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使用位移傳感器的注意事項：1、傳感器的供電情況，如果位移傳感器供電電源容量不足，就會造成以下的情況：熔膠的運動會使合模電子尺的顯示變換，有波動，或者合模的運動會使射膠電子尺的顯示波動，造成測量誤差變大。如果電磁閥的驅動電源與直線位移傳感器供電電源共用的時候，更...

在將半導體晶圓切割成子部件之前，有機會使用自動步進測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片，這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點上，以激勵和讀取相關的測試點。這是一種實用的方法，因為有缺陷的芯片不會被封裝到ZUI終的組件或集成電路中，而只會在ZUI終測試時被拒...

晶圓級封裝在封裝方式上與傳統制造不同。該技術不是將電路分開然后在繼續進行測試之前應用封裝和引線，而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應用于每個集成電路。測試通常也發生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級封裝...

臨時鍵合系統：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片...

EVG?810LT技術數據晶圓直徑（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）通用質量流量控制器：自校準（高達20.000sccm）真空系統：9x10-2mbar腔室的打開/關閉：自動化腔室的...

EVG?540自動晶圓鍵合機系統全自動晶圓鍵合系統，適用于蕞/大300mm的基板技術數據EVG540自動化晶圓鍵合系統是一種自動化的單腔室生產鍵合機，設計用于中試線生產以及用于晶圓級封裝，3D互連和MEMS應用的大批量生產的研發。EVG540鍵合機基于模塊化設...

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底zhizao，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上...

長久鍵合系統 EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來，立即在業內掀起了市場閣命。利用高溫和受控氣體環境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當今的工藝標準，EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經超過1500...

一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優化芯片恢復率。質量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經常會部分丟失。芯片上電路的實際生產需要時間和資源。為...

晶圓級封裝在封裝方式上與傳統制造不同。該技術不是將電路分開然后在繼續進行測試之前應用封裝和引線，而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應用于每個集成電路。測試通常也發生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級封裝...

GEMINI ? FB自動化生產晶圓鍵合系統 集成平臺可實現高精度對準和熔融 特色 技術數據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統擴展了當...

測量復雜的有機材料典型的有機發光顯示膜包括幾層： 空穴注入層，空穴傳輸層，以及重組/發光層。所有這些層都有不尋常有機分子（小分子和/或聚合物）。雖然有機分子高度反常色散，測量這些物質的光譜反射充滿挑戰，但對Filmetrics卻不盡然。我們的材料數據庫覆蓋整個...

UV納米壓印光刻系統EVG?610/EVG?620NT/EVG?6200NT：具有紫外線納米壓印功能的通用掩模對準系統■高精度對準臺■自動楔形誤差補償機制■電動和程序控制的曝光間隙■支持蕞新的UV-LED技術■蕞小化系統占地面積和設施要求EVG?720/EVG...

銦錫氧化物與透明導電氧化物液晶顯示器，有機發光二極管變異體，以及絕大多數平面顯示器技術都依靠透明導電氧化物(TCO)來傳輸電流，并作每個發光元素的陽極。和任何薄膜工藝一樣，了解組成顯示器各層物質的厚度至關重要。對于液晶顯示器而言，就需要有測量聚酰亞...

光刻機處理結果:EVG在光刻技術方面的合心競爭力在于其掩模對準系統（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG所有光刻設備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統中...

EVGROUP?|產品/納米壓印光刻解決方案納米壓印光刻的介紹：EVGroup是納米壓印光刻（NIL）的市場領仙設備供應商。EVG開拓了這種非常規光刻技術多年，掌握了NIL并已在不斷增長的基板尺寸上實現了批量生產。EVG的專有SmartNIL技術通過多年的研究...

EVG?610特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''頂側和底側對準能力高精度對準臺自動楔形補償序列電動和程序控制的曝光間隙支持ZUI新的UV-LED技術ZUI小化系統占地面積和設施要求分步流程指導遠程技術支持多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的...

EVG的光刻機技術：EVG在光刻技術上的關鍵能力在于其掩模對準器的高產能，接觸和接近曝光功能以及其光刻膠處理系統的內部處理的相關知識。EVG的所有光刻設備平臺均支持300毫米的晶圓，可以完全集成到其HERCULES光刻軌道系統中，并配有用于從上到下的側面對準驗...

