EVG®620BA鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign®包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準：3個卡帶站 可選：ZUI多5個站 EVG的各種鍵合對準（對位）系統配置為各種MEMS和IC研發生產應用提供了多種優勢。EVG620鍵合機美元報價

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質層，通過加熱熔融產生金屬—半導體共晶相來實現。因此，中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。 EVG620鍵合機美元報價EVG鍵合機晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合等多種類型。

EVG®6200BA自動鍵合對準系統 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統，用于中等和批量生產 特色 技術數據 EVG鍵合對準系統提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統 支持蕞大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺，帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面

臨時鍵合系統：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術在其臨時鍵合設備中得到充分體現，該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統；EVG820涂敷系統；EVG850TB臨時鍵合系統；EVG850DB自動解鍵合系統。 EVG鍵合機軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，可輕松引導操作員完成每個流程步驟。

EVGroup開發了MLE?（無掩模曝光）技術，通過消除與掩模相關的困難和成本，滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發周期的關鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發設備與快速（但不靈活）的生產之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案，可同時進行裸片和晶圓級設計，支持現有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應性，并具有多級冗余功能，以提高產量和降低擁有成本（CoO）。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求，而且還滿足MEMS，生物醫學和印刷電路板制造的要求。 晶圓鍵合系統EVG501可以用于學術界和工業研究。熔融鍵合鍵合機微流控應用

EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經超過1500套。EVG620鍵合機美元報價

BONDSCALE?自動化生產熔融系統啟用3D集成以獲得更多收益特色技術數據EVGBONDSCALE?自動化生產熔融系統旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用，包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中，并幫助解決內部設備和系統路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰。結合增強的邊緣對準技術，與現有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產率，并降低了擁有成本（CoO）。EVG620鍵合機美元報價