓保護電路及適當控制結溫來克服。表示出了典型的高速整流二極管的特性與參數。它們的結構為點接觸型。其結電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成。西藏二極管模塊銷售廠

二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。福建國產二極管模塊工廠直銷

促使整流管加速老化，并被過早地擊穿損壞。（3）運行管理欠佳。值班運行人員工作不負責任，對外界負荷的變化(特別是在深夜零點至第二天上午6點之間)不了解，或是當外界發生了甩負荷故障，運行人員沒有及時進行相應的操作處理，產生過電壓而將整流管擊穿損壞。（4）設備安裝或制造質量不過關。由于發電機組長期處于較大的振動之中運行，使整流管也處于這一振動的外力干擾之下；同時由于發電機組轉速時高時低，使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化，這樣便地加速了整流管的老化、損壞。（5）整流管規格型號不符。更換新整流管時錯將工作參數不符合要求的管子換上或者接線錯誤，造成整流管擊穿損壞。（6）整流管安全裕量偏小。整流管的過電壓、過電流安全裕量偏小，使整流管承受不起發電機勵磁回路中發生的過電壓或過電流暫態過程峰值的襲擊而損壞。整流二極管代換編輯整流二極管損壞后，可以用同型號的整流二極管或參數相同其它型號整流二極管代換。通常，高耐壓值（反向電壓）的整流二極管可以代換低耐壓值的整流二極管，而低耐壓值的整流二極管不能代換高耐壓值的整流二極管。整流電流值高的二極管可以代換整流電流值低的二極管。福建國產二極管模塊工廠直銷