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天津解鍵合鍵合機

來源: 發布時間:2025-01-02

在將半導體晶圓切割成子部件之前,有機會使用自動步進測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片,這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點上,以激勵和讀取相關的測試點。這是一種實用的方法,因為有缺陷的芯片不會被封裝到ZUI終的組件或集成電路中,而只會在ZUI終測試時被拒絕。一旦認為模具有缺陷,墨水標記就會滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中,少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優化芯片恢復率。 EVG鍵合機軟件,支持多語言,集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置,可以簡化用戶常規操作。天津解鍵合鍵合機

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EVG®520IS晶圓鍵合機系統:單腔或雙腔晶圓鍵合系統,用于小批量生產。EVG520IS單腔單元可半自動操作ZUI大200mm的晶圓,適用于小批量生產應用。EVG520IS根據客戶反饋和EVGroup的持續技術創新進行了重新設計,具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設計。諸如獨LI的頂側和底側加熱器,高壓鍵合能力以及與手動系統相同的材料和工藝靈活性等優勢,為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻。特征:全自動處理,手動裝卸,包括外部冷卻站兼容EVG機械和光學對準器單室或雙室自動化系統全自動的鍵合工藝執行和鍵合蓋移動集成式冷卻站可實現高產量選項:高真空能力(1E-6毫巴)可編程質量流量控制器集成冷卻技術數據ZUI大接觸力10、20、60、100kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標準:1E-5mbar可選:1E-6mbar 當地價格鍵合機競爭力怎么樣晶圓級涂層、封裝,工程襯底zhi造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。

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熔融和混合鍵合系統:熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或層轉移應用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應用是高級3D設備堆疊。EVG的熔融和混合鍵合設備包含:EVG301單晶圓清洗系統;EVG320自動化單晶圓清洗系統;EVG810LT低溫等離子基活系統;EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統;EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統;GEMINIFB自動化生產晶圓鍵合系統;BONDSCALE自動化熔融鍵合生產系統。

根據型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發,并且可以通過簡單的方法進行大批量生產,因為鍵合程序可以轉移到EVGGEMINI大批量生產系統中。鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨力溫度控制補償了不同的熱膨脹系數,從而實現無應力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。 晶圓鍵合系統EVG501是適用于學術界和工業研究的多功能手動晶圓鍵合機。

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BONDSCALE與EVG的行業基準GEMINIFBXT自動熔融系統一起出售,每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區。特征:在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現不同材料,高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產熔融系統的技術數據晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米ZUI高數量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統4個裝載口特征:多達八個預處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設備前端模塊)實現ZUI高吞吐量光學邊緣對準模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ EVG鍵合機可配置為黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮工藝。HVM鍵合機應用

EVG鍵合機跟應用相對應,鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。天津解鍵合鍵合機

GEMINI ® FB自動化生產晶圓鍵合系統 集成平臺可實現高精度對準和熔融 特色 技術數據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統擴展了當前標準,并結合了更高的生產率,更高的對準度和覆蓋精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(SoC),背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統具有新的Smart View NT3鍵合對準器,該鍵合對準器是專門為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。天津解鍵合鍵合機