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    在本發明的一個實施例中，拋光液110的主要成分包括：碳化硅顆粒，顆粒直徑為50nm～200nm，體積比為3％～5％；次氯酸鹽，體積比為30％～40％；氫溴酸，體積比為5％～7％，di水，體積比50～60％。本發明的一個實施例中，如圖3所示，磁轉子12包括截面為半圓形的柱狀磁性結構120和位于柱狀磁性結構120的底部平面的研磨層121，以通過研磨層121對待加工部件20的待加工表面進行機械研磨。當然，本發明并不僅限于此，在其他實施例中，可以根據實際需求選擇合適的磁轉子形狀。可選地，研磨層121為金屬氧化物層，進一步可選地，金屬氧化物層包括三氧化二鋁層?？蛇x地，研磨層121的厚度為10μm。本發明實施例中，如圖4所示，磁轉子12沿箭頭所示方向旋轉，如沿逆時針或順時針方向旋轉，并且，磁轉子12的長度近似等于待加工部件20如inp基晶圓的直徑，以對整個待加工表面進行研磨。本發明實施例中，拋光減薄裝置還包括控制部件。控制部件與磁轉子12和噴頭11相連，用于控制噴頭11和磁轉子12交替工作，以對待加工表面交替進行拋光和減薄。其中，控制部件通過脈沖方式控制噴頭11和磁轉子12交替工作?？蛇x地，控制部件控制磁轉子12的轉速為80rpm～200rpm。上海半導體減薄用清洗劑蘇州博洋化學股份有限公司清洗劑；

    較佳的，所述沖洗區包括沖洗區、第二沖洗區和第三沖洗區，所述第二沖洗區設置于所述沖洗區和所述第三沖洗區之間，所述沖洗區設置于所述第二沖洗區和所述轉換區之間，所述第三沖洗區設置于所述第二沖洗區和所述蝕刻區之間。較佳的，所述沖洗區設置有輔助厚度測量儀。較佳的，所述第三沖洗區設置有第二輔助厚度測量儀。較佳的，所述轉換區設置為可升降的折疊式結構。較佳的，所述轉換區設置有裝卸臂。與現有技術比較本發明的有益效果在于：1，本發明中所述玻璃減薄生產線采用噴淋減薄的方式對豎直容納在玻璃加工治具中的玻璃進行減薄處理，可實現單次多片玻璃減薄，同時避免浸泡式減薄法中反應產物粘附在玻璃上造成不良品的問題；2，本發明中所述玻璃加工治具在減薄處理時進行往復移動使側支撐件與玻璃之間接觸點產生變化，從而避免所述側支撐件與玻璃之間的接觸點因所述側支撐件的長期接觸造成接觸點無法被噴淋液噴淋而產生的不良次品問題；3，本發明通過所述側支撐件的固定結構，可實現所述側支撐件的位置調節，從而使玻璃加工治具適用于不同尺寸的玻璃并可將不同尺寸的玻璃同時設置于玻璃加工治具上同時進行減薄處理。附圖說明圖1為所述玻璃減薄設備的結構示意圖。

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    經減薄處理后的玻璃可再次進入所述沖洗區2以經歷減薄后清潔并且通過所述轉換區1被卸載到外部；所述玻璃減薄設備還設置有制動組件，通過所述制動組件實現所述玻璃加工治具4從所述轉換區1經所述沖洗區2向所述蝕刻區3的減薄前移動，以及從所述蝕刻區3經所述沖洗區2向所述轉換區1的減薄后移動。在本實施例中，圖1內并排設置有2個所述玻璃減薄設備，所述沖洗區2包括沖洗區2、第二沖洗區2和第三沖洗區2，所述第二沖洗區2設置于所述沖洗區2和所述第三沖洗區2之間，所述沖洗區2設置于所述第二沖洗區2和所述轉換區1之間，所述第三沖洗區2設置于所述第二沖洗區2和所述蝕刻區3之間。所述轉換區1可升降的折疊式結構，從而便于所述玻璃加工治具4在所述轉換區1的放置或卸下。較佳的，所述轉換區1還設置有裝卸臂，通過所述裝卸臂可實現對所述玻璃加工治具4的上下料，以及單片玻璃的拿取檢測。實施例二如圖2所示，圖2為所述蝕刻區的結構示意圖；所述蝕刻區3包括腔室31、主厚度測量儀32、噴淋組件33和控制器；所述噴淋組件33在所述腔室31中對設置于所述玻璃加工治具4上的玻璃施加減薄處理，所述主厚度測量儀32實時測量在所述腔室31內經歷減薄處理的玻璃厚度。蘇州質量好的減薄用清洗劑的公司。上海好用的減薄用清洗劑廠家現貨

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