陶瓷注射成型技術作為一種新興的精密制造技術，有著其不可比擬的獨特優勢。成為國內外精密陶瓷零部件中具有優勢的先進制備技術。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯動孕育無限發展商機IACE CHINA 2025將與第17屆中國?國際粉末冶金及硬質合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應用技術展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯動，串聯相關產業鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿交流平臺。本屆展會（2025年）展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等一應俱全的產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！匯中外優秀企業，展前沿技術產品，“中國?國際先進陶瓷展覽會：2025年3月10-12日將于上海世博展覽館開幕。2025年3月10日-12日中國上海市國際先進陶瓷技術會議

相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導通電阻、開關頻率等方面具有較好的優勢。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開關頻率超過1kHz時，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開關損耗相比可降低多達80%，整體功率損耗降低66%。導通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數量和占位面積。SiC MOSFET的工作結溫和熱穩定性更高，可達200℃或更高，適用于汽車市場，其高耐溫性可降低系統散熱要求和導通電阻偏移。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！3月10日-12日中國上海國際先進陶瓷技術展覽會提高材料性能，創新技術工藝，“中國?國際先進陶瓷展覽會：展會將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕。

在需要高功率的場景中，常將多顆SiC功率半導體封裝到模塊中，實現芯片互連和與其他電路的連接。SiC功率模塊封裝包括芯片、絕緣基板、散熱基板等組件。按封裝芯片類型，可分為混合模塊和全SiC模塊，前者是替換硅基IGBT中的二極管，后者全用SiC芯片，兩者在效率、尺寸和成本上有差異；按拓撲方式，可分為三相模塊、半橋模塊等封裝形式；按散熱方式，可分為單面冷卻和雙面冷卻；按封裝外殼類型，可分為轉模塑封結構和HPD（gao壓聚乙烯塑料）框架結構。隨著需求多樣化，定制化模塊逐漸流行。目前，SiC功率模塊多沿用傳統硅基IGBT封裝結構，難以發揮SiC材料特性，面臨可靠性和成本等挑戰。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內外觀眾預計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產業鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設備、儀器、制品等產品、服務和整體解決方案。誠邀您蒞臨參觀！

氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的撓曲強度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的斷裂韌性甚至超過了氧化鋯摻雜陶瓷。功率模塊內使用的覆銅陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷較低的撓曲強度，而后者會降低熱循環能力。對于那些整合了極端熱和機械應力的應用（例如混合動力汽車和電動汽車(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳選擇。基板（陶瓷）和導體（銅）的熱膨脹系數存在很大差異，會在熱循環期間對鍵合區產生壓力，進而降低可靠性。隨著HEV/EV和可再生能源應用的增長，設計者找到了新方法來確保這些推動極具挑戰性的新技術發展所需的電子元件的可靠性。由于工作壽命比電力電子使用的其它陶瓷長10倍或者更高，所以氮化硅基板能夠提供對于達到必要的可靠性要求至關重要的機械強度。陶瓷基板的壽命是由在不出現剝離和其它影響電路功能與安全的故障的情況下，基板可以承受的熱循環重復次數來衡量的。該測試通常是通過從-55°C到125°C或者150°C對樣品進行循環運行來完成的。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！如何開拓更有價值的新領域？如何延伸萬億市場應用空間？敬請關注2025年3月10日中國?國際先進陶瓷展覽！

碳化硅襯底的電學性能決定了下游芯片功能與性能的優劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學性能的碳化硅襯底。按照電學性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區間為15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過生長氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層。“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！提高材料性能，創新技術工藝，“中國?國際先進陶瓷展覽會：2025年3月10-12日上海世博展覽館！2025年3月10日-12日中國上海市國際先進陶瓷技術會議

行業精英齊聚一堂，為行業發展注入新動能。2025年3月10-12日中國?國際先進陶瓷展覽會！誠邀您蒞臨！2025年3月10日-12日中國上海市國際先進陶瓷技術會議

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！陶瓷基板產品問世，開啟散熱應用行業的發展，由于陶瓷基板散熱特色，加上陶瓷基板具有高散熱、低熱阻、壽命長、耐電壓等優點，隨著生產技術、設備的改良，產品價格加速合理化，進而擴大LED產業的應用領域，如家電產品的指示燈、汽車車燈、路燈及戶外大型看板等。陶瓷基板的開發成功，更將成為室內照明和戶外亮化產品提供服務，使LED產業未來的市場領域更寬廣。誠邀您蒞臨參觀！2025年3月10日-12日中國上海市國際先進陶瓷技術會議