樣品視頻包括硬件和照相機的F20系統視頻。視頻實時顯示精確測量點。 不包括SS-3平臺。SampleCam-sXsX探頭攝像機包含改裝的sX探頭光學配件，但不包含平臺。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺，具有SS-3鏡頭與38mm的精密XY平移聚焦平臺。能夠升級成電動測繪與自動對焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全電動樣品平臺。可以進行100mm高精度XY平移，包括自動焦距調節。SS-Microscope- UVX-1顯微鏡（15倍反射式物鏡）及X-Y平臺。 包含UV光源與照明光纖。SS-Microscope- EXR-1顯微鏡包含X- Y平臺及照明光纖. 需另選購物鏡. 通常使用顯微鏡內建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或彎曲表面的透射平臺，包括光纖，和 F10-AR 一起使用。 波長范圍 250nm -2500nm。T-1SS-3 平臺的透射測量可選件。包括光纖、平臺轉接器和平臺支架。 用于平坦的樣品。WS-300用于小于 300mm 樣品的平移旋轉平臺。FSM拉曼的應用：局部應力； 局部化學成分；局部損傷。聯電膜厚儀美元報價

   更可加裝至三個探頭，同時測量三個樣品，具紫外線區或標準波長可供選擇。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外，可提供*小5um光點(100倍放大倍數)來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動XY工作臺，由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通過快速掃瞄功能，可取得整片樣品厚度分布情況(mapping)。F70:瑾通過在F20基本平臺上增加鏡頭，使用Filmetrics*新的顏色編碼厚度測量法（CTM），把設備的測量范圍極大的拓展至。F10-RT：在F20實現反射率跟穿透率的同時測量，特殊光源設計特別適用于透明基底樣品的測量。PARTS：在垂直入射光源基礎上增加70o光源，特別適用于超薄膜層厚度和n、k值測量。**膜厚測量儀系統F20使用F20**分光計系統可以簡便快速的測量厚度和光學參數（n和k）。您可以在幾秒鐘內通過薄膜上下面的反射比的頻譜分析得到厚度、折射率和消光系數。任何具備基本電腦技術的人都能在幾分鐘內將整個桌面系統組裝起來。F20包括所有測量需要的部件：分光計、光源、光纖導線、鏡頭集和和Windows下運行的軟件。您需要的只是接上您的電腦。膜層實例幾乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能測。包括：sio2（二氧化硅）sinx（氮化硅）dlc（類金剛石碳）photoresist。高精密儀器膜厚儀研發可以用嗎紫外光可測試的深度：有秀的薄膜（SOI 或 Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應力。

FSM413紅外干涉測量設備關鍵詞：厚度測量，光學測厚，非接觸式厚度測量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光測厚，近紅外光測厚，TSV,CD,Trench，砷化鎵厚度，磷化銦厚度，玻璃厚度測量，石英厚度，聚合物厚度,背磨厚度，上下兩個測試頭。Michaelson干涉法，翹曲變形。如果您對該產品感興趣的話，可以給我留言！產品名稱：紅外干涉厚度測量設備·產品型號：FSM413EC,FSM413MOT，FSM413SADP，FSM413C2C,FSM8108VITEC2C如果您需要更多的信息，請聯系我們岱美儀器。

FSM膜厚儀簡單介紹：FSM128厚度以及TSV和翹曲變形測試設備:美國FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來為半導體行業等高新行業提供各式精密的測量設備，客戶遍布全世界,主要產品包括:光學測量設備:三維輪廓儀、拉曼光譜、薄膜應力測量設備、紅外干涉厚度測量設備、電學測量設備:高溫四探針測量設備、非接觸式片電阻及漏電流測量設備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析(EOT)。請訪問我們的中文官網了解更多的信息。Filmetrics 提供一系列的和測繪系統來測量 3nm 到 1mm 的單層、 多層、 以及單獨的光刻膠薄膜。

厚度標準：所有Filmetrics厚度標準都是得到驗證可追溯的NIST標準。S-Custom-NIST：在客戶提供的樣品上定制可追溯的NIST厚度校準。TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si：厚度標準，外加調焦區和單晶硅基準，厚度大約3100A，4"晶圓。TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si：厚度標準，外加調焦區和單晶硅基準，厚度大約10000A，4"晶圓。TS-Hardcoat-4μm：丙烯酸塑料硬涂層厚度標準，厚度大約4um，直徑2"。TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂層，可用于透射測量。TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚對二甲苯厚度標準，厚度大約4um，直徑2"。TS-Parylene-8um：硅基上的聚對二甲苯厚度標準，厚度大約8um，23mmx23mm。TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度標準，厚度大約7200A，4"晶圓。TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的NISTSiO2-4-7200厚度標準。TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅標準:125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和10000埃米(+/-10%誤差)，6英寸晶圓。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3樣品平臺設計之二氧化硅厚度標準片,厚度大約為8000A。不同的 F50 儀器是根據波長范圍來加以區分的。高精密儀器膜厚儀研發生產

F3-sX系列使用近紅外光來測量薄膜厚度，即使有許多肉眼看來不透光(例如半導體)。聯電膜厚儀美元報價

參考材料備用BK7和二氧化硅參考材料。BG-Microscope顯微鏡系統內取背景反射的小型抗反光鏡BG-F10-RT平臺系統內獲取背景反射的抗反光鏡REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率鋁基準REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率鋁基準REF-BK71?"x1?"BK7反射基準。REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未經處理的石英，用于雙界面基準。REF-Si-22"單晶硅晶圓REF-Si-44"單晶硅晶圓REF-Si-66"單晶硅晶圓REF-Si-88"單晶硅晶圓REF-SS3-Al專為SS-3樣品平臺設計之鋁反射率基準片REF-SS3-BK7專為SS-3樣品平臺設計之BK7玻璃反射率基準片REF-SS3-Si專為SS-3樣品平臺設計之硅反射率基準片聯電膜厚儀美元報價

岱美儀器技術服務（上海）有限公司一直專注于磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務 ，是一家儀器儀表的企業，擁有自己**的技術體系。目前我公司在職員工以90后為主，是一個有活力有能力有創新精神的團隊。誠實、守信是對企業的經營要求，也是我們做人的基本準則。公司致力于打造***的半導體工藝設備，半導體測量設備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀。一直以來公司堅持以客戶為中心、半導體工藝設備，半導體測量設備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀市場為導向，重信譽，保質量，想客戶之所想，急用戶之所急，全力以赴滿足客戶的一切需要。