晶振的指標，負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。負載電容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF。激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等。老化率：在確定時間內輸出頻率的相對變化。基頻：在振動模式較低階次的振動頻率。泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，這是它與電氣諧波的主要區別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。在實際應用中要根據具體要求選擇適當的晶振。金華定制晶振供應

影響振蕩器工作的環境因素有：電磁干擾（EMI）、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化，增加不穩定性，并且在有些情況下，還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出，并且能夠在一定條件下保證運行。較常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器（硅振蕩器）。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高，多數情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當的精度。嘉興音叉晶振售價通常人們是利用熱敏電阻“電橋”構成的差動串聯放大器來實現溫度控制的。

周期性輸出信號的標稱頻率（Normal Frequency），就是晶體元件規格書中所指定的頻率，也是工程師在電路設計和元件選購時首要關注的參數。晶振常用標稱頻率在1～200MHz之間，比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的輸出頻率也常用PLL（鎖相環）將低頻進行倍頻至1GHz以上。輸出信號的頻率不可避免會有一定的偏差，我們用頻率誤差或頻率穩定度，用單位ppm來表示，即百萬分之一（1/106），是相對標稱頻率的變化量，此值越小表示精度越高。

晶振的指標，標稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標稱值。頻率準確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對于標稱頻率的偏差。調整頻差：在指定溫度范圍內振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的較大允許頻率偏差。負載諧振頻率（fL）：在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相并聯，其組合阻抗呈現為電阻性時（產生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。通信網絡、無線數據傳輸等系統就需要精度高的晶振。

晶振是電子電路中較常用的電子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，單位為Hz。晶振主要是由晶體和外面元器件構成的。為晶振的實物外形和內部結構及電路圖形符號和等效電路。并聯型晶體振蕩器：三極管VT與R1、R2、R3、R4構成放大電路；C3為交流旁路電容，對交流信號相當于短路；X1為石英晶體，在電路中相當于電感。從交流等效圖可以看出，該電路是一個電容三點式振蕩器，C1、C2、X1構成選頻電路，其選頻頻率主要由X1決定，頻率接近fp。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。溫州無源貼片式晶振供應

普通晶體振蕩器主要應用于穩定度要求不高的場合。金華定制晶振供應

溫度頻差（Frequency Stability vs Temp）表示在特定溫度范圍內，工作頻率相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離，它的單位也是ppm。石英晶體有一種特性，如果在晶片某軸向上施加壓力時，相應施力的方向會產生一定的電位相反的，在晶體的某些軸向施加電場時，會使晶體產生機械變形；晶體的自然諧振頻率，它在高穩晶振的設計中，是作為使晶振穩定工作于標稱頻率、確定頻率調整范圍、設置頻率微調裝置等要求時的設計參數（但不是標稱頻率）。當晶體元件與外部電容相連接時（并聯或串聯），在負載諧振頻率時的電阻即為負載諧振電阻RL，它總是大于晶體元件本身的諧振電阻。金華定制晶振供應

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