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晶圓鍵合機現場服務

來源: 發布時間:2025-01-01

長久鍵合系統 EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業內掀起了市場geming。利用高溫和受控氣體環境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或gao級封裝的不同市場需求,EVG優化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。 自動晶圓鍵合機系統EVG?560,擁有多達4個鍵合室,能滿足各種鍵合操作;可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。晶圓鍵合機現場服務

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GEMINI ® FB自動化生產晶圓鍵合系統 集成平臺可實現高精度對準和熔融 特色 技術數據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統擴展了當前標準,并結合了更高的生產率,更高的對準度和覆蓋精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(SoC),背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統具有新的Smart View NT3鍵合對準器,該鍵合對準器是專門為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。內蒙古鍵合機用途是什么在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機可以在真空下執行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。

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半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現良好的電接觸,并蕞小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,這推動了每一代新產品的更嚴格的晶圓間鍵合規范。imec3D系統集成兼項目總監兼EricBeyne表示:“在imec,我們相信3D技術的力量將為半導體行業創造新的機遇和可能性,并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合,在這一方面,我們通過與EVGroup等行業合作伙伴的合作取得了優異的成績。去年,我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米,是目前業界標準間距的四倍。今年,我們正在努力將間距至少降低一半。” 

在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當的位置。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達邊界時與硅反應,形成二氧化硅(SiO 2)。產生的化學鍵將兩個組件密封在一起。EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發的鍵合機。

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什么是YONG久鍵合系統呢?EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業內掀起了市場GEMING。利用高溫和受控氣體環境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供ZUI佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或高級封裝的不同市場需求,EVG優化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。 根據鍵合機型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。河南鍵合機芯片堆疊應用

烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。晶圓鍵合機現場服務

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導體中,這是因為其成本效率高且易于應用。在ZUI佳環境中,每秒ZUI多可以創建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金,但由于銅的相對成本和可獲得性,銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置,以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當的位置。沿表面的張力使熔融金屬形成球形,因此得名。當銅用于球焊時,氮氣以氣態形式使用,以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。 晶圓鍵合機現場服務