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規格書WILLSEMI韋爾WNMD2183

來源: 發布時間:2024-03-22

    WS4508E是一款針對單節鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內部采用MOSFET架構,無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調節充電電流,以在高功率操作或高環境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V,而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。

特性:

· 可編程充電電流高達600mA

· 過溫保護

· 欠壓鎖定保護

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應用:

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍牙設備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器,適用于便攜式電子產品。其內置MOSFET簡化了電路設計,降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V,電流可編程,至高600mA,適應不同電池和充電需求。充電結束和電源移除時,自動進入低電流和關機模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封裝,符合無鉛標準,適用于各種電子設備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息,請查閱數據手冊或聯系我們。 ESD5641D12-3/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN-3L(2x2)。規格書WILLSEMI韋爾WNMD2183

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ESD5341N:單線、單向、低電容瞬態電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態電壓抑制器(TVS),專為保護高速數據接口而設計。它被特別用來保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝,為標準產品,無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括:

· 截止電壓:5V

· 根據IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態保護:±20kV(接觸放電)

· 根據IEC61000-4-4(EFT)的瞬態保護:40A(5/50ns)

· 根據IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態保護:4A(8/20μs)

· 低電容:CJ=1.0pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態硅技術

應用領域包括:

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數據接口提供了出色的靜電放電保護,特別適用于需要高數據傳輸速率和嚴格ESD防護的應用。如需更詳細的信息或技術規格,請查閱相關的數據手冊或聯系制造商。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD73211NESD5341N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。

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    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關,專為總線切換或音頻切換應用設計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實際應用中,無需額外的設備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標準產品為無鉛和無鹵素。

特性:

· 電源電壓:1.5~5.5V

· 導通電阻:在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬:在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度:在10MHz時為-69dB

· 低靜態電流:<1uA

· 先斷后合功能ESD保護:HBM為±8000V,MM為±600V

應用領域:

· 手機

· MID(移動互聯網設備)

· 其他便攜式設備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設備。其優異的性能和多種保護功能使其成為現代電子設備中的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規格,請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON)。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管,專為高效率的電源管理應用而設計。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態下具有很低的電阻(RDS(ON)),從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時,低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號,進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器,其中高效率的電源開關是至關重要的。

    此外,它還可以用于各種充電電路,如電池充電器和太陽能充電器,以確保能量的有效轉換和利用。作為一款標準產品,WNM2020不僅具有出色的電性能,還符合環保要求,不含有鉛和鹵素等有害物質。這使得它在各種環保法規日益嚴格的市場中具有的適用性。總之,WNM2020是一款高性能、高效率且環保的N溝道增強型MOS場效應晶體管,非常適合用于各種電源管理和充電應用。如需更詳細的信息或技術規格,請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WAS4766C-9/TR 模擬開關 封裝:WLCSP-9L。

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WL2815低功耗CMOSLDO(低壓差線性穩壓器)

產品描述:

     WL2815系列是一款低壓差線性穩壓器,專為電池供電系統提供高性能解決方案,以實現低靜態電流。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設計用于使用低成本陶瓷電容器,確保輸出電流的穩定性,提高效率,從而延長這些便攜式設備的電池壽命。WL2815穩壓器采用DFN1x1-4L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性:

靜態電流:1.5μA(典型值)

輸入電壓:2.1V~5.5V

輸出電壓:1.1V~3.3V

輸出電流:@VOUT=3.3V時為300mA

輸出電流:@VOUT=2.0V時為200mA

輸出電流:@VOUT=1.5V時為150mA

壓差電壓:@100mA時為100mV

推薦電容器:1uF或更大

工作溫度:-40°C至+85°C

輸出短路保護

應用領域:

MP3/MP4播放器

手機

藍牙耳機

無線鼠標

其他電子設備

    WL2815是專為便攜式設備設計的低功耗CMOS穩壓器,性能優異,低靜態電流,高效能,延長電池壽命。優化設計,使用低成本陶瓷電容器,在多種應用中提供穩定輸出。適用于MP3/MP4播放器、手機、藍牙耳機等。緊湊封裝,符合環保標準,是現代電子設備的理想選擇。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 WL2836D25-4/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝:UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD84201C

WPM3401-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3L。規格書WILLSEMI韋爾WNMD2183

ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器

產品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態電壓抑制器(TVS),專為保護高速數據接口而設計。它特別針對連接到數據和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產生的過應力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,ESD5311Z可用于提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性

截止電壓:5V

每條線路根據IEC61000-4-2(ESD)標準進行瞬態保護:±20kV(接觸放電)

根據IEC61000-4-4(EFT)標準進行瞬態保護:40A(5/50ns)

根據IEC61000-4-5(浪涌)標準進行瞬態保護:4A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.25pF(典型值)

極低漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)


應用領域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數據接口設計,極低電容,出色保護,防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口,保護敏感組件。緊湊封裝,適合便攜式設備。詳情查閱手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾WNMD2183