WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩壓器（LDO）。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結構，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態電流典型值為150μA，這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網絡應用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統在錯誤條件下的穩定性，并采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。WL2803E穩壓器采用SOT-23-5L封裝，為標準無鉛且無鹵素產品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態電流：典型值為150μA

應用領域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機頂盒（STB）

· 計算機、顯卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準確的電壓輸出。緊湊環保，易于集成，適用于多種電子設備。提供穩定電源輸出。詳情查閱手冊或聯系我們。 ESD5451NL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56131W

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受瞬態電壓的侵害而設計。在現代電子設備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態事件，電路中的敏感組件經常面臨損壞的風險。而WL2805N33-3/TR的出現，為這些設備提供了可靠的防護。  

      這款抑制器具有出色的瞬態抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態事件發生時迅速響應，將電壓限制在安全范圍內，從而保護電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號傳輸的準確性和穩定性。 其緊湊的封裝設計使得它非常適合用于各種電子設備中，如通信設備、計算機、醫療設備和消費電子產品等。無論是對于工業應用還是日常消費應用，WL2805N33-3/TR都能提供優異的瞬態電壓保護，確保設備的穩定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優異的產品和服務。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持，請隨時聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNMD2179WL2803E30-5/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。

WS3202E：過壓和過流保護IC

產品描述：

WS3202E是一款集過壓保護（OVP）和過流保護（OCP）功能于一體的保護設備。當輸入電壓或輸入電流超過閾值時，該設備會關閉內部MOSFET，斷開IN到OUT的連接，以保護負載。此外，過溫保護（OTP）功能會監控芯片溫度，確保設備安全。封裝形式：SOT-23-6L

產品特性：

· 高壓技術

· 輸入電壓：25V

· 輸出上電時間：8ms（典型值）

· OVP閾值：6.1V（典型值）

· OVP響應時間：<1us

· OCP閾值：2A（最小值）

· 輸出放電功能

應用領域：

· GPS設備

· PMP（便攜式媒體播放器）

· MID（移動互聯網設備）

· PAD（平板電腦）

· 數碼相機

· 數字攝像機

     WS3202E是一款功能強大的過壓和過流保護IC，為電子設備提供了雙重安全保障。其高壓技術、快速響應時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應用場合中表現出色，特別適用于需要高穩定性和可靠性的電子設備，如GPS、PMP、MID、PAD以及數碼相機和攝像機等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝，方便集成到各種電路板中，同時其無鉛和無鹵素特性也符合環保要求。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

     ESD9X5VL是一款單向瞬態電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設計用于替代消費設備中的多層變阻器（MLV），適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設備。ESD9X5VL結合了一對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標準產品為無鉛、無鹵素。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據IEC61000-4-2（ESD）為每條線路提供瞬態保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=1.2pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護高速數據接口免受靜電放電損害的瞬態電壓抑制器。響應迅速，避免噪聲和干擾，高可靠且適用于便攜式設備。詳情查閱手冊或聯系我們。 ESD5Z5VL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-523。

ESD5451N：雙向瞬態電壓保護神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低速數據線和控制線提供強大的保護

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應用場景，包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備，以及網絡通信設備等。其出色的瞬態電壓抑制能力和穩定性，為電子設備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優異的產品和服務。 WNM2016A-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPMD2010

WNM3003-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56131W

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管，采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2030為無鉛產品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 優異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

   WNM2030是專為現代電子系統電源管理設計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路中表現出色。采用先進溝槽技術，提供高密度和低功耗?？焖匍_關操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設備，且無鉛設計滿足環保要求。WNM2030為現代電源管理提供高效、可靠和環保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56131W