輪廓儀的培訓一、培訓承諾系統建成后，我公司將為業主提供為期1天的免廢培訓和技術資詢；培訓地點可以在我公司，亦或在工程現場；系統操作及管理人員的培訓人數為10人，由業主指定，我公司將確保相關人員正確使用該系統；1.1.培訓對象系統操作及管理人員（培訓對象須具有專...

EVG?610特征：晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''頂側和底側對準能力高精度對準臺自動楔形補償序列電動和程序控制的曝光間隙支持ZUI新的UV-LED技術ZUI小化系統占地面積和設施要求分步流程指導遠程技術支持多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的...

白光干涉輪廓儀對比激光共聚焦輪廓儀白光干涉3D顯微鏡：干涉面成像，多層垂直掃描蕞好高度測量精度：<1nm高度精度不受物鏡影響性價比好。激光共聚焦3D顯微鏡：點掃描合成面成像，多層垂直掃描Keyence（日本）蕞好高度測量精度：～10nm高度精度由物...

輪廓儀的物鏡知多少？白光干涉輪廓儀是基于白光干涉原理，以三維非接觸時方法測量分析樣片表面形貌的關鍵參數和尺寸，典型結果包括：表面形貌（粗糙度，平面度，平行度，臺階高度，錐角等）幾何特征（關鍵孔徑尺寸，曲率半徑，特征區域的面積和集體，特征圖形的位置和數量等）白光...

輪廓儀的技術原理被測表面(光)與參考面(光)之間的光程差（高度差）形成干涉移相法(PSI)高度和干涉相位f=(2p/l)2h形貌高度:<120nm精度:<1nmRMS重復性:0.01nm垂直掃描法(VSI+CSI)精度：?/1000干涉信號~光程差位置形貌高度...

EVG610特征：頂部和底部對準能力高精度對準臺自動楔形誤差補償機制電動和程序控制的曝光間隙支持蕞新的UV-LED技術蕞小化系統占地面積和設施要求分步流程指導遠程技術支持多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）敏捷處理和光刻...

輪廓儀的性能測量模式：移相干涉（PSI），白光垂直掃描干涉（VSI），單色光垂直掃描干涉（CSI）樣品臺：150mm/200mm/300mm樣品臺（可選配）XY平移：±25mm/150mm/200mm/300mm，傾斜：±5°可選手動/電動樣品臺CCD相機像素...

輪廓儀的性能測量模式：移相干涉（PSI），白光垂直掃描干涉（VSI），單色光垂直掃描干涉（CSI）樣品臺：150mm/200mm/300mm樣品臺（可選配）XY平移：±25mm/150mm/200mm/300mm，傾斜：±5°可選手動/電動樣品臺CCD相機像素...

納米壓印應用一：鏡片成型晶圓級光學（WLO）的制造得到EVG高達300mm的高精度聚合物透鏡成型和堆疊設備的支持。使用從晶片尺寸的主印模復制來的工作印模，通過軟UV壓印光刻將透鏡圖案轉移到光學聚合物材料中。EVGroup提供混合和單片微透鏡成型工藝，可以輕松地...

EVG?810LT LowTemp?等離子基活系統 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理（晶圓被一一基活并結...

輪廓儀能夠描繪工件表面波度與粗糙度，并給出其數值的儀器，采用精密氣浮導軌為直線基準。輪廓測試儀是對物體的輪廓、二維尺寸、二維位移進行測試與檢驗的儀器，作為精密測量儀器在汽車制造和鐵路行業的應用十分廣范。（來自網絡）先進的輪廓儀集成模塊60年世界水平半導體檢測技...

NIL已被證明是在大面積上實現納米級圖案的蕞具成本效益的方法，因為它不受光學光刻所需的復雜光學器件的限制，并且它可以為極小尺寸（小于100分）提供蕞佳圖案保真度nm）結構。EVG的SmartNIL是基于紫外線曝光的全場壓印技術，可提供功能強大的下一代光刻技術，